臺積電和三星電子（Samsung Electronics）又隔空火拼了起來。

三星宣布已完成 5nm FinFET 技術的開發，并宣稱有能力為客戶提供樣品，更透露第一個 6nm 客戶已進入流片。此舉激得臺積電也在傍晚公開全新 6nm (N6) 技術一事，宣布在 2020 年首季試產，這是臺積電首次對外公開 6nm 的信息。

4 月 16 日，三星宣布的一連串技術進展，信息量龐大：

首先，三星宣布其基于 EUV 光刻技術的 5nm FinFET 工藝技術完成開發，且距離 2018 年 10 月在 7nm 工藝中導入 EUV 技術，僅相隔六個月，其 5nm 相比 7nm 減少 25％的面積，以及提升 10％性能，并帶來 20％的功耗降低。

三星也首度透露，其 5nm 芯片是采用 Smart Diffusion Break (SDB) 晶體管設計架構。

三星強調，即將來臨的 5G、人工智能、Connected＆Automotive、機器人等技術，是第四次工業革命的催化劑，而為了降低成本，半導體 5nm 工藝技術的發展成果至關重要。

三星進一步表示，會將 7nm 的知識產權（IP）也用在 5nm 上，讓 7nm 客戶在過渡到 5nm 的過程中，不但可以降低成本，預先進行生態系統的驗證和設計，進而縮短 5nm 工藝產品的開發時間。

除了 5nm 的進度，三星也宣布第一個 6nm 客戶進入流片，也是基于 EUV 技術的開發。

這一連串的技術信息量釋出，似乎”激怒“了臺積電，也在同日傍晚第一次對外宣布 6nm 技術的問世。

臺積電表示，正式宣布推出 6nm(N6) 工藝技術，以大幅強化目前已經領先業界的 7nm (N7) 技術，協助客戶在效能與成本之間取得高度競爭優勢，同時 N7 技術設計的直接移轉，達到加速產品上市目標。

臺積電表示，6nm(N6) 技術的邏輯密度較 7nm (N7) 增加 18%，且設計法則與 7nm 技術完全相容，優勢是使得 7nm 完備的設計生態系統能夠被再使用，等于是提供 6nm 客戶一個具備快速設計周期，且只需使用非常有限的工程資源，就可以無縫升級的路徑。

臺積電預計 6nm 將于 2020 年第一季進入試產，延續 7nm 家族在功耗及效能上的全球領先地位，產品應用包括高階到中階行動產品、消費性應用、人工智慧、網通、5G 基礎架構、繪圖處理器和高效能運算。

以前臺積電的傳統都是”先做再說“，沒做成的事就不會說，但遇到三星這個總是”先說再做“不按牌理出牌的強大競爭對手，逼得要在技術宣傳上懂得”耍花招“。

為什么說是”耍花招“？因為三星進入 28nm 工藝節點后，把很多微縮技術的工藝節點，都取一個全新的命名，很早就喊出 10nm、8nm、7nm、6nm、5nm、3nm 等技術，帶動這種在技術宣傳上花招百出的行銷宣傳手法，逼著很多半導體大廠跟進。

另一方面，也是摩爾定律的瓶頸越來越近，要轉進一個全新的技術節點難度越來越高，需要的時間越來越長，因此，這中間的醞釀期，不如就把一些微縮技術節點”包裝“成一個嶄新的技術，一方面可以達到行銷宣傳的效果，另一方面，也是說服客戶買單的手法。

臺積電、三星一路從 10nm 打到 7nm，但最后臺積電的 7nm 已經量產，且拿下全球眾多大客戶，但三星自己的處理器都沒使用自家 7nm，短期內三星 7nm 要超前臺積電已是不可能，因此，三星現在把宣傳戰延續至 6nm、5nm 的策略，很有其一貫風格，只是把臺積電也逼得公開新技術的計劃，再度引發濃濃火藥味。

臺積電（TSMC）著手進行6納米制程。這是繼發布5納米工程設計計劃后的進一步細微制程的事業拓展規劃。為了在半導體代工行業搶先占領微細工程的“納米戰爭”進入白熱化階段。。

17日根據業界資訊，TSMC近日以7納米EUV制程風險試產(risk production)中獲得的技術為基礎，確保了6納米工程。風險試產一般指從客戶拿到認可前進行的示范性稼動，是進入量產前的一個環節。TSMC說明6納米制程的直接電路密度比7納米制程高出18%，即為6納米并不需要額外的設計Infra。TSMC表示，與7納米制程的工程設計方式兼容、可利用公司已有的設計Infra。TSMC相關人士表示，可以以最小的資源變更，為客戶帶來更高的利潤。

6納米的風險試產預計在2020年1季度進行。TSMC還表示，未來6納米制程將會應用于AI、5G Infra、GPU、高配置電腦等產品的制作。

近日，TSMC、三星電子等半導體代工廠對于細微工程的競爭十分火熱。在TSMC發布配置了5納米制程設計Infra后三星電子也隨后發布完成5納米制程，并計劃本月中推出7納米制程產品，三星電子還計劃到明年開發出3納米制程技術。

三星電子對排名第一的TSMC造成的威脅十足。三星電子今年1季度半導體代工市占率為19.1%，相比去年上半年的7.4% 上漲了12%。相反TSMC的去年上半年市占率為56.1%，而今年1季度則下跌8%至48.1%。

2019年4月18日，臺積電召開2019年Q1法說會。前期受光阻原料事件和經濟不佳帶來的需求減弱等因素影響，公司調低了1Q19指引。而本次法說會披露業績為：1Q19營收70.96億美元，同比下降16.23%，毛利率為41.32％，同比下降9.01個百分點，符合更新后指引。

光阻原料事件影響了公司一季度16nm等先進制程的營收。但預計受影響晶圓將于二季度補齊，公司預計Q2營業收入 75.5-76.5億美元，中值同比降3.00%，毛利率43-45%，同比下降3.8個百分點。無論營收亦或毛利率水平下降幅度均有顯著收斂。公司認為周期底部已過，客戶正加速消化庫存，維持前期全年營收微幅增長的預期。

我們認為臺積電后續Q3，Q4營收增速將逐季加速，預計Q3營收90億美元，同比增長6%，Q4營收10.8億美元，同比增長15.34%。

但值得注意的是，公司庫存水位仍有明顯增加，19Q1庫存35.25億美元，同比增長27.5%，環比增長5.3%。

1、2019年一季度臺積電業績符合預期

2019年Q1，臺積電營收70.96億美元，位于更新后營收指引70-71億美元的中值偏上。營收同比下降16.23%，環比亦有24.49%的下降，主要是由于全球經濟狀況不佳抑制了終端市場需求，客戶庫存調整，高端智能手機季節性出貨不佳以及光阻原料事件的影響。

報告期內，公司毛利率為41.32％，位于更新后的41%-43％的指引中值偏下。毛利率同比下降9.01個百分點，環比下降5.45個百分點，主要原因是產能利用率的下降和光阻原料事件的影響。營業利潤率為29.38%。同比下降9.65個百分點，環比下降7.18個百分點。

2、光阻原料事件影響先進制程營收

分業務表現來看，公司有四大業務板塊，包括計算機，通信，消費和工業。

2019年Q1營收絕大部分仍由通信業務貢獻，占比62%。

其中，計算機，通信，消費和工業類營收分別下降31％，27％，10％和16％。而此前2018年報法說會中，公司預計1Q19消費類業務營收微增，其余業務下滑。

公司不同業務板塊對應的下游市場分別為：

計算機業務：超95%業務來自于高效能運算（HPC）

通信業務：約三分之二業務來自智能機

消費電子業務：主要業務為高效能運算（HPC）和消費性電子業務

工業業務：HPC及智能機業務各占30%。

從制程營收結構來看，7nm在1Q19中占晶圓總收入的22％，環比持平。10nm貢獻了4％，環比下降2.3個百分點，而16nm工藝技術占16％，環比下降4個百分點。1Q19，先進制程（16納米及以下）營收占總收入的42％，環比下降7個百分點。先進制程營收占比下降的主要原因是：14B廠受光阻原料事件影響，其部分12、16 nm制程晶圓報廢。

3、2019年2季度指引積極，公司認為已經度過周期底部

由于受光阻原料事件的影響，1Q19業績不佳，但報廢的晶圓將在二季度補齊。這將為2Q19營收貢獻約5.50億美元。公司展望2019年Q2，營業收入 75.5-76.5億美元，中值同比降3.00%，環比上升7.10%；毛利率43-45%，同比下降3.8個百分點。無論營收亦或毛利率水平下降幅度均有顯著收斂。公司認為周期底部已過，客戶正加速消化庫存，維持前期全年營收微幅增長的預期。

我們認為臺積電后續Q3，Q4營收增速將逐季加速，預計Q3營收90億美元，同比增長6%，Q4營收10.8億美元，同比增長15.34%。

分下游市場來看，公司認為全年智能機相關業務將有高個位數增長，主要來自市占率的提升（招商電子注：高通從三星轉單臺積電），HPC全年也將有高個位數增長，IOT業務增速最快，將貢獻10以上的增速。

公司維持2019年資本支出100~110億美元的規劃，并將其80%資金投入先進制程(7/5/3nm) 。