10.1.2 隧道場效應晶體管(TFET)∈《集成電路產業全書》
Tunneling Field-effect Transistor
撰稿人：清華大學 許軍 梁仁榮
https://www.tsinghua.edu.cn
審稿人：北京大學 張興 蔡一茂
https://www.pku.edu.cn
10.1 非傳統新結構器件
第10章 集成電路基礎研究與前沿技術發展
《集成電路產業全書》下冊
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
77文章
9975瀏覽量
140564
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
無結場效應晶體管器件的發展歷程
2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管，器件結構如圖1.15所示。從此，半導體界興起了一股研究無結場效應晶體管的熱潮，每年的國際
無結場效應晶體管詳解
當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結，MOSFET也是如此。結型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結，隧道
鰭式場效應晶體管制造工藝流程
FinFET(鰭式場效應晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進的晶體管架構，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統的平面晶體管
互補場效應晶體管的結構和作用
隨著半導體技術不斷逼近物理極限，傳統的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環繞柵或圍柵（GAA
一文解析現代場效應晶體管(FET)的發明先驅
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應晶體管奠定了理論基礎。 雖然第一個工作的場效應晶體管（FET）直到1945年才出現，但這個想法早在近20年前，即朱利葉斯·埃德加·利利恩
N通道和P通道場效應晶體管(FET)之間的區別是什么?
晶體管是現代電子電路中至關重要的半導體器件。它們可以執行兩種主要功能。首先，作為其真空管前身三極管，晶體管可以放大電信號。其次，晶體管可以作
結型場效應晶體管和N溝道場效應晶體管有什么區別
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）和N溝道場效應晶體管（N-Channel Field-Effect Transistor，簡稱N溝道
結型場效應晶體管的工作原理和特性
結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應原理工作的三端有源器件，其工作原理和特性對于理解其在電子電路中的應用至關重要。以下將詳細闡述JFET的工作原理和特
如何選擇場效應晶體管
在選擇場效應晶體管（FET）時，需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應用需求，同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應晶體管的指南，包括關鍵步驟、考慮因素以及具體的應用建議。
什么是結型場效應晶體管
對輸出信號的控制。JFET具有結構簡單、工作頻率高、功耗低、易于集成等優點，被廣泛應用于高頻電路、開關電源、功率放大器等電子系統中。以下是對結型場效應晶體管的詳細解析。
場效應晶體管和雙極性晶體管有什么區別
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）和雙極性晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT，也稱雙極性結型晶體管）是兩種常見的半導體
場效應晶體管利用什么原理控制
場效應晶體管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等優點，在電子技術領域得到了廣泛的應用。 一
瑞薩電子氮化鎵場效應晶體管的優勢
氮化鎵場效應晶體管是當今電力電子領域的明星，它正在提高功率轉換效率、電機控制和功率密度，有效滿足當前的市場需求和趨勢。
工商網監
評論