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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH4001STLW 40V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMTH4001STLW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH4001STLW
  • 名稱 40V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 POWERDI®1012-8 (TOLL)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH4001STLW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH4001STLW 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合用于電源管理和負載開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH4001STLW
名稱                  40V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  POWERDI?1012-8 (TOLL)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 300 A
PD @TA = +25°C (W) 6 W
PD @TC = +25°C (W) 300 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 0.85 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 2 V
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 150 nC
CISS Typ (pF) 13185 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 –
確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
用于改進光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)面


相關(guān)型號
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