新思科技近日宣布與GLOBALFOUNDRIES (GF)合作,針對GF的12納米領先性能(12LP) FinFET工藝技術,開發覆蓋面廣泛的DesignWare? IP組合,包括多協議25G、USB 3.0和2.0、PCI Express? 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC轉換器。
新思科技基于GF 12LP工藝的DesignWare IP使設計人員能夠借助GF的12LP技術,在其人工智能(AI)、云計算、移動和消費片上系統(SoC)中實現最新的接口和模擬IP解決方案。與前幾代FinFET相比,12LP技術在邏輯密度上提高了10%,性能提高了15%以上。基于兩家公司長期伙伴關系,雙方已聯手開發出針對GF從180納米到12納米工藝的DesignWare IP。
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原文標題:新思科技發布針對GLOBALFOUNDRIES 12LP FinFET工藝的廣泛DesignWare IP組合
文章出處:【微信號:Synopsys_CN,微信公眾號:新思科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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