中芯國際2月14日發(fā)布截至2018年12月31日止的2018年Q4財報及2018年全年營收數(shù)據(jù)。因應全球半導體形勢的嚴峻,中芯國際2018年Q4營收較上一季有所下滑,并且預期2019年Q1收入預計為2019年相對低點。
中芯聯(lián)席CEO梁孟松于15日電話會議上表示持續(xù)加碼先進工藝的決心,他表示,中芯國際第一代FinFET14nm技術進入客戶驗證階段,產(chǎn)品可靠度與良率已進一步提升。同時,12nm的工藝開發(fā)也取得突破。
2018營收連續(xù)增長 2019Q1為低點
中芯國際2018年Q4財報顯示,銷售額達到7.876億美元,毛利潤1.34億美元,同比下降9.7%;凈利潤2652萬美元,同比減少44.4%,其中中國區(qū)增長12%。
2018年全年,中芯國際收入33.6億美元,創(chuàng)歷史新高,較2017年成長8.3%,其中中國區(qū)占比達到歷史新高59.1%,比上年增長11.8個百分點;毛利率22.2%,下滑1.7個百分點,凈利潤1.34億美元,減少25.6%。
由于受行業(yè)淡季影響,公司預估2019年第1季銷售收入環(huán)比下滑16%至18%左右;預估毛利率介于20%至22%之間,環(huán)比增加3至5個百分點。
中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍指出:“面對2019年大環(huán)境許多的不確定,我們努力尋求成長機遇;穩(wěn)中帶進,積極開發(fā)客戶,拓展成熟和特色工藝的產(chǎn)品組合和應用范圍,發(fā)掘市場價值機會,為成長儲備力量。”
趙海軍透露,中芯在2019年看好NOR / NAND存儲、面板驅(qū)動IC、CMOS傳感器、電源管理 IC等。他表示,NOR / NAND 存儲產(chǎn)品線受惠新客戶加入,預計營收將倍數(shù)成長,指紋辨識技術會朝 underglass 技術發(fā)展,而需要采用高壓工藝技術的面板驅(qū)動 IC 產(chǎn)品線,今年也會受惠新客戶加入,一起搶占市占率,8吋晶圓廠的需求持續(xù)熱絡到年底,整體客戶組合會以國內(nèi)、國際雙向發(fā)展。
上一季度財報會議時梁孟松表示,2019年下半年,中芯將專注于開發(fā)Cowos以及FinFET,尤其FinFET已經(jīng)上軌道并受到客戶認證,將提供移動與無線客戶,未來14nm將應用于AI、IoT和自駕車等領域,并導入新興市場等區(qū)域。而在此次電話會議上,梁孟松也重申AI、IoT以及自動駕駛的重要性。
中芯先進工藝大進展:14nm量產(chǎn)在即、12nm取得突破
縱觀全球晶圓代工廠,龍頭企業(yè)臺積電已量產(chǎn)7nm,5nm即將登場,三星亦已量產(chǎn)7nm,盡管中芯國際與臺積電等先進工藝落后兩代,但距離正在逐漸縮小——中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松表示,中芯第一代 FinFET 工藝 14 nm 技術已進入客戶驗證階段,產(chǎn)品可靠度與良率已進一步提升。同時,12nm 的工藝開發(fā)也取得突破,下一代的 FinFET 工藝(N+1 FF)也會根據(jù)客戶需求推出。
梁孟松指出,相較于14 nm工藝,12 nm在表現(xiàn)上功耗減少20 %、效能增加10 % 、面積減少20 %,兩個工藝有部分客戶重疊,預計在消費性、中端手機 AP、 wireless connectivity 、 AI 等應用都會有需求。
此外,據(jù)悉中芯國際正準備在2019年批量生產(chǎn)14nm智能手機SoC。整體來看,因應新功能加入包括BCD工藝的charger應用、CMOS、高壓HV、AMOLED驅(qū)動IC等,2019年手機產(chǎn)業(yè)仍會有較多商機。
值得注意的是,梁孟松于15日電話會議上強調(diào),中芯提供全系列IP以及封裝測試服務等,從IC制造到后端封裝、測試“一條龍”服務發(fā)展。
中芯國際于上海建造的高端工藝12吋晶圓廠房“中芯南方”也將進入量產(chǎn)。中芯南方是由大基金、上海集成電路基金、中芯國際三方投資成立合資廠,專門生產(chǎn) 14 nm 以下的高端工藝技術,預計在 2019 年第二季移入機臺設備,年底將開始小量生產(chǎn)。
超前臺積電南京廠 中芯志在必得
事實上,中芯開發(fā)14 nm 以下的高端工藝技術,還有一項重大意義,就是正式超前臺積電在南京的16納米工藝布局,但后續(xù)有待觀察的是,中芯國際能否以良好的良率批量生產(chǎn)FinFET。“隨著FinFET上的知識和工藝模塊配方的增加,中芯國際的開發(fā)只是時間問題,”Gartner的分析師Samuel Wang認為。“上市時間至關重要。如果早一點他們就能成功。如果太遲了,那就有挑戰(zhàn)性了。”
如果中芯國際能夠批量生產(chǎn)14納米FinFET場效應晶體管,并且,進一步向前推進“半世代”工藝12納米,那么將使中芯與競爭對手并駕齊驅(qū),甚至超前,居于國內(nèi)晶圓代工的領先地位。尤其,臺積電受限于登陸投資,工藝卡位在16納米,那么12納米對于中芯而言,就具備地利優(yōu)勢。
事實上,在政策資助下,中芯計劃在一個新12吋廠中開發(fā)更先進的工藝。“中芯國際將獲得100億美元資助以建設14、10和7納米的產(chǎn)能。到2021年第四季度,他們將每月生產(chǎn)7萬片晶圓,”國際商業(yè)戰(zhàn)略首席執(zhí)行官Handel Jones透露。“并且已經(jīng)買了一些非關鍵設備。”中芯國際還面臨一些挑戰(zhàn)。14納米場FinFET效應晶體管開發(fā)已初步有成,但7納米代表了一個重大進展。
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原文標題:新年“第一炮” 中芯超前臺積電南京廠 志在必得
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