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發布了文章 2022-03-24 18:29
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發布了文章 2022-03-24 16:57
９.２.３ 開關特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.２.３開關特性９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK720527瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-24 16:55
10.1.6 磁阻式隨機存儲器∈《集成電路產業全書》
MagnetoresistiveRandomAccessMemory（MRAM）審稿人：北京大學蔡一茂王宗巍https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MC352瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-22 03:01
９.２.２ 阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.２.２阻斷電壓壓關系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK387瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-22 01:05
10.1.5 負柵電容晶體管∈《集成電路產業全書》
NegativeCapativeMOSFET(NC-MOSFET)審稿人：北京大學蔡一茂喻志臻https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTM459瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-21 01:05
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發布了文章 2022-03-21 01:04
10.1.4 自旋場效應晶體管∈《集成電路產業全書》
SpinField-effectTransistor撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代A282瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-20 01:06
10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產業全書》
ImpactIonizationMOS撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型548瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-19 01:07
９.１.１０阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.１.１０阻斷電壓９.１雙極結型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V310瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-19 01:06
10.1.2 隧道場效應晶體管(TFET)∈《集成電路產業全書》
TunnelingField-effectTransistor撰稿人：清華大學許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.1非傳統新結構器件第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAP804瀏覽量