在半導體制造中,清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關鍵流程,并在單晶硅片制備階段發揮著重要作用。隨著技術的發展,芯片制程已推進至28nm、14nm乃至更先進節點。
晶圓對微小污染物的敏感性也顯著增強。每一道工序前,晶圓表面都需清除顆粒、有機物、金屬雜質和氧化層等污染物,以確保后續制程的順利進行。以7nm及以下制程工藝為例,若晶圓表面每平方厘米存在超過3個0.5nm粒子,良率可能下降12%-18%。
國產替代提速
破解172nm光源依賴
晶圓表面清洗作為先進制程中的關鍵工序,正朝著高效、低損的方向不斷演進。針對納米級有機污染物,172nm準分子紫外光清洗技術提供了一種非接觸、高精清潔的解決方案,逐漸成為行業應用和技術發展的重點方向。
然而,該技術所依賴的172nm準分子光源長期依靠進口,面臨成本高、供應不穩定、技術封鎖等問題。隨著全球產業鏈重構和供應鏈安全意識提升,國產替代需求愈加迫切。
廣明源/172nm晶圓光清洗方案
高效|非接觸|精細化
該技術通過172nm高能紫外光激發有機物產生自由基,并與氧自由基發生光敏氧化反應,能有效將污染物分解為水和二氧化碳,從而達到原子級潔凈度。
技術優勢
√ 非熱處理
冷光源技術,避免熱應力,適用于熱敏材料。
√ 高效清潔
有效去除納米級有機殘留,提升工藝良率。
√ 穩定性好
長壽命設計,性能穩定可靠。
√ 交付可靠
資深172nm光源及設備制造商,交付有保障。
√ 靈活定制
可根據需求提供定制化方案。
適用領域
√ 半導體晶圓清洗與去膠
√ 光學透鏡清潔
172nm紫外線晶圓光清洗模組
該模組專為晶圓光清洗設計,可高效去除納米級有機污染物和殘留膠質,提升后續鍍膜/鍵合等工藝良率。
1、長壽命設計
陰極材料優化和氣體配比控制,確保2500小時穩定輸出。
2、無損傷處理
冷光源,避免熱應力導致晶圓翹曲。
3、冷卻方式
風冷/水冷可選,根據產線潔凈度要求靈活配置。
推動光清洗設備國產替代
服務高端制造產業
廣明源深耕光科技應用的研發與制造二十多年,專注172nm準分子光源及設備/模組的研發,覆蓋光清洗、光固化、光改性、純水處理等多個關鍵領域。
依托成熟的研發創新、設備設計與定制能力,廣明源可提供從實驗驗證到量產階段所需的核心光部件與解決方案,助力國內高端制造實現自主可控,保障產業鏈安全穩定。
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原文標題:172nm晶圓光清洗方案 助力半導體國產替代
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