集成電路上游材料多晶硅片正迎來國產(chǎn)化

近日，國家電投集團黃河水電公司宣布已有能力規(guī)模生產(chǎn)電子級多晶硅，發(fā)展成國內(nèi)唯一一家集成電路應(yīng)用的高純電子級多晶硅生產(chǎn)企業(yè)，打破了國內(nèi)市場長期由國外公司壟斷的格局，經(jīng)第三方權(quán)威檢測機構(gòu)檢測，其產(chǎn)品質(zhì)量與德國、日本知名多晶硅質(zhì)量相當。

在國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展下，集成電路上游材料半導(dǎo)體級硅片一直處于一片難求的狀態(tài)，然而，近日國內(nèi)多個半導(dǎo)體用多晶硅項目的規(guī)劃、落地，正預(yù)示著多晶硅片正迎來國產(chǎn)化。

海外并購助力彎道超車：關(guān)注泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游頭部公司

9月11日，日本半導(dǎo)體廠商瑞薩電子（Renesas）宣布，將以67億美元的總額收購美國半導(dǎo)體廠商Integrated Device Technology（IDT），以提升其在自動駕駛汽車技術(shù)方面的競爭力。而就在去年，瑞薩電子斥資32億美元收購另一家美國半導(dǎo)體廠商Intersil。

瑞薩電子此番大動作引發(fā)了外界對“沉寂”多年的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否開始走向復(fù)興的討論。一次收購或許并不能體現(xiàn)產(chǎn)業(yè)和公司發(fā)展的走向，但在受訪者看來，并購確實可以在取得技術(shù)和客戶方面實現(xiàn)“彎道超車”。此外，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日趨成熟的背景下，并購在對公司規(guī)模的支撐上亦可以發(fā)揮重要作用，而規(guī)模正是半導(dǎo)體公司在全球市場的關(guān)鍵競爭力之一。

在當前中國大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的背景下，并購可為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展帶來顯著的動力。在并購的過程中，除追求技術(shù)、客戶和規(guī)模之外，關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的突破也對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著重要意義。

2030年人才缺口最高可達50萬人 集成電路產(chǎn)業(yè)呼喚中國“芯”

集成電路是信息產(chǎn)業(yè)的基石。我國自行生產(chǎn)的集成電路品種和數(shù)量還遠遠滿足不了需求，亟需突破核心技術(shù)、實現(xiàn)自主可控，造出中國“芯”。在此過程中，人才的補充成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。由于到2030年集成電路人才缺口預(yù)計將達30萬至50萬人，因此吸引、培養(yǎng)和留住人才，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展亟待突破的難點——

“與迅猛發(fā)展的、龐大的、多樣化的市場需求相比，我國自行生產(chǎn)的集成電路品種和數(shù)量還遠遠滿足不了需求，許多核心器件難以擺脫受制于人的境地。”日前，在由中國科協(xié)和中國電子信息行業(yè)聯(lián)合會等單位主辦的“新時期中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略論壇”上，中科院院士、北京大學(xué)教授王陽元表示，我國必須充分利用不斷增長的市場資源，在產(chǎn)業(yè)機制、資本投入、市場開拓和人才培育等方面，逐步與國際接軌。

長江存儲：未來十年將持續(xù)增加研發(fā)投入

對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入。

英特爾大連第2期NAND Flash工廠投產(chǎn) 將生產(chǎn)96層堆疊產(chǎn)品

處理器大廠英特爾（Intel）在2015年宣布，其總投資55億美元的大連的Fab 68晶圓廠第2期工程改造為NAND Flash快閃存儲器工廠之后，現(xiàn)在宣布已經(jīng)正式投產(chǎn)。未來，主要將生產(chǎn)96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲器，積極追趕競爭對手的市占率。