動態
-
發布了文章 2022-04-08 01:07
-
發布了文章 2022-04-07 03:02
10.1.6 浮空場環(FFR)終端∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.1.6浮空場環(FFR)終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN979瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-07 01:07
10.3.2 石墨烯(Graphene)∈《集成電路產業全書》
Graphene審稿人:北京大學傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、G479瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-06 02:02
10.1.5 節終端擴展(JTE)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.1.5節終端擴展(JTE)10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6829瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-06 00:44
10.3.1 金剛石(Diamond)∈《集成電路產業全書》
Diamond審稿人:北京大學傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GD499瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-05 01:10
-
發布了文章 2022-04-05 01:07
-
發布了文章 2022-04-04 01:10
10.1.3 溝槽邊緣終端∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.1.3溝槽邊緣終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、501瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-04 01:07
10.2.7 非易失性邏輯集成電路∈《集成電路產業全書》
NonvolatileLogicIntegratedCircuit審稿人:清華大學劉勇攀https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP658瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-03 01:10
10.1.2 二維電場集中和結的曲率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.1.2二維電場集中和結的曲率10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN390瀏覽量