長江存儲投產(chǎn)32層3D NAND，計(jì)劃2020年進(jìn)入128層堆疊
根據(jù)消息報(bào)道，武漢長江存儲有望按計(jì)劃在今年年底投產(chǎn)32層3D NAND，力爭未來幾年實(shí)現(xiàn)30萬片每月的晶圓產(chǎn)能目標(biāo)。
目前世界上存儲器芯片市場主要由美、日、韓主導(dǎo)，是高度壟斷的寡頭市場格局，長江存儲的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。
資料顯示，長江存儲成立于2016年，總投資達(dá)40億美元。依照長江存儲的目標(biāo)，2023年要實(shí)現(xiàn)每月30萬片晶圓的產(chǎn)能，年產(chǎn)值1000億元，快速提升國產(chǎn)自給率。
此外，也有業(yè)界人士透露長江存儲Xtacking?架構(gòu)的64層NAND樣品已經(jīng)送至合作伙伴進(jìn)行測試，讀寫質(zhì)量大致穩(wěn)定，預(yù)計(jì)最快將在2019年第3季投產(chǎn)。長江存儲更計(jì)劃在2020年跳過96層3D NAND，直接進(jìn)入128層堆疊。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1722瀏覽量
138113 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5159瀏覽量
129755 -
存儲
+關(guān)注
關(guān)注
13文章
4531瀏覽量
87428
原文標(biāo)題：長江存儲即將投產(chǎn)！2020年直接上128層3D NAND
文章出處：【微信號：ICCapital，微信公眾號：芯資本】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SK海力士321層4D NAND的誕生
）領(lǐng)域也不斷推進(jìn)技術(shù)革新，強(qiáng)化競爭力。NAND產(chǎn)品的數(shù)據(jù)存儲量取決于單元1（cell）堆疊的高度，而提升堆疊層數(shù)正是競爭力的關(guān)鍵所在。
半導(dǎo)體存儲芯片核心解析
（FTL，磨損均衡，糾錯等），存在讀寫干擾問題。
結(jié)構(gòu)演進(jìn)：
平面 NAND：傳統(tǒng)二維結(jié)構(gòu)，工藝微縮遇到瓶頸。
3D NAND：將存儲單元垂直堆疊
發(fā)表于 06-24 09:09
TechWiz LCD 3D應(yīng)用：局部液晶配向
，并增加Condition層
此層為局部摩擦的層，所以要注意區(qū)域的設(shè)置；
設(shè)置完成后要生成mesh文件
2.2在TechWiz LCD 3D軟件中將Local Mask的頂部以及底部
發(fā)表于 06-16 08:46
TechWiz LCD 3D應(yīng)用：局部液晶配向
，并增加Condition層
此層為局部摩擦的層，所以要注意區(qū)域的設(shè)置；
設(shè)置完成后要生成mesh文件
2.2在TechWiz LCD 3D軟件中將Local Mask的頂部以及底部
發(fā)表于 02-08 08:52
TechWiz LCD 3D應(yīng)用：局部液晶配向
，并增加Condition層
此層為局部摩擦的層，所以要注意區(qū)域的設(shè)置；
設(shè)置完成后要生成mesh文件
2.2在TechWiz LCD 3D軟件中將Local Mask的頂部以及底部
發(fā)表于 01-03 08:58
3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層
芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍，從 200 層增加到 800 層或更多，利用額外的容量將有助于滿足對各種類型內(nèi)存的無休止需求。 這些額外的
【半導(dǎo)體存儲】關(guān)于NAND Flash的一些小知識
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)
發(fā)表于 12-17 17:34
長江存儲否認(rèn)“借殼上市”傳聞
近日，中國領(lǐng)先的存儲芯片制造商長江存儲針對市場上流傳的“借殼上市”傳聞，正式發(fā)表了澄清聲明。 有媒體報(bào)道稱，長江存儲
3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析
傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過在垂直方向上堆疊存儲單元，大幅提升了存儲密
長江存儲正加速轉(zhuǎn)向國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備
面對國際環(huán)境的變化，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)大的韌性與決心。自2022年美國實(shí)施對華先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，并將3D NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)長江
3D堆疊發(fā)展過程中面臨的挑戰(zhàn)
3D堆疊將不斷發(fā)展，以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜和集成的設(shè)備——從平面到立方體
SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報(bào)道，該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊
SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND
近日，韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程，并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時(shí)間表——計(jì)劃在2025年底之前，全面完成高達(dá)400多層堆疊
美光第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開始出貨
知名存儲品牌美光近日正式宣布，搭載其研發(fā)的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世，并已批量上市，成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊
工商網(wǎng)監(jiān)
評論