存儲器市場正面臨景氣反轉(zhuǎn)的憂慮。日前，外資花旗銀行在一份報(bào)告中表示，2019 年在 NAND Flash 方面將會降價(jià) 45%，而 DRAM 方面則會降價(jià) 30%，這樣的情況至少會持續(xù)到年中。

這雖然對消費(fèi)者來說是件好事，但是對存儲器大廠，尤其是目前市占率排名第一的三星來說卻是個警示。因此，為降低存儲器景氣反轉(zhuǎn)所帶來的沖擊，三星持續(xù)強(qiáng)化在晶圓代工上的發(fā)展，日前更表示要超越臺積電，在 2020 年量產(chǎn) 3 納米技術(shù)。

根據(jù)外媒報(bào)道，日前三星晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 Eun Seung Jung 在國際電子元件會議 （IEDM） 上表示，三星已經(jīng)完成了 3 納米制程技術(shù)的性能驗(yàn)證，并且正在進(jìn)一步完善該制程技術(shù)的情況下，目標(biāo)將是預(yù)計(jì)在 2020 年大規(guī)模量產(chǎn)，而這個時程也將超前臺積電在 2022 年正式量產(chǎn) 3 納米制程技術(shù)的計(jì)劃。

事實(shí)上，在當(dāng)前全球晶圓代工市場上，臺積電已是一家獨(dú)大，占有全球晶圓代工市場大約 60% 的市占率。不僅營收遠(yuǎn)超其他廠商，而且在當(dāng)前最先進(jìn)的 7 納米制程節(jié)點(diǎn)上，幾乎壟斷了目前所有芯片代工訂單。

根據(jù)臺積電早前透露，2018 年流片了 50 多個 7納米芯片，2019 年還有 100 多個 7 納米及加強(qiáng)版 7 納米 + 制程的訂單。因此，競爭對手三星要在 7 納米制程的節(jié)點(diǎn)追趕臺積點(diǎn)難度很高，所以將目光放在了更先進(jìn)的 3 納米制程節(jié)點(diǎn)上。

過去，在晶圓代工方面，三星之前也是有過領(lǐng)先歷史。在包括 32 納米、14納米及 10 納米等制程節(jié)點(diǎn)上都率先量產(chǎn)。不過，7 納米制程節(jié)點(diǎn)上，三星則是進(jìn)度落后臺積電。而且，連自家的 Exynos 9820 處理器也沒有使用上內(nèi)含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程，采用的還是 10 納米制程所改進(jìn)的 8 納米 LPP 制程。雖然，在名稱上聽起來跟 7 納米制程差不多，但實(shí)際上相較華為麒麟 980、蘋果 A12及高通驍龍 855 等新一代旗艦型的處理器，仍落后一世代的技術(shù)。

另外，在當(dāng)前存儲器市場面臨降價(jià)的大環(huán)境下，三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上的重點(diǎn)也開始傾向發(fā)展晶圓代工。2017 年，三星晶圓代工業(yè)務(wù)營收為 46 億美元，而目前三星的目標(biāo)是將營收增加一倍，也就是到 100 億美元以上、不過，要實(shí)現(xiàn)這個目標(biāo)，三星除了斥資 56 億美元興建新的晶圓廠之外，還要在技術(shù)上加把勁，趕超臺積電。

只是，說來容易，做起來恐怕很難。因?yàn)樵?3 納米技術(shù)的節(jié)點(diǎn)上，臺積電除了準(zhǔn)備投資新臺幣 6，000 億元（約 200 億美元）的資金建立新廠房與技術(shù)開發(fā)之外，目前更加緊與各知識產(chǎn)權(quán)廠商的合作，建立生態(tài)體系。

因此，雖然臺積電計(jì)劃在 2020 年建廠，2021 年完成設(shè)備安裝，2022 年才能進(jìn)一步量產(chǎn)，落后于三星預(yù)計(jì)在 2020 年量產(chǎn)的時程。但是，在整體生態(tài)體系的完整建立下，加上制程技術(shù)并非先推出者就有優(yōu)勢，屆時還必須視最后各自的良率表現(xiàn)。因此，三星 3 納米制程是否真能超越臺積電，恐怕還有很多的變數(shù)。