Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1159 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282340 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場(chǎng)截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 輸入電壓是 600V，因此減小了開(kāi)關(guān)損耗，從而提高了效率。主要特色 寬輸入電壓容量（50 至 600V DC）占空比限制為 80%滿負(fù)載效率為 84%空載時(shí)功耗小于 70mW脈沖跳躍模式減小了開(kāi)關(guān)損耗因采用 LM5021-1 而減少了組件數(shù)量（因?yàn)闊o(wú)需外部斜率補(bǔ)償）
2018-12-14 15:37:05
反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET主動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量改變,完成高精度多形式PSR 操控提高可靠性和功率面臨將來(lái)很多不知名的應(yīng)戰(zhàn)，銀聯(lián)寶科技會(huì)不斷的去開(kāi)展本身的商品，為咱們供給非常好更持久的效勞。你的每一次光臨，都是對(duì)咱們的一次必定。`
2017-07-31 14:10:19
和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項(xiàng)，包括長(zhǎng)引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
恢復(fù)二極管兩種：采用先進(jìn)的擴(kuò)鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時(shí)間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
率為一個(gè)平穩(wěn)值，意味著產(chǎn)品進(jìn)入了一個(gè)穩(wěn)定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產(chǎn)品進(jìn)入老年期，失效率呈遞增狀態(tài)，產(chǎn)品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對(duì)元器件進(jìn)行篩選;對(duì)元器件降額使用，使用容錯(cuò)法
2015-08-04 11:04:27
5所示。在輸入電壓為110 Vac的滿負(fù)荷試驗(yàn)條件下，相比于傳統(tǒng)的TO247封裝的試驗(yàn)結(jié)果，最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET的效率提高了0.2%。在高電壓情況下，即當(dāng)輸入電壓為220
2018-10-08 15:19:33
設(shè)計(jì)。設(shè)備在使用、運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)受到各種各樣振動(dòng)、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應(yīng)提高設(shè)備的機(jī)械強(qiáng)度和剛度，并采取減振緩沖措施，以加強(qiáng)設(shè)備抗振動(dòng)、沖擊的能力，提高設(shè)備的可靠性。 （11）采用故障指示
2018-09-21 14:49:10
可靠。 （10）抗振沖設(shè)計(jì)。設(shè)備在使用、運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)受到各種各樣振動(dòng)、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應(yīng)提高設(shè)備的機(jī)械強(qiáng)度和剛度，并采取減振緩沖措施，以加強(qiáng)設(shè)備抗振動(dòng)、沖擊的能力，提高設(shè)備的可靠性
2014-10-20 15:09:29
、干擾電磁場(chǎng)對(duì)設(shè)備的干擾，確保設(shè)備工作可靠。
（10）抗振沖設(shè)計(jì)。
設(shè)備在使用、運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)受到各種各樣振動(dòng)、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應(yīng)提高設(shè)備的機(jī)械強(qiáng)度和剛度，并采取減振緩沖措施，以加強(qiáng)
2023-11-22 06:29:05
以防止噪聲、干擾電磁場(chǎng)對(duì)設(shè)備的干擾，確保設(shè)備工作可靠。 （１０）抗振沖設(shè)計(jì)。 設(shè)備在使用、運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)受到各種各樣振動(dòng)、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應(yīng)提高設(shè)備的機(jī)械強(qiáng)度和剛度，并采取減振緩沖措施，以
2018-11-23 16:50:48
為提高單片機(jī)本身的可靠性。近年來(lái)單片機(jī)的制造商在單片機(jī)設(shè)計(jì)上采取了一系列措施以期提高可靠性。這些技術(shù)主要體現(xiàn)在以下幾方面： 1.降低外時(shí)鐘頻率 外時(shí)鐘是高頻的噪聲源，除能引起對(duì)本應(yīng)用系統(tǒng)
2020-07-16 11:07:49
電源電壓，60降額時(shí)選用600V的開(kāi)關(guān)管比較容易，而且不會(huì)出現(xiàn)單向偏磁飽和的問(wèn)題，一般來(lái)說(shuō)這三種拓?fù)湓诟邏狠斎腚娐分械玫綇V泛的應(yīng)用。 電源設(shè)備可靠性熱設(shè)計(jì)技術(shù) 專家指出除電應(yīng)力之外，溫度是影響設(shè)備
2018-10-09 14:11:30
電子產(chǎn)品的質(zhì)量是技術(shù)性和可靠性兩方面的綜合。電源作為一個(gè)電子系統(tǒng)中重要的部件，其可靠性決定了整個(gè)系統(tǒng)的可靠性，開(kāi)關(guān)電源由于體積小，效率高而在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，如何提高它的可靠性是電力電子技術(shù)
2018-10-09 14:37:18
CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss，高達(dá)650V的擊穿電壓，使LLC拓?fù)溟_(kāi)關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。 參考文獻(xiàn)：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
的10% ~20%. ②安全，環(huán)保。大功率LED 的工作電壓為3 ~4 V 的直流電，因而沒(méi)有電磁干擾。LED 產(chǎn)生的廢棄物可回收，無(wú)污染，可以安全觸摸，屬于典型的綠色照明光源。 ③壽命長(zhǎng)，可靠性
2019-06-01 15:47:32
OB3398PJP SOP7 600V 12.8W 16.9W OB3398TJP-H SOP7 650V 16.3W 21W OB3398NAP DIP8 600V 11W 18.5W
2020-04-08 11:25:29
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
分析與可靠性檢測(cè)均可按國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)如:ISO/IEC EN/DIN ASTM/EPA 等以及中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。 我們的服務(wù)的兩個(gè)主要特征：一是提高了客戶對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性的技術(shù)把握能力和研發(fā)技術(shù)水平；二是
2009-03-30 15:38:19
`疊層電感磁珠可靠性實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目有哪些？`
2011-10-16 19:34:50
工藝和可靠性。在傳感器的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，嚴(yán)格按汽車電子產(chǎn)品質(zhì)量要求，對(duì)傳感器的封裝及組裝過(guò)程進(jìn)行了系統(tǒng)的分析和測(cè)試，并通過(guò)工藝優(yōu)化極大地提高了傳感器的可靠性能。
2019-07-16 08:00:59
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
操作時(shí)存儲(chǔ)陣列中單元之間的串?dāng)_，提高了可靠性。 圖1 脈沖產(chǎn)生電路波形圖 在sram芯片存儲(chǔ)陣列的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)串?dāng)_問(wèn)題發(fā)生，只需要利用行地址的變化來(lái)生成充電脈沖的電路。仿真結(jié)果表明，該電路功能
2020-05-20 15:24:34
`請(qǐng)問(wèn)如何提高PCB設(shè)計(jì)焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
射頻電路PCB設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于如何減少輻射能力以及如何提高抗干擾能力，合理的布局與布線是設(shè)計(jì)時(shí)頻電路PCB的保證。文中所述方法有利于提高射頻電路PCB設(shè)計(jì)的可靠性，解決好電磁干擾問(wèn)題，進(jìn)而達(dá)到電磁兼容的目的。
2021-04-25 06:16:26
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
總裝工藝和與線纜的端接工藝等也都十分重要。以前鍍金接觸件大多都是采用手工鍍金，很容易出現(xiàn)個(gè)別插孔內(nèi)壁局部沒(méi)有膜層，呈現(xiàn)氧化色，為了解決這一問(wèn)題，采用了超聲波鍍金，提高了其接觸的可靠性。 三、生產(chǎn)工藝
2017-08-01 17:14:15
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
`請(qǐng)問(wèn)如何通過(guò)PCB設(shè)計(jì)提高焊接的可靠性？`
2020-03-30 16:02:37
如何提高和保證該產(chǎn)品的固有可靠性和使用可靠性。隨著時(shí)間的推移、科技的不斷發(fā)展，經(jīng)實(shí)踐的檢驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)積累，設(shè)計(jì)理論、測(cè)量技術(shù)也在不斷更新完善，早期設(shè)計(jì)的缺陷和局限性也會(huì)逐漸暴露出來(lái)，因此，需要采用新概念
2019-07-10 08:04:30
。因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2021-01-25 07:13:16
，只有當(dāng)任一輸入變?yōu)榈碗娖剑敵霾艜?huì)恢復(fù)至跟隨輸入的正常狀態(tài)。NSD1224的互鎖功能，有效避免了因輸入信號(hào)干擾造成的橋臂直通問(wèn)題，提高了系統(tǒng)可靠性。
NSD1224互鎖功能測(cè)試波形
輸入耐負(fù)壓能力
2023-06-27 15:14:07
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
各位大大，最近在做雙向逆變，想問(wèn)一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過(guò)600V嗎，有人說(shuō)高頻變壓器可以升壓超過(guò)原來(lái)高壓側(cè)輸入的電壓，請(qǐng)問(wèn)有懂這個(gè)的能說(shuō)一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過(guò)2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
，封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素。基本半導(dǎo)體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。目前碳化硅二級(jí)管產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101測(cè)試，工業(yè)級(jí)1200V碳化硅MOSFET也在進(jìn)行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
，其U6773S IC特點(diǎn)：1.原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET2.自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度3.多模式PSR 控制提高可靠性和效率4.內(nèi)置軟啟動(dòng)，超低啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)銀
2018-06-22 09:52:32
提高了50V，達(dá)到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對(duì)于600V IGBT3的改進(jìn)：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動(dòng)態(tài)特性
2018-12-07 10:16:11
的改進(jìn)，新器件的可靠性也在不斷增強(qiáng)。例如，先進(jìn)的封裝設(shè)備和材料與近期改進(jìn)的塑封注入技術(shù)相結(jié)合，有助于降低器件的潮濕敏感度，并改善塑封對(duì)裸片的連接，這是采用無(wú)鉛焊接材料增加峰值焊接溫度所要考慮的重要因素
2018-08-31 11:23:15
，AH8696還具有多重保護(hù)功能，如過(guò)壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)等，能夠及時(shí)切斷電源，確保設(shè)備和電源的安全。這些保護(hù)功能有效提高了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性，延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。
芯片參數(shù)：
?集成
2024-03-12 14:25:14
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹(shù)立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過(guò)程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
（800V）【低噪聲SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*開(kāi)發(fā)中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級(jí)整流器。
2011-04-01 09:36:43782 里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)點(diǎn)。
2014-10-09 12:59:191468 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14746 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供
2017-02-10 15:10:111667 作的新系列HI-TMP? 鉭殼密封液鉭電容器---T34。T34系列軸向引線通孔器件具有更高的可靠性，提高了耐機(jī)械沖擊和耐振動(dòng)的能力，使用壽命更長(zhǎng)，可用于工業(yè)和石油勘探應(yīng)用。
2018-01-12 22:32:01670 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列繞線噪聲抑制電阻--- NSR-HP。該電阻提高了電壓性能和可靠性，可用于往復(fù)式發(fā)動(dòng)機(jī)中的汽車點(diǎn)火系統(tǒng)。
2018-01-25 10:04:078513 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 在高溫下，溫度系數(shù)會(huì)顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級(jí)的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時(shí)，溫度系數(shù)會(huì)讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無(wú)引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
高精度(±1°C)溫度傳感器提高了系統(tǒng)性能和可靠性
2021-05-27 09:56:09
2 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11944 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 Wolfspeed 新款車規(guī)級(jí) E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計(jì)人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21917 帶抽頭電感的離線降壓轉(zhuǎn)換器提高了性能
2022-11-14 21:08:211 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:09:541 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:33:490 MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:02365 3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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