電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車類 4A、6A 增強(qiáng)型隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21551x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 11:40:32
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1120數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-19 09:19:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單P溝道增強(qiáng)型mosfet TPS1100數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-19 09:13:59
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ISO773x-Q1 EMC性能優(yōu)異的高速、增強(qiáng)型三通道數(shù)字隔離器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 11:19:39
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ISO772x-Q1 EMC 性能優(yōu)異的高速、增強(qiáng)型雙通道數(shù)字隔離器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 11:18:33
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通用六通道增強(qiáng)型數(shù)字隔離器 ISO676x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 11:08:07
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高速、增強(qiáng)型六通道數(shù)字隔離器ISO776x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 11:02:26
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EMC 性能優(yōu)異的 ISO776x-Q1 高速、增強(qiáng)型六通道數(shù)字隔離器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 10:59:24
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ISO772x-Q1 EMC性能優(yōu)異的高速、增強(qiáng)型雙通道數(shù)字隔離器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 10:50:21
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ISO774x-Q1汽車級(jí)高速四通道增強(qiáng)型數(shù)字隔離器數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 10:45:38
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NCE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET NCE3010S數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-24 11:06:59
0 柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiCMOSFET的性能?增強(qiáng)型M1HCoolSiC芯片又“強(qiáng)“在哪里?英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部高級(jí)工程師趙佳女士,在2023英
2023-11-28 08:13:57
372 
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎?通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET,或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31
779 
型晶體管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動(dòng)電壓的不同,可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15
643 
新潔能NCE30P12S NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S,一款卓越的P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET,采用前沿的溝槽技術(shù),盡顯卓越性能。民信微其低RDS(ON)特性
2023-11-05 09:54:55
0 供應(yīng)APG082N01 100v控制器mos管銓力N通道增強(qiáng)型MOSFET管,是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商,提供APG082N01規(guī)格參數(shù)等,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-10-27 16:35:09
新潔能NCE4435 NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET SOP8新潔能NCE4435,這款卓越的P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET,采用前沿的溝槽技術(shù),使你體驗(yàn)到極致的RDS(ON)性能,同時(shí)保持
2023-10-26 21:11:40
2 和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27
493 
新潔能NCE3407是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)的NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET,民信微具備出色的RDS(ON)性能。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。通用功能:* VDS = -30V,ID
2023-10-23 21:23:26
0 DMTH8003STLW產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH8003STLW 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON) ,同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合
2023-09-21 11:10:36
DMTH8001STLW 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH8001STLW 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-21 10:46:21
DMTH61M5SPSW 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH61M5SPSW 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-21 09:43:45
DMTH6015LDVW產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH6015LDVW 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合
2023-09-20 20:00:49
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 17:29:11
0 DMTH4007SPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH4007SPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常
2023-09-19 15:08:13
DMTH4001STLW 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH4001STLW 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-19 14:13:48
DMTH3004LFGQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH3004LFGQ 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-19 13:50:09
DMTH10H4M5LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H4M5LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該
2023-09-19 13:30:37
DMTH10H072LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H072LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該
2023-09-19 11:55:10
DMTH10H010LCTB 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H010LCTB 這種新一代N溝道增強(qiáng)型MOSFET設(shè)計(jì)用于最小化RDS(ON),同時(shí)保持卓越的切換表演該設(shè)備是高效電源
2023-09-19 11:39:39
DMTH10H009LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH10H009LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該
2023-09-19 11:26:18
DMT6010LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT6010LPS 這款新一代 n 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合
2023-09-18 15:18:40
DMT10H4M5LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H4M5LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 13:23:02
DMT10H015LCG 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H015LCG 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 11:23:58
DMT10H010LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H010LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 11:18:46
DMT10H009SCG 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H009SCG 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 11:05:00
DMT10H009LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H009LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 10:56:52
DMT10H009LCG 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H009LCG 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-18 10:29:47
DMP56D0UFB 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP56D0UFB 這款新一代 50V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-09-15 11:18:02
DMP4047LFDE 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能
2023-09-14 19:46:59
DMP3012LPS 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP3012LPS 這款新一代 30V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時(shí)保持卓越的 開關(guān)性能。該
2023-09-13 11:02:48
借助其增強(qiáng)型 NDEF 功能(ANDEF),ST25TV512C 和 ST25TV02KC 標(biāo)簽IC具備了上下文自動(dòng)NDEF消息傳遞服務(wù)。最終用戶只需簡單地“點(diǎn)擊”標(biāo)簽,便可動(dòng)態(tài)生成相應(yīng)的響應(yīng)
2023-09-13 06:33:45
DMP2066UFDE 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP2066UFDE 這款新一代 20V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能
2023-09-12 11:17:11
DMP2035UVT產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP2035UVT 這款新一代 20V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該設(shè)備非常適合
2023-09-12 10:24:46
DMP1045U產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP1045U 這款新一代 12V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合便攜式
2023-09-11 11:35:00
DMNH45M7SCT 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMNH45M7SCT 這款新一代增強(qiáng)型MOSFET的設(shè)計(jì)目的最小化RDS(ON),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想
2023-09-11 09:59:04
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間,并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
TDM3478 N-通道增強(qiáng)模式MOSFET芯片 概述 TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。 一般說明 ?RDS
2023-09-01 09:46:40
251 
650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管,采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān),符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51
686 
這款簡單的MOSFET測試儀可以快速測試增強(qiáng)型N型和P溝道MOSFET。它檢查柵極、漏極和源極之間的短路。
2023-07-27 10:12:52
600 
功率MOSFET的類型:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。當(dāng)柵極電壓為零時(shí),有導(dǎo)電通道和增強(qiáng)型。對(duì)于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零,功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)。
2023-07-04 16:50:23
881 
DMN2075UDW 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMN2075UDW 這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-07-02 11:30:46
DMN2015UFDF 產(chǎn)品簡介DIODES 的DMN2015UFDF這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-06-30 16:25:18
DMN2015UFDE 產(chǎn)品簡介DIODES 的DMN2015UFDE這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件
2023-06-30 16:13:40
DMN2013UFDE產(chǎn)品簡介DIODES 的DMN2013UFDE 這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合
2023-06-30 15:30:05
DMN10H170SK3 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMN10H170SK3這款新一代 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能
2023-06-29 15:10:47
MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式,而術(shù)語MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫。
2023-06-28 18:17:13
7749 
HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書免費(fèi)下載。
2023-06-14 17:04:04
1 供應(yīng)HY3810NA2P TO-220AB 100v耐壓mos管100V/180A N溝道增強(qiáng)型MOSFET,提供HY3810NA2P關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 14:21:45
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET(增強(qiáng)型MOSFET) 2. Depletion MOSFET(耗盡型MOSFET) 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36
938 應(yīng)用領(lǐng)域:
增強(qiáng)型1T 8051,16KB Flash,最快48MHz外設(shè)運(yùn)行,雙運(yùn)放,雙比較器,PGA,數(shù)字功能自由映射。 CMS8S69xx系列MCU具有豐富的模擬外設(shè),可簡化產(chǎn)品外圍電路,被
2023-05-18 09:26:34
72V3622-72V3642 數(shù)據(jù)表
2023-05-15 19:39:06
0 ,支持觸摸模塊,提供6通道帶死區(qū)控制的互補(bǔ)型PWM輸出,最多達(dá)30路12位ADC,2個(gè)UART, UART1可任意映射I/O口,1個(gè)SPI, 1個(gè)I2C,內(nèi)置運(yùn)放和比較器,工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。
增強(qiáng)型1T
2023-05-06 09:28:45
對(duì)于N溝道增強(qiáng)型MOS管而言,為何漏源電壓增大到一定反型層會(huì)消失?此時(shí)柵極和襯底間不是仍然有一個(gè)正壓嗎
2023-03-31 15:31:55
互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)型MOSFET
2023-03-28 18:20:06
N溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-03-28 18:19:14
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-28 16:50:12
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-28 15:14:32
P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-28 15:08:36
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-28 15:05:48
P溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-03-28 14:59:18
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-28 14:31:42
N溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-03-28 12:54:29
P溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-03-28 12:54:28
N溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-03-28 12:54:17
P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-28 12:45:09
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-28 12:45:06
P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-28 12:44:45
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-27 11:56:58
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET TO220-3L
2023-03-27 11:56:58
P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-27 11:56:57
P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-27 11:56:57
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-27 11:56:57
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-27 11:56:57
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-27 11:14:09
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-27 11:14:09
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-27 11:14:09
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-27 11:14:09
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-24 15:12:55
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-24 15:12:54
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-24 15:12:53
NCE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-24 15:12:53
NCE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-24 15:12:53
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-24 15:12:53
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET TO220-3L
2023-03-24 15:12:52
P溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-03-24 14:48:36
N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
2023-03-24 14:48:16
P溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-03-24 14:45:49
N溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-03-24 10:04:33
評(píng)論