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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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DMP3012LPS P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMP3012LPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP3012LPS
  • 名稱 P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 POWERDI5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP3012LPS 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP3012LPS 這款新一代 30V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越的 開關性能。該器件非常適合用于筆記本電腦 電池電源管理和負載開關。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP3012LPS
名稱                  P  溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  POWERDI5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.36 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 66 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 139 nC
CISS Typ (pF) 6807 pF


主要特征
熱效包裝冷卻器運行應用
轉(zhuǎn)換效率高
低RDS（ON）–最大限度地減少狀態(tài)損耗
低輸入電容
切換速度快
<1.1mm封裝外形–適用于薄型應用
ESD HBM保護高達1kV


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