三星已將下一代嵌入式半導體存儲器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇，并在韓國器興廠區(qū)率先進入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號稱是“次世代記憶體”，是繼半導體存儲器DRAM和NAND Flash之后又一劃時代的創(chuàng)新存儲器。

由于DRAM和NAND Flash微制成工藝已近乎接近極限，存儲晶圓廠亟需另辟蹊徑，尋求技術(shù)創(chuàng)新迭代，MRAM（磁電阻式隨機存取記憶體）、PRAM(相變化記憶體）和RRAM（電阻式動態(tài)隨機存取記憶體）三大存儲記憶體的出現(xiàn)滿足終端市場需求。

就筆者得知，目前三星和臺積電主攻MRAM記憶體芯片，同時后者兼具RRAM的創(chuàng)新研發(fā)，英特爾（Intel）基于3D XPoint技術(shù)發(fā)力MRAM和PRAM記憶體芯片。

我們再看下三星，據(jù)其表示，該公司的MRAM采用28nm制程工藝，并基于FD-SOI的技術(shù)集成沖壓處理，目前已經(jīng)開始批量生產(chǎn)嵌入式磁性隨機存取內(nèi)存eMRAM。該公司計劃年內(nèi)開始生產(chǎn)1千兆位(Gb）eMRAM測試芯片，繼續(xù)擴展其嵌入式存儲器解決方案。

對于FD-SOI工藝，半導體業(yè)界同行應(yīng)該并不陌生，在全球半導體晶圓市場上，三星、NXP、ST、Cadence等已經(jīng)各自在FD-SOI技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品布局。

那么，為什么三星對MRAM記憶體芯片情有獨鐘？

因為，內(nèi)置MRAM結(jié)合了DRAM和NAND閃存的特性，具備高性能、低功耗和處理速度更快等優(yōu)勢，并具有成本競爭優(yōu)勢，可替換內(nèi)置小型電子產(chǎn)品，如物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備上網(wǎng)使用的NAND閃存。此外，內(nèi)置MRAM記憶體芯片比現(xiàn)有的嵌入式NAND閃存具有更快的數(shù)據(jù)處理能力。

另外據(jù)悉，英特爾的MRAM也已經(jīng)開始投產(chǎn)，采用22nm制成工藝，相關(guān)參數(shù)如下表：

結(jié)論：隨著次世代記憶體芯片MRAM、PRAM和RRAM開始布局市場，32層、64層等的NAND Flash閃存短期影響不大。不過，如未來次世代記憶體技術(shù)步入成熟期，并進入利基市場，其他競品的空間或?qū)芟蕖?/p>