過(guò)度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會(huì)導(dǎo)致表面粗糙。當(dāng)硅表面在HF過(guò)程中暴露于OH離子時(shí)，硅表面可能會(huì)變得粗糙....

等離子體蝕刻機(jī)需要與濕法蝕刻相同的元素：化學(xué)蝕刻劑和能量源。從物理上講，等離子體蝕刻機(jī)由室、真空系統(tǒng)....

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過(guò)程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕....

下圖列出了一個(gè)11步工藝，如第5章所示。典型的站點(diǎn)良率列在第3列，累積良率列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品，....

在晶圓制造良率部分討論的工藝變化會(huì)影響晶圓分選良率。在制造區(qū)域，通過(guò)抽樣檢查和測(cè)量技術(shù)檢測(cè)工藝變化。....

制造后，晶圓被送到晶圓分選測(cè)試儀。在測(cè)試期間，每個(gè)芯片都會(huì)進(jìn)行電氣測(cè)試，以檢查設(shè)備規(guī)范和功能。每個(gè)電....

硅晶圓相對(duì)容易處理，并且良好的實(shí)踐和自動(dòng)設(shè)備已將晶圓斷裂降至低水平。然而，砷化鎵晶圓并不是那么堅(jiān)韌，....

晶圓實(shí)際被加工的時(shí)間可以以天為單位來(lái)衡量。但由于在工藝站點(diǎn)的排隊(duì)以及由于工藝問(wèn)題導(dǎo)致的臨時(shí)減速，晶圓....

晶圓制造和封裝是一個(gè)極其漫長(zhǎng)和復(fù)雜的過(guò)程，涉及數(shù)百個(gè)要求嚴(yán)格的步驟。這些步驟從未每次都完美執(zhí)行，污染....

有許多單獨(dú)的模式處理步驟，這些處理步驟標(biāo)識(shí)了器件的數(shù)量、器件的具體結(jié)構(gòu)，器件中堆疊層的組合方式，并且....

電路設(shè)計(jì)是制造微芯片的第一步。電路設(shè)計(jì)人員首先會(huì)從設(shè)計(jì)電路的單元功能圖開(kāi)始，如邏輯圖中所示的這樣。

下圖中描述了一個(gè)中等規(guī)模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平，以便一些表面細(xì)節(jié)可以看....

在本章當(dāng)中，我們將為大家介紹硅片制造中使用的四種基本工藝，這四種基本工藝常用于在晶圓片表面上加工集成....

最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合，這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事....

一旦晶體在切割塊上被定向了，我們就可以沿著切割塊的這一根軸線打磨出一個(gè)平面或缺口(具體可以見(jiàn)下圖所示....

在晶體生長(zhǎng)的過(guò)程中，由于某些條件的引入將會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)缺陷的生成。

浮區(qū)晶體生長(zhǎng)是本文所解釋的幾個(gè)過(guò)程之一，這項(xiàng)關(guān)鍵性的技術(shù)是在歷史早期發(fā)展起來(lái)的技術(shù)，至今仍用于特殊用....

我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來(lái)形成的。

晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個(gè)晶胞的特定的點(diǎn)上。

在接下來(lái)的一個(gè)章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導(dǎo)體級(jí)硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉(zhuǎn)化為晶體和晶圓片....

另一個(gè)重要方面是壓力。壓強(qiáng)，作為一種物質(zhì)的基本性質(zhì)，通常是用于液體和氣體物質(zhì)狀態(tài)的描述量。

書接上節(jié)，常見(jiàn)的物質(zhì)的第四種自然狀態(tài)是等離子體狀態(tài)。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態(tài)的一個(gè)例子。....

當(dāng)我們想要描述一個(gè)原子的結(jié)構(gòu)時(shí)，每次繪制下圖所示的這樣的圖表時(shí)都不是非常的方便。更常見(jiàn)的做法是寫出分....

硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過(guò)程中，硅原子伸展到與SI/Ge原子對(duì)齊，使硅層染色。電....

盡管有這些優(yōu)點(diǎn)，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材....

鍺和硅是兩種基本的半導(dǎo)體。世界上第一個(gè)晶體管是由鍺材料制成的，作為固態(tài)電路時(shí)代的最初的一個(gè)標(biāo)志。

以同樣的方式理解p型材料(如下圖所示)。不同之處在于，只有元素周期表第三列的硼被用來(lái)使p型的硅摻雜。....

本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時(shí)是無(wú)用的，因?yàn)樗鼪](méi)有自由移動(dòng)的電子或者空穴，所以不能導(dǎo)電。

本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時(shí)是無(wú)用的，因?yàn)樗鼪](méi)有自由移動(dòng)的電子或者空穴，所以不能導(dǎo)電。然而，通....

許多材料的一個(gè)重要特性是導(dǎo)電能力(即:支持電流流動(dòng)的能力)。電流就是流動(dòng)的電子。導(dǎo)電發(fā)生在元件和材料....