深圳市浮思特科技有限公司文章

• 碳化硅開啟功率半導體的新時代2023-12-01 17:49

  

  隨著電動汽車和充電站對高電壓和在高溫惡劣環境下工作的要求日益加大，碳化硅（SiC）因其制造和包裝成本高昂，推廣初期步履蹣跚。然而情況正在改變，根據PowerAmerica首席技術官Victor Veliadis介紹，目前SiC電力模塊的價格已經與硅基模塊持平，這進一步促進了供應合作以及新的SiC工廠的建造。

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• 中國長鑫存儲自主研發 LPDDR5 完成2023-12-01 17:48

  

  長鑫存儲最近在其官網上宣布，已研發出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列產品。該產品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM)，相比上一代 LPDDR4X，新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%，容量

  DRAM LPDDR5 芯片 長鑫存儲 1267瀏覽量

• 碳化硅的超強性能2023-12-01 17:46

  

  電力半導體的進步并不完全取決于節點尺寸的減小。硅電力開關，如MOSFETs和IGBTs，被設計用來處理12V到+3.3kV的電壓和數百安培的電流。這些開關管理著大量的電力！然而，他們的能力有限，這正推動著新材料如碳化硅（SiC）的開發。在這種材料中，電子開始自由運動需要的能量是普通硅的三倍。這種更寬的帶隙賦予了材料一些有趣的特性，如更快的開關速度和更高的功率

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• 中國TCL集團縮減其芯片設計的野心2023-12-01 17:45

  

  電視面板制造商TCL科技集團有限公司已關閉了一家專門設計顯示驅動芯片的子公司，退出了利潤空間正在縮小的市場領域：位于廣東省的總公司解散了Mooresilicon這個子公司，這是一家擁有不到100人的團隊。這一舉動對TCL科技的整體芯片發展策略影響甚微，公司仍在設計電源芯片。電源芯片是電子系統中控制電流流動的關鍵組件，它們被廣泛應用于從手機到電動車的各種產品中

  TCL 芯片 芯片設計 驅動芯片 968瀏覽量

• LG電子將進軍美國電動車充電市場2023-12-01 14:56

  

  LG電子計劃于2024年發布其首批交流和直流電動車充電站產品線，進軍美國迅速擴張的電動車充電器市場。正如LG商業解決方案美國公司的高級副總裁Nicolas Min所述，該產品線將包括2級和3級電動車(EV)充電器。這一發展將為各市、商業機構和其他公共場所提供新的機會，通過自主運營的充電站助力美國的電氣化進程。

  LG 充電樁 電動汽車 1308瀏覽量

• SiCMOSFET和IGBT在短路時的對比2023-12-01 14:54

  

  基于溝道的硅碳功率金氧半場效應晶體管（MOSFETs）為電力轉換開關設備的性能優化系數（FOM）帶來了顯著提升。這讓系統性能得以凸顯，提高了多種應用的效率和功率密度，并降低了整體系統的成本。

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• 三菱電機與Nexperia共同開啟硅化碳功率半導體開發2023-11-30 16:14

  

  三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結成戰略合作伙伴關系，共同為電力電子市場開發硅碳（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其廣帶隙半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發SiC分立器件。

  LG Nexperia 三菱 半導體 683瀏覽量

• SiC MOS 、IGBT和超結MOS對比2023-11-30 16:12

  

  在經過多年的技術積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強大的擊穿場和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為主導的鍵合部件領域。然而，在當今功率設備的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何種角色？

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• IGBT的廣泛應用：讓生活電器更高效2023-11-29 15:44

  

  作為功率半導體器件的重要成員，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）以其卓越的開關能力和放大特性，在眾多家用電器設備中發揮著至關重要的角色，有效提升能效和性能。例如，在變頻空調、功率放大器以及電動汽車等設備中，通過采用IGBT進行精準的電流和電壓控制，實現了電能的高效轉換，節能并提升設備續航和充電速度，最終為我們的生活帶來了許多便利和舒適。

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• 使用晶體管作為開關2023-11-28 11:15

  

  晶體管作為現代電子技術的核心組件之一，尤其是雙極結型晶體管（BJT），在眾多應用中扮演著開關的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關，并闡明其在切斷區和飽和區的工作原理。

  MOSFET 晶體管 電子技術 1911瀏覽量