英飛凌工業半導體文章

• 第三屆電力電子科普作品創作大賽啟航2024-11-24 01:01

  

  電力電子技術，這一在新能源發電、輸配電及高效用電領域扮演著舉足輕重角色的科技力量，已悄然滲透至我們生活的各個層面。它憑借高效的功率變換技術，不僅推動了生產活動的綠色節能轉型，更讓我們的生活變得更加舒適便捷，出行方式也更加環保無憂。然而，這位在幕后默默奉獻的英雄——電力電子技術，卻往往不為廣大公眾所熟知。身為電力電子行業的耕耘者，你是否曾夢想過以通俗易懂的語言

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• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝2024-11-23 01:04

  

  新品CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-44引腳封裝，以第1代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiCMOSFET第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常

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• 功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容2024-11-19 01:01

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。熱容熱容Cth像熱阻Rth一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結構。熱容和電容，都是描述儲

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• 第二屆電力電子創作大賽圓滿收官，優秀作品連連看！2024-11-17 01:02

  

  在新能源發電、輸配電及高效用電領域，電力電子技術默默扮演著舉足輕重的角色，卻常隱于幕后，不為公眾所廣泛認知。為揭開這位科技巨擘的神秘面紗，中國電源學會科普工委與英飛凌科技（中國）有限公司共同主辦第二屆電力電子創作大賽，旨在深化公眾對電力電子技術的認識與理解。自今年4月盛大啟幕以來，大賽吸引了社會各界的廣泛關注與積極參與。參賽陣容橫跨學生、工程師、電力電子領域

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• 新品 | 16A 230 VAC或350 VDC交直流固態斷路器參考設計板2024-11-16 01:04

  

  新品16A230VAC或350VDC交直流固態斷路器參考設計板REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A固態斷路器(SSCB)套件用于快速評估交流和直流斷路器，帶交互式圖形用戶界面。該套件包含兩塊電路板，支持230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流，自然冷卻，采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式散熱器。它可支持不同的SSCB應用場景

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• 新品 | D²PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP™的IGBT7系列2024-11-14 01:03

  

  新品D²PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D²PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D²PAK和DPAK封裝（TO263-3和TO252-3），提供3A至15A的額定電流產品。是替代西門子SG***N120系列老型號的理想之選，提供兼容升級。產品型號：■IG

  封裝 芯片 額定電壓 794瀏覽量

• 功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法2024-11-12 01:04

  

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發現單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上

  功率半導體 功率器件 熱設計 芯片 1611瀏覽量

• 新品 | 符合AQG324標準的車載充電用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模塊2024-11-08 01:03

  

  新品符合AQG324標準的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標準的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個集成的直流緩沖器Snubber電路。完美的性價比組合，適用于車載充電器和電動汽車輔助系統應用。產品型號：■F4-35MR07W1D7S8_B11/A產品特點高度可靠的壓接式針腳預涂

  CoolMOS 充電 車載 623瀏覽量

• 英飛凌再次榮膺2024年全球電子產品獎，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目2024-11-07 08:03

  

  11月5日，英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis

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• 功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法2024-11-05 08:02

  

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂

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