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氮化鎵中使用光電化學刻蝕技術實現高縱橫比深溝槽的進展

MEMS ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-09-03 15:06 ? 次閱讀

據麥姆斯咨詢報道,近日,日本SCIOCS公司與法政大學報道了其在氮化鎵(GaN)中使用光電化學(photo-electro-chemical,簡稱PEC)刻蝕技術實現高縱橫比深溝槽的進展。該小組希望這項技術能夠利用GaN在高電場中的高擊穿電場和高電子漂移速度等優良特性,為功率電子創造新的器件結構。

深刻蝕用來創建具有p型和n型材料柱的“超結”結構,當結合側向場效應晶體管時,就會產生超過10kV的擊穿電壓。同時,垂直器件也可以從超結漂移區域和其他深刻蝕結構中獲益。因此,激光二極管的脊形加工、晶圓切割應用和MEMS微機電系統)等領域也需要高質量的快速刻蝕工藝。如今,PEC技術已經應用于臺面結構(mesa)、凹入式柵極(gate-recess)和垂直腔面發射激光器(VCSEL)制造工藝上。據這項技術的研究者Horikiri稱,這項技術得到了日本環境部的大力支持。

該團隊說道:“我們承諾將與GaN產業鏈分享此項PEC刻蝕技術,這是我們作為GaN襯底供應商的職責之一。”通常,深刻蝕通過干法等離子體刻蝕實現,例如電感耦合等離子體反應離子刻蝕(ICP-RIE),但是該技術會造成較嚴重的表面損傷。再加上由于GaN和掩模材料之間的干法刻蝕選擇性低也會引起更多的問題。而高質量的刻蝕技術進度很慢,從而導致了深刻蝕結構的可選項減少。

近日,SCIOCS研究的一項新技術是通過空隙輔助分離(void-assisted separation)技術從藍寶石中提取n型氫化物氣相外延(HVPE)材料,制備2英寸自支撐GaN襯底。晶圓的位錯密度在2×10?/cm2~5×10?/cm2范圍內。通過金屬有機氣相外延,用于肖特基勢壘二極管(Schottky barrier diode,簡稱SBD)的5.8μm n-GaN和用于pn二極管的2μm n+-GaN、10μm n-GaN、500nm p-GaN和20nm p+-GaN,可衍生出額外的二極管層。在850℃氮氣中對pn二極管材料進行30分鐘的退火處理,從而激活p型層的受主鎂。其中退火處理的作用是為了驅除鈍化受主的氫原子。

圖1:PEC刻蝕方案用于PEC刻蝕的掩模材料(圖1)是鈦。

PEC刻蝕使用“光輔助陽極氧化”來刻蝕GaN。

該工藝從GaN中釋放Ga3+,其中正電荷來自GaN或電解質陽極界面處紫外線(UV)產生的空穴。電子通過PEC的電路被移除,而該電路是設置在GaN晶圓背面的歐姆接觸和作為陰極的鉑反電極之間的。刻蝕電位為1V。紫外輻射由汞氙燈提供,在垂直入射時提供9.0mW/cm2的強度。輻射和刻蝕電位在0.6占空比的脈沖模式下操作。電解質中含有與Ga3+反應產生的OH-氫氧根離子,形成Ga2O3。電解質溶液含有0.01M氫氧化鈉和1%聚乙二醇辛基苯基醚(Triton X-100)作為潤濕劑,可降低表面張力并有助于去除氣泡。PEC技術的表面平坦化率可達到24.9nm/min,相當于無損傷干法刻蝕。如果將PEC速率提高到175.5nm/min,則會導致表面變得粗糙。不過高速率的PEC技術可用于晶圓切割領域中。采用由90μm直徑的圓點組成的50nm厚的鈦掩模,PEC刻蝕深度可達20μm,選擇比高于400(20μm/50nm),而側面刻蝕則小于1μm。在溝槽刻蝕的實驗中,深度由電流密度控制,而不是由沿著GaN晶格的m軸或a軸的掩模取向控制。短寬度孔徑掩模的溝槽刻蝕速率在約30μm深度處減慢。研究人員認為,這是因為紫外輻射難以到達溝槽底部的刻蝕前沿所造成的。他們還補充說道,相干紫外光源可能有助于深溝槽刻蝕。

圖2:PEC刻蝕深度與溝槽縱橫比的關系。實線、虛線和點線分別代表PEC刻蝕溝槽縱深比與溝槽寬度的估計值,兩側壁以0.7μm為數量級變化。填充符號表示實驗結果。其中最大溝槽縱橫比為7.3,寬度為3.3μm,深度為24.3μm(圖2)。該小組解釋道:“這種縱橫比和刻蝕深度與ICP-RIE制造的SiC溝槽的最優結果相當,這表明PEC刻蝕的優勢不僅體現在光學和電子器件制造領域,還體現在GaN-MEMS制造領域,例如晶圓、膜片、微流體通道和光柵的通孔等。”

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原文標題:光電化學深溝槽刻蝕在氮化鎵襯底上的應用

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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