根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì)，2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為570億美元，而全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額為469億美元，二者的市場(chǎng)總額約為1039億美元，相當(dāng)于華為一年的銷售額。

根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)總額為4197億美元，其中設(shè)備+材料占了整個(gè)市場(chǎng)的24.76%。

大陸地區(qū)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額逐年增長(zhǎng)

據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2017年，全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到469.3億美元，同比增長(zhǎng)9.60%。目前，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)主要分為晶圓材料和封裝材料市場(chǎng)，其中晶圓材料2017年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)278.0億美元，封裝材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)191.1億美元。

從區(qū)域來(lái)看，***地區(qū)由于大型晶圓廠和先進(jìn)的封裝場(chǎng)聚集，連續(xù)第八年成為最大的半導(dǎo)體材料消費(fèi)地區(qū)，成交金額為103億美元，市場(chǎng)份額達(dá)10.29%，年成長(zhǎng)率達(dá)12%。而大陸地區(qū)緊隨其中，市場(chǎng)份額達(dá)7.62%，年成長(zhǎng)率達(dá)12%。其次是韓國(guó)和日本。

值得一提的是，近年來(lái)大陸地區(qū)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額逐年攀升。2011年，大陸地區(qū)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額僅48.6億美元；至2017年，大陸地區(qū)半導(dǎo)體材料銷售額升至76.2億美元，增長(zhǎng)了56.8%。毫無(wú)疑問(wèn)，大陸地區(qū)是全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)增長(zhǎng)最快速的地區(qū)之一。

硅產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)步追趕，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)

半導(dǎo)體材料市場(chǎng)主要分為晶圓材料和封裝材料市場(chǎng)。目前晶圓材料形成了當(dāng)今以硅為主、新型半導(dǎo)體材料為補(bǔ)充的產(chǎn)業(yè)局面。

據(jù)報(bào)告顯示，硅已經(jīng)成為應(yīng)用最廣的一種半導(dǎo)體材料，從半導(dǎo)體器件產(chǎn)值來(lái)看，全球95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路采用硅作為襯底材料。

盡管目前硅的核心地位穩(wěn)固，但受到其物理特性的限制，以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的化合物半導(dǎo)體材料依然成為繼硅之后發(fā)展最快、應(yīng)用最廣、產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。

化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)被國(guó)外巨頭壟斷

眾所周知，大陸地區(qū)的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系仍處于發(fā)展之初，高技術(shù)門檻的化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)仍舊被日本、美國(guó)、德國(guó)廠商主導(dǎo)。但近幾年大陸地區(qū)也出現(xiàn)了具備一定量產(chǎn)能力的SiC襯底制造商，如天科合達(dá)藍(lán)光。

具體來(lái)看，GaAs襯底目前已被日本住友電工、德國(guó)Freiberg、美國(guó)AXT、日本住友化學(xué)四家占據(jù)，四家份額超90%；GaN自支撐襯底目前主要由日本三家企業(yè)住友電工、三菱化學(xué)、住 友化學(xué)壟斷，占比合計(jì)超 85%；

SiC襯底龍頭為美國(guó) Cree(Wolfspeed 部門)，市場(chǎng)占比超三分之一，其次為德國(guó)SiCrystal、美國(guó) II-VI、美國(guó) Dow Corning，四家合計(jì)份額超90%。

而從外延工藝市場(chǎng)來(lái)看，外延生長(zhǎng)主要包括 MOCVD(化學(xué)氣相沉淀)技術(shù)以及MBE(分 子束外延)技術(shù)兩種。英國(guó)IQE及***地區(qū)全新光電兩家份額合計(jì)達(dá)80%，其中英國(guó)IQE市場(chǎng)占比超60%。

化合物半導(dǎo)體晶圓的下游應(yīng)用

從具體應(yīng)用來(lái)看，化合物半導(dǎo)體下游具體應(yīng)用主要可分為兩大類：光學(xué)器件和電子設(shè)備。對(duì)于GaAs材料而言，SC GaAs(單晶砷化鎵)主要應(yīng)用于光學(xué)器件，SI GaAs(半絕緣砷化鎵) 主要應(yīng)用于電子器件。

在光學(xué)器件中，LED為占比最大一項(xiàng)，LD/PD、VCSEL成長(zhǎng)空間大。美國(guó)Cree公司大約70%收入來(lái)自LED，其余來(lái)自功率、射頻、SiC晶圓；SiC襯底80%的市場(chǎng)來(lái)自二極管，在所有寬禁帶半導(dǎo)體襯底中，Si材料是最為成熟的。

此外GaAs可制造紅外光LED，常見(jiàn)的應(yīng)用于遙控器紅外發(fā)射，GaN則可以制造紫外光 LED。GaAs、GaN分別制造的紅光、藍(lán)光激光發(fā)射器可以應(yīng)用于CD、DVD、藍(lán)光光盤的讀取。

在電子器件中，主要為射頻和功率應(yīng)用。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要應(yīng)用于射頻半導(dǎo)體(射頻前端PA等)；而GaN on Si以及SiC襯底主要應(yīng)用于功率半導(dǎo)體(汽車電子等)。

報(bào)告指出，盡管我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目前正處于快速發(fā)展階段，但總體來(lái)看存在總體產(chǎn)能較低，全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力弱，核心芯片領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化程度低，對(duì)國(guó)外依賴程度較高等現(xiàn)狀。2017年中國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)額1315億美元，占全球32%，已成為全球最大市場(chǎng)，但芯片自給率僅14%，具有較大追趕空間。