應用于高密度電源設計的GaN半導體材料
GaN 半導體材料有二種基本結構：纖鋅礦（Wurtzite， WZ）和閃鋅礦（Zinc blende， ZB）。常溫常壓下惟有纖鋅礦結構為穩定相。纖鋅礦結構由兩套六角密堆積子格子沿c 軸方向平移3c/8 套構而形成，所屬空間群為或P63mc。
視頻中介紹了氮化鎵（GaN）功率器件的概述， 以及深入地討論了如何利用GaN產品進行可靠， 高密度GaN電路的設計， 特別針對99%效率的PFC以及1MHz的LLC電路設計。
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