2010年,愛爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國(guó)際
發(fā)表于 05-19 16:08
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當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
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FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu),旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管
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隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
發(fā)表于 01-24 10:03
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朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個(gè)想法早在近20年前,即朱利葉斯·埃德加·利利恩
發(fā)表于 01-23 09:42
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱JFET)和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱N溝道
發(fā)表于 10-07 17:28
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱JFET)是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其工作原理和特性對(duì)于理解其在電子電路中的應(yīng)用至關(guān)重要。以下將詳細(xì)闡述JFET的工作原理和特
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在選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)時(shí),需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的指南,包括關(guān)鍵步驟、考慮因素以及具體的應(yīng)用建議。
發(fā)表于 09-23 18:18
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鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù),其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對(duì)半導(dǎo)體通道電流的調(diào)控。
發(fā)表于 09-13 14:14
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對(duì)輸出信號(hào)的控制。JFET具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作頻率高、功耗低、易于集成等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于高頻電路、開關(guān)電源、功率放大器等電子系統(tǒng)中。以下是對(duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的詳細(xì)解析。
發(fā)表于 08-15 16:41
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱BJT,也稱雙極性結(jié)型晶體管)是兩種常見的半導(dǎo)體
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),在電子技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 一
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氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管是當(dāng)今電力電子領(lǐng)域的明星,它正在提高功率轉(zhuǎn)換效率、電機(jī)控制和功率密度,有效滿足當(dāng)前的市場(chǎng)需求和趨勢(shì)。
發(fā)表于 07-05 09:20
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評(píng)論