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了解半導(dǎo)體封裝2023-11-15 15:28
其實(shí)除了這些傳統(tǒng)的封裝,還有很多隨著半導(dǎo)體發(fā)展新出現(xiàn)的封裝技術(shù),如一系列的先進(jìn)封裝和晶圓級封裝等等。盡管半導(dǎo)體封裝技術(shù)不斷發(fā)展,但仍面臨著一些挑戰(zhàn)。首先,隨著半導(dǎo)體元件尺寸的不斷縮小,封裝過程中的良率和可靠性控制將變得更加困難。其次,隨著新技術(shù)如5G、物聯(lián)網(wǎng)等的快速發(fā)展,對半導(dǎo)體封裝的電性能和熱性能要求也越來越高。最后,如何降低成本并提高生產(chǎn)效率也是未來半導(dǎo) -
優(yōu)先將20nm至90nm的晶片國產(chǎn)化?2023-11-13 14:45
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電動(dòng)汽車中碳化硅器件正在取代硅基功率器件2023-11-10 17:57
這條雄心勃勃的汽車電氣化之路首先需要高壓功率器件。SiC 半導(dǎo)體因其更快的開關(guān)速度以及支持更高的電壓和溫度而被認(rèn)為是一種首選技術(shù),大多電動(dòng)汽車廠商都已經(jīng)有自己關(guān)于SiC的研發(fā)團(tuán)隊(duì)了。隨著全球?qū)ζ囯姎饣耐苿?dòng),這都使得SiC成為2023年及以后值得關(guān)注的技術(shù)。 -
GaN和SiC在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用2023-11-10 17:55
設(shè)計(jì)人員正在尋求先進(jìn)技術(shù),從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導(dǎo)體技術(shù),從而在創(chuàng)新方面邁出下一步。他們尋求用于電動(dòng)汽車 (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。 -
IGBT應(yīng)用:整流器2023-11-10 17:31
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IGCT和IGBT的區(qū)別2023-11-09 14:31
IGCT(集成門極換流晶閘管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是廣泛應(yīng)用于電力電子和電力傳輸?shù)陌雽?dǎo)體器件。雖然它們的用途相似,但它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有明顯的差異。IGCT 和 IGBT 都是電力電子中的關(guān)鍵組件,它們的結(jié)構(gòu)差異、開關(guān)速度、電流和電壓額定值、保護(hù)功能和應(yīng)用領(lǐng)域使它們有所不同。這些差異對于選擇適合特定電源控制和轉(zhuǎn)換要求的適當(dāng)器件至關(guān)重要。 -
碳化硅在電動(dòng)汽車中主要應(yīng)用2023-11-08 14:59
第三代半導(dǎo)體技術(shù)以及碳化硅(SiC)材料,正迅速崛起并且在科技產(chǎn)業(yè)中引起廣泛關(guān)注,這兩個(gè)領(lǐng)域的結(jié)合,為我們帶來了前所未有的機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn),將深刻改變我們的生活方式、產(chǎn)業(yè)發(fā)展,甚至全球經(jīng)濟(jì)格局。 -
敦泰:明年仍保持謹(jǐn)慎態(tài)度2023-11-08 14:55
對于明年,敦泰AMOLED驅(qū)動(dòng)IC計(jì)劃推出第二代產(chǎn)品,并且預(yù)計(jì)有機(jī)會(huì)在明年6月大量上市。此外,還有新的平板TDDI產(chǎn)品即將推出,有望為公司的經(jīng)營帶來新的增長動(dòng)力。 -
英飛凌與現(xiàn)代汽車、起亞汽車簽署了功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議2023-11-07 11:00
英飛凌的功率半導(dǎo)體對電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。這種轉(zhuǎn)型將帶動(dòng)功率半導(dǎo)體市場強(qiáng)勁增長,尤其是基于功能硅材料(如SiC)的半導(dǎo)體市場。通過在馬來西亞居林?jǐn)U建廠房,英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導(dǎo)體廠,進(jìn)一步鞏固其作為高品質(zhì)高產(chǎn)能汽車電子供應(yīng)商的市場領(lǐng)先地位。根據(jù)英飛凌的多地點(diǎn)戰(zhàn)略,居林廠將與奧地利菲拉赫和德國德勒斯登的其他據(jù)點(diǎn)互為補(bǔ)充。