我們現在知道，一般的原子和物質材料的結構組成比玻爾模型復雜得多，質子和中子也可以進一步細分為更小的部....
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FindRF 發表于 11-06 09:31
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半導體材料具有一些與我們已知的導體、絕緣體完全不同的電學、化學和物理特性，正是由于這些特點，使得半導....
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FindRF 發表于 11-03 10:24
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半導體產業在20世紀80年代開始于美國和歐洲，并且長期維持主導地位，并逐漸的變為一個全球性的產業。
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FindRF 發表于 10-30 11:22
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在之前眾多技術的量變積累之上，終于觸發質變效應，仙童半導體公司引入了平面化技術，將之前的這些點技術集....
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FindRF 發表于 10-27 11:23
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固態器件的制造分為以下五個不同的階段(如下圖所示
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FindRF 發表于 10-20 09:41
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減小特征尺寸和隨之可以逐漸增加的電路集成密度有幾個好處。在電路性能水平上，有一個顯著的優點就是可以增....
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FindRF 發表于 10-13 16:10
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有人猜測芯片密度可能會超過摩爾定律的預測。佐治亞理工學院的微系統封裝研究指出，2004年每平方厘米約....
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FindRF 發表于 10-08 15:54
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上回我們講到了在1959年，杰克·基爾比在半導體材料鍺上面制作出了世界上第一個集成電路芯片，標志著半....
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FindRF 發表于 10-07 14:54
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書接上回。我們提到了真空管的誕生催生了集成電路行業的發展，但是最初的真空管由于其體積較大、壽命較短、....
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FindRF 發表于 09-24 14:46
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在本節中，我們將逐一闡述半導體發展的歷史性產品和世界主流半導體制程的代際演進過程。從半導體主要制造階....
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FindRF 發表于 09-22 10:35
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閃存芯片是非揮發存儲芯片，廣泛用于電子產品，特別是如數碼相機、MP3播放器、手機、全球定位系統(GP....
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FindRF 發表于 09-11 09:32
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在下面的圖中較為詳細的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示....
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FindRF 發表于 09-04 09:32
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內存芯片在驅動ic市場和ic技術發展方面發揮了重要作用。市場上兩個主要的內存產品分別是DRAM和NA....
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FindRF 發表于 09-01 09:43
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摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩定性也不盡相同，還與物質的具體結構有關，舉個例子來說，NiPtSi，比N....
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FindRF 發表于 08-27 09:18
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下圖(a)中的沉積塊狀層是必需的，這是為了SEG可以生長在設計的區域。下圖(c)顯示了KOH硅刻蝕，....
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FindRF 發表于 08-25 09:50
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? 三、 無源器件的大功率實時測量方法 無源器件的大功率性能可以通過其在大功率條件下S參數的變化量來....
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FindRF 發表于 08-21 09:29
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對于先通孔的過程，首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(ILD)、低k電介質、溝槽ESL、低k....
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FindRF 發表于 08-14 10:22
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使用重離子可以形成源/漏擴展(SDE)淺結(見下圖),通常PMOSSDE使用BF；,而NMOSSDE....
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FindRF 發表于 08-07 09:41
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所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓，一片晶圓通過高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層，另一片晶圓在硅表....
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FindRF 發表于 08-04 09:52
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有兩個因素影響CMOS集成電路的速度，即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關的時間;互連延遲....
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FindRF 發表于 07-31 10:13
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CMOS集成電路芯片加工技術的幾個主要發展發生在20世紀90年代。
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FindRF 發表于 07-28 10:52
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因為CMOS工藝易于集成化，并且相對較低的電路功耗，所以。個人電腦、互聯網絡和數字革命，強烈推動了對....
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FindRF 發表于 07-24 17:05
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在常規離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結的注入不是B,因為BF2+離子大且重。B10H14,B1....
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FindRF 發表于 07-21 10:18
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如果你是個跑步愛好者，你一定希望在運動過程中實時監測自己的心率，而不是在運動結束后再用秒表來測量心率....
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FindRF 發表于 07-15 09:10
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與高電壓或電流接觸會引起電擊、燒傷、肌肉和神經損傷、心臟麻痹以及死亡。大約1mA的電流通過心臟就可能....
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FindRF 發表于 07-14 10:02
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光電探測量采用脈沖激光照明半導體襯底并產生電子-空穴對。電子-空穴對擴散到傳感器的電極，從而可以檢測....
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FindRF 發表于 07-10 08:56
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摻雜物的種類、結深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機的質譜儀決定，....
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FindRF 發表于 07-07 09:51
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對于許多仍在使用旋轉輪的離子注入設備，大顆粒粒子可能掉落在晶圓表面，這如同一個高速導彈與建筑物的墻壁....
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FindRF 發表于 06-30 10:11
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阱區注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因為它需要形成阱區建立MOS晶體管。NMOS晶體....
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FindRF 發表于 06-09 11:31
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當質譜儀選擇了所需的離子后，離子將進入后段加速區域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區內，離子束電....
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FindRF 發表于 06-04 16:38
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工商網監