Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經十億個周期測試的可靠重復雪崩性能。

雙MOSFET器件通過節省空間、減少器件數量和提高可靠性，簡化汽車電磁閥控制電路。

半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天發布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET （ASFET）產品組合，重點關注動力系統應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。

在汽車動力總成中的電磁閥和執行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關斷期間來自感性負載電流的能量。這種設計與主動鉗位方案的效率相當，能夠消除對于二極管和其他器件的需求，從而最大程度地減少器件數量并降低電路復雜性。此外，這種設計還能支持更快的關斷時間，進而提高電磁閥和繼電器等機電器件的可靠性。通常來講，這種設計只能使用基于陳舊平面技術的器件。Nexperia汽車重復雪崩ASFET產品系列專為解決此問題而開發，能夠提供經過十億個周期測試的可靠重復雪崩功能。 此外，與升壓拓撲相比，這一產品系列可以減少多達15個板載器件，將器件管腳尺寸效率提高多達30%，從而簡化設計。

新的MOSFET在175°C時完全符合AEC-Q101汽車標準，提供40 V和60 V選項，典型RDS（ON）額定值為12.5mΩ至55mΩ。所有器件均采用公司節省空間的LFPAK56D（雙通道Power-SO8）銅夾片封裝技術。該封裝堅固可靠，配備鷗翼引腳，實現出色的板級可靠性，并兼容自動光學檢查（AOI），提供出色的可制造性。

Nexperia產品經理Richard Ogden解釋說：“通常，希望實現重復雪崩拓撲的工程師不得不依賴基于陳舊平面半導體技術的器件。通過在更高性能硅結構的基礎上，提供具有可靠重復雪崩功能的汽車級器件，就能增加利用其功能優勢而設計的動力總成數量。”

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Nexperia于2020年初推出了專用FET （ASFET）系列，旨在滿足業界對于最大化性能的需求。ASFET的MOSFET參數針對特定應用進行了優化。通過專注于特定的應用，可實現顯著的改進。其他ASFET系列適用于熱插拔、以太網供電（PoE）、電池保護和電機控制應用。