華虹集團(tuán)下設(shè)四座制造基地，即金橋基地、張江基地、康橋基地和無(wú)錫基地。

8寸晶圓供需雙擊造成長(zhǎng)景氣周期，特殊工藝是公司核心壁壘。（1）伴隨物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、汽車電子、MOSFET、MCU、智能卡等下游應(yīng)用增長(zhǎng)迅猛勢(shì)頭，同時(shí)8寸晶圓在以上應(yīng)用領(lǐng)域具有競(jìng)爭(zhēng)力，造成8寸需求提升。（2）供給端設(shè)備和硅片出現(xiàn)錯(cuò)配，產(chǎn)生產(chǎn)能卡口且短期無(wú)法解決。（3）公司深耕8寸特殊工藝，并積極向12寸特殊工藝布局，長(zhǎng)穩(wěn)定盈利可期。

一超多弱下晶圓代工發(fā)展模式固化，但“華虹系”有望走出代工特色道路。晶圓代工產(chǎn)業(yè)整體展現(xiàn)出“一超多弱”的市場(chǎng)格局（臺(tái)積電以55.9%的市場(chǎng)份額高居第一，而其他廠商的市占率均未超過(guò)10%，且先進(jìn)制程爬坡速度逐代提升），在此格局下晶圓代工大體有兩種模式，要么耗費(fèi)大量資金、人員投入到先進(jìn)制程的研發(fā)當(dāng)中努力躋身晶圓代工行業(yè)第一梯隊(duì)。要么利用特殊工藝構(gòu)筑競(jìng)爭(zhēng)壁壘，避免第二梯隊(duì)激烈市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)獲得盈利。而華虹系走出第三道路：上市公司華虹半導(dǎo)體具有特殊工藝領(lǐng)先產(chǎn)能保證盈利，體外華力微電子專注先進(jìn)制程研發(fā)保證長(zhǎng)期開(kāi)拓更大市場(chǎng)，我們認(rèn)為該模式具有非常高的靈活性。

綜合以上，我們認(rèn)為華虹半導(dǎo)體發(fā)展模式具有特殊性，一方面8寸線緊張趨勢(shì)下公司特殊工藝具備核心競(jìng)爭(zhēng)壁壘，另一方面大華虹體系下華力微電子專注先進(jìn)制程工藝。有望走出中國(guó)晶圓代工特色道路。

1. 華虹半導(dǎo)體：8寸晶圓代工企業(yè)龍頭

華虹半導(dǎo)體全稱華虹半導(dǎo)體有限公司，于2005年1月成立，2014年10月上市。公司是全球領(lǐng)先的200mm（8寸）純晶圓代工廠，主要專注于研發(fā)及制造專業(yè)應(yīng)用的200mm晶圓半導(dǎo)體。公司的主要工藝技術(shù)包括嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、邏輯及射頻、分立器件、模擬及電源管理、獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器。產(chǎn)品主要應(yīng)用于電子消費(fèi)品、通訊、計(jì)算機(jī)、工業(yè)及汽車市場(chǎng)。客戶主要分為兩大類：(i)集成器件制造商；(ii)系統(tǒng)及無(wú)廠半導(dǎo)體公司。

2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)超過(guò)20%的高增長(zhǎng)，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模與增速全球領(lǐng)先，在此背景下2017年公司營(yíng)業(yè)收入再創(chuàng)歷史新高，達(dá)53.7億元，同比增長(zhǎng)11.6%。歸母凈利潤(rùn)為9.5億元，同比增長(zhǎng)12.75%。盈利能力方面，公司毛利率從2013年的21.45%上升至2017年的33.06%，保持連續(xù)六年成長(zhǎng)，主要得益于平均銷售價(jià)格提升及產(chǎn)品組合優(yōu)化，部分被折舊成本增加所抵消。凈利率為17.69%，月產(chǎn)能為16.8萬(wàn)片，同比增加8.39%。

2017年，公司在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)、功率器件、模擬及電源管理、邏輯及射頻SOI等技術(shù)領(lǐng)域深耕創(chuàng)新，繼續(xù)保持領(lǐng)先地位。核心業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁，所銷售產(chǎn)品幾乎涵蓋了所有的相關(guān)領(lǐng)域，尤其是金融IC卡、身份證、深溝槽超級(jí)結(jié)、IGBT和電源管理芯片。2017年金融IC卡出貨量同比增長(zhǎng)超過(guò)200%，創(chuàng)歷史新高；純金融IC卡、社保卡、居民健康卡等帶金融支付功能的智能卡芯片出貨約4.3億顆。2017年微控制器（MCU）芯片出貨超過(guò)30萬(wàn)片200mm晶圓，并持續(xù)穩(wěn)步增長(zhǎng)。

2. 8寸線產(chǎn)能持續(xù)緊張，特殊工藝成為公司核心競(jìng)爭(zhēng)壁壘

2.1. 8寸晶圓下游應(yīng)用持續(xù)緊張

伴隨物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、汽車電子、智能卡等下游應(yīng)用增長(zhǎng)迅猛勢(shì)頭，驅(qū)動(dòng)芯片、指紋識(shí)別、MOSFET、MCU等芯片需求強(qiáng)勁，且這些芯片多采用成熟制程，由此8寸晶圓產(chǎn)能的需求持續(xù)緊張，導(dǎo)致8寸晶圓緊缺。

統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)LED 照明市場(chǎng)規(guī)模逐年攀升，2017年我國(guó)LED照明產(chǎn)值規(guī)模為2969億元，同比增長(zhǎng)將近21%。支持LED照明高輸入電壓的半導(dǎo)體產(chǎn)品通常選擇200mm晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，預(yù)期未來(lái)中國(guó)市場(chǎng)對(duì)LED照明半導(dǎo)體需求將很可觀。

據(jù)HIS，2020年全球智能卡集成電路出貨量將超過(guò)120億片。根據(jù)Maximize Market Research研究，2016年至2026年全球智能卡市場(chǎng)規(guī)模保持年復(fù)合增長(zhǎng)率8.9%左右增長(zhǎng)，有望在2026年達(dá)到176億美元的總額。智能卡集成電路市場(chǎng)的增長(zhǎng)可能會(huì)增加對(duì)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器工藝技術(shù)的集成電路的需求，而相關(guān)晶圓大多由8寸晶供應(yīng)，將導(dǎo)致8寸晶需求吃緊。

汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)的飛速發(fā)展帶來(lái)了MCU新增需求。近年來(lái)MCU需求呈現(xiàn)爆發(fā)態(tài)勢(shì)，而汽車市場(chǎng)占據(jù)全球MCU產(chǎn)品市場(chǎng)約40%。汽車市場(chǎng)對(duì)微控制器、高壓、模擬及電源管理應(yīng)用半導(dǎo)體有巨大需求。生產(chǎn)一輛低端汽車車型往往需要30-50片相關(guān)芯片，而隨著汽車智能應(yīng)用的增長(zhǎng)，汽車電子芯片需求將繼續(xù)攀升。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，2017年汽車IC市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)22%，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到280億美元。

新能源汽車行業(yè)發(fā)展，整車芯片數(shù)量激增，帶來(lái)對(duì)汽車電子需求強(qiáng)烈刺激。據(jù) Marklines研究，2017 年全年全球新能源乘用車銷量 119.7 萬(wàn)，同比增長(zhǎng) 67%，其中我國(guó)銷量排名第一；其中12 月全球新能源汽車銷量為 16.1 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 61%。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)作為新能源汽車技術(shù)核心，而IGBT管作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分核心，成為新能源汽車中除電源外單價(jià)最昂貴的零件。2016年，全球累計(jì)銷售新能源汽車200萬(wàn)輛，其中IGBT管的價(jià)值就高達(dá)9億美元，每輛新能源汽車上搭載的IGBT管平均價(jià)值450美元。根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，到 2021 年，汽車 IC 市場(chǎng)將會(huì)增長(zhǎng)到 436 億美元，2017 年到 2021 年之間的復(fù)合增長(zhǎng)率為 12.5%，為復(fù)合增長(zhǎng)率最高的細(xì)分市場(chǎng)模塊。可以預(yù)見(jiàn)，未來(lái)幾年內(nèi)汽車電子市場(chǎng)增長(zhǎng)將拉動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)品需求，而具有特殊工藝優(yōu)勢(shì)的8寸晶圓將承接這部分需求。

隨著智能手機(jī)的芯片需求逐漸趨于平穩(wěn)，未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)新增需求將成為半導(dǎo)體公司重要的新收入來(lái)源。麥肯錫全球研究院估計(jì)，到2025年，物聯(lián)網(wǎng)可能在全球范圍內(nèi)產(chǎn)生4萬(wàn)億至11萬(wàn)億美元的價(jià)值。目前物聯(lián)網(wǎng)的裝機(jī)數(shù)量在70億到100億之間。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年這一數(shù)字每年將增長(zhǎng)約15％至20％，到2020年將達(dá)到260億至300億。

據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，MCU市場(chǎng)規(guī)模將于2020年達(dá)到高峰，銷售額達(dá)到209億美元，銷售267億顆芯片。汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用對(duì)芯片有低功耗、長(zhǎng)時(shí)間使用及無(wú)線通信等方面的要求，而由于特殊工藝優(yōu)勢(shì)，多選用200mm晶圓進(jìn)行生產(chǎn)。MCU需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，以及由于IDM廠產(chǎn)能不足造成的交貨周期延長(zhǎng)，導(dǎo)致MCU缺貨，8寸晶圓代工廠有望從這一應(yīng)用緊張需求中獲利。

在移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，CIS市場(chǎng)正經(jīng)歷高速增長(zhǎng)。CIS（CMOS Image Sensor，CMOS圖像傳感器）是非常重要的數(shù)字感光元件，據(jù)Yole Development估計(jì)，在2015~2021年的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)10.4%，將從2015年的103億美元增長(zhǎng)到2021年的188億美元。

由于以上這些應(yīng)用平臺(tái)絕大多數(shù)都采用45nm及以上制程的成熟工藝，而12產(chǎn)線的設(shè)備主要服務(wù)于28nm及以下的先進(jìn)制程，所以8寸晶圓在以上應(yīng)用領(lǐng)域具有獨(dú)特的競(jìng)爭(zhēng)力，因此，短時(shí)間內(nèi)12寸晶圓無(wú)法取代8寸晶圓的地位。雖然隨著12寸晶圓制造成本的下降，尤其是折舊開(kāi)支和光罩成本的下跌，8寸晶圓的制造成本優(yōu)勢(shì)可能會(huì)逐漸減小，但是代工廠仍能夠通過(guò)改善產(chǎn)品組合億專注于特定產(chǎn)品的方式維持自身競(jìng)爭(zhēng)力。因此，8寸晶圓代工廠有望受惠于上述應(yīng)用推升，爭(zhēng)取市場(chǎng)機(jī)遇，并在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)維持較強(qiáng)的盈利能力。

2.2. 八寸晶圓供應(yīng)嚴(yán)重不足，預(yù)計(jì)持續(xù)緊張

2.2.1. 硅晶圓尺寸由8寸向12寸轉(zhuǎn)換，8寸晶產(chǎn)能壓縮

晶圓尺寸是半導(dǎo)體制造工藝的重要參數(shù)，在過(guò)去的30年中，晶圓制造商在晶圓尺寸提升方面耗費(fèi)了巨大的投入。在實(shí)際生產(chǎn)制造中，可利用的是大晶圓的中心部分，而晶圓的邊緣區(qū)域通常存在碎片、裂縫等物理?yè)p傷。晶圓尺寸半徑越大，每片晶圓上可制造的芯片數(shù)量就越多，這就意味著大批量生產(chǎn)成本的降低。而根據(jù)摩爾定律，集成電路的集成度也越來(lái)越高。集成度越高，意味著單位面積上所容納的元件數(shù)目就越多。因此，硅晶圓尺寸發(fā)展趨勢(shì)呈現(xiàn)6寸——8寸——12寸的轉(zhuǎn)換路線。

當(dāng)前的市場(chǎng)主要以8寸晶圓和12寸晶圓制造為主。8寸晶圓主要應(yīng)用于智能硬件中微處理器、射頻芯片、電源芯片、智能卡等，涵蓋了汽車電子、工控/醫(yī)療、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。而12寸晶圓主要用于制造CPU、存儲(chǔ)器等高性能芯片，廣泛應(yīng)用于顯示器件、人工智能、車聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域。

市場(chǎng)發(fā)展導(dǎo)致十二英寸的需求也在迅速崛起。為滿足市場(chǎng)增長(zhǎng)需要所帶來(lái)的12寸晶圓需求，晶圓產(chǎn)能整體呈現(xiàn)出由8寸向12寸轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)。根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)到2020年晶圓產(chǎn)能分布中8寸晶占比穩(wěn)中有降，較2014年下降約4%。

8寸向12寸的轉(zhuǎn)換是市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)，更是技術(shù)更新?lián)Q代帶來(lái)的必然結(jié)果。追求先進(jìn)制程的廠商會(huì)優(yōu)先選擇12寸晶圓，這是由設(shè)備決定的，也是由效費(fèi)比決定的。晶圓制造領(lǐng)域巨頭紛紛用12寸線替代原有的8寸線，使能夠搶占更多的市場(chǎng)。

而當(dāng)行業(yè)巨頭基本完成8寸線向12寸線轉(zhuǎn)換升級(jí)過(guò)程時(shí)，如果出現(xiàn)針對(duì)8寸晶的強(qiáng)烈需求，行業(yè)巨頭就不具有產(chǎn)能彈性，不能夠根據(jù)新增的市場(chǎng)需求安排8寸晶圓產(chǎn)能。因此，隨著汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)等上述行業(yè)的迅猛發(fā)展，市場(chǎng)8寸晶圓的需求明顯抬頭，基于當(dāng)前生產(chǎn)布局的大環(huán)境，可以預(yù)見(jiàn)8寸晶圓制造商將由此獲利。

2.2.2. 八寸晶制造設(shè)備短缺影響產(chǎn)能

八寸晶制造關(guān)鍵設(shè)備的停產(chǎn)，以及二手晶圓設(shè)備市場(chǎng)八英寸設(shè)備的緊缺，將對(duì)八寸晶圓產(chǎn)能擴(kuò)充帶來(lái)不利影響。根據(jù)二手設(shè)備供應(yīng)商Surplus Global稱，在2018年初，行業(yè)需要大約2000臺(tái)全新或翻新的200 mm機(jī)臺(tái)來(lái)滿足晶圓廠的需求，而同期市場(chǎng)上只有500臺(tái)可用的機(jī)臺(tái)。預(yù)計(jì)在半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商新的200mm設(shè)備實(shí)施到出品這段時(shí)間內(nèi)，200mm晶圓制造設(shè)備仍將呈現(xiàn)不平衡的供需結(jié)構(gòu)。制造設(shè)備的短缺，將從供給端造成產(chǎn)能卡口，阻礙8寸晶圓制造企業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)充的腳步。由此可以推斷，誰(shuí)能夠占據(jù)制造設(shè)備供應(yīng)的先機(jī)，誰(shuí)就能夠在8寸線產(chǎn)能擴(kuò)充上占據(jù)決定性的優(yōu)勢(shì)。

2.2.3. 8寸硅片產(chǎn)能緊張導(dǎo)致供給吃緊

根據(jù)SUMCO2018Q1發(fā)布行業(yè)數(shù)據(jù)，自2016年全球市場(chǎng)對(duì)200mm晶圓需求顯著提升，預(yù)計(jì)2018Q2的8寸晶圓需求量將達(dá)到5500千片/月，需求量呈現(xiàn)明顯的上揚(yáng)態(tài)勢(shì)。由于需求旺盛及產(chǎn)能吃緊，我們有理由預(yù)計(jì)接下來(lái)一段時(shí)間內(nèi)8寸硅片需求量將大于這一預(yù)計(jì)數(shù)字。

8寸晶圓需求吃緊也體現(xiàn)在8寸晶圓制造商產(chǎn)能利用率的提升上。根據(jù)華虹半導(dǎo)體披露數(shù)據(jù)顯示，自2015年來(lái)產(chǎn)能利用率一直在90%以上，2017年更是接近滿載，達(dá)到98.1%，這也反映出了目前8寸晶圓產(chǎn)能吃緊的現(xiàn)狀。

同樣，由于6寸晶圓向8寸轉(zhuǎn)移，2016年后6寸晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)穩(wěn)定且平緩下降趨勢(shì)。SEMI預(yù)計(jì)，到2019年6寸晶圓產(chǎn)能將由2016年的249萬(wàn)片/月降低至243萬(wàn)片/月，考慮產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的效果，8寸晶圓需求量將至少提升3.2萬(wàn)片/月。

根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，到2020年，全球預(yù)計(jì)將有189個(gè)8英寸的晶圓廠，8寸廠的產(chǎn)能將達(dá)到570萬(wàn)片/月。2017年7月，大陸已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的8寸晶圓產(chǎn)能為70萬(wàn)片/月，預(yù)計(jì)到2021年底將達(dá)到90萬(wàn)片/月。另外，考慮到產(chǎn)能爬坡以及實(shí)際產(chǎn)能利用率等因素，未來(lái)幾年全球市場(chǎng)范圍內(nèi)8寸晶圓供給和需求之間尚存在較大缺口，8寸晶圓的供應(yīng)仍會(huì)維持緊張態(tài)勢(shì)。而華虹全球最大的200mm晶圓代工廠，勢(shì)必會(huì)受益于這一供需形勢(shì)。

2.3. 公司核心壁壘為特殊工藝

前面我們提到，對(duì)8寸線而言，在需求端，下游產(chǎn)品需求持續(xù)強(qiáng)勁，而在供給端，一方面隨著對(duì)產(chǎn)品性能功耗等要求的提升和技術(shù)遷移的發(fā)展，硅晶圓尺寸由8寸向12寸轉(zhuǎn)換的過(guò)程中，8寸晶圓產(chǎn)能被壓縮；另一方面，在晶圓制造產(chǎn)業(yè)的上游端，硅晶圓片持續(xù)漲價(jià)且產(chǎn)能緊張，8寸線相關(guān)工藝設(shè)備（包括二手設(shè)備）緊缺，整個(gè)產(chǎn)業(yè)八寸線產(chǎn)能吃緊承壓，代工價(jià)格有一定幅度上漲。

下面我們聚焦于公司個(gè)體，重點(diǎn)闡述下公司幾類產(chǎn)品背后的特殊工藝技術(shù)平臺(tái)及其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和發(fā)展，同時(shí)重點(diǎn)關(guān)注大基金、無(wú)錫市政府和華虹共同參股的華虹無(wú)錫12寸項(xiàng)目，聚焦其建12寸線的實(shí)質(zhì)還是用特殊工藝來(lái)延伸其制程從90nm到65/55nnm, 用特殊工藝來(lái)做更小制程的MCU和智能卡類產(chǎn)品,并展望公司未來(lái)特色工藝構(gòu)筑的核心壁壘所帶來(lái)的收入增長(zhǎng)、毛利率情況和產(chǎn)品組合優(yōu)化下的市場(chǎng)份額的提升。

2.3.1. 核心優(yōu)勢(shì)——成熟豐富的特色工藝技術(shù)平臺(tái)

具體來(lái)講，其八寸線產(chǎn)能利用率接近滿載，我們預(yù)期這種情形還將持續(xù)到19年，而公司產(chǎn)能的旺盛需求，離不開(kāi)公司的核心壁壘—特殊工藝的加持和積累。

公司在1.0μm至90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)并向客戶提供先進(jìn)的差異化晶圓加工技術(shù)組合，尤其是設(shè)計(jì)及制造需要嵌入式非易失性存儲(chǔ)器工藝技術(shù)的半導(dǎo)體方面的專家。公司17年小于0.13μm（即從0.13μm到90nm）的制程收入占比為33.5%，大于0.35μm的制程收入占比47.2%，顯示其在成熟制程產(chǎn)品上品控和特點(diǎn)上有其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

對(duì)比中芯國(guó)際，華虹半導(dǎo)體在分立器件方面有著較強(qiáng)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。對(duì)中芯國(guó)際來(lái)說(shuō)，成熟制程依然是營(yíng)收支柱。45nm及以下的成熟制程目前貢獻(xiàn)了中芯國(guó)際88.7%的營(yíng)收，其中0.15μm及以下制程的營(yíng)收占比為37.8%，90nm, 0.13/0.11μm, 0.18μm, 0.25μm, 0.35μm 以及 SPOCULL 是公司的成熟制程業(yè)務(wù)，而其成熟制程的應(yīng)用包含 eNVM、混合信號(hào)/射頻工藝技術(shù)、模擬電源、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、面板驅(qū)動(dòng)芯片(DDIC)、CMOS 圖像傳感器 (CIS)、CMOS 微電子機(jī)械系統(tǒng)、非易失性存儲(chǔ)器、物聯(lián)網(wǎng)解決方案以及汽車電子等領(lǐng)域。

華虹工藝平臺(tái)主要是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、分立器件、模擬及電源管理、射頻及邏輯、傳感器，按是否需要更先進(jìn)的制程緊急程度按從高往低排序?yàn)檫壿嫛⑸漕l、嵌入式非易失性存儲(chǔ)器、模擬及電源管理、分立器件和傳感器。主要產(chǎn)品包括MCU、智能卡IC、IGBT、超級(jí)結(jié)、電源驅(qū)動(dòng)IC等。

收入方面，嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（MCU+智能卡）和分立器件連續(xù)幾年占比超過(guò)60%，在17年占比69%。18年第一季度這兩塊收入占比分別為40%、32%,同比增長(zhǎng)了20%、37%，主要受MCU、IGBT和MOSFET產(chǎn)品的旺盛需求推動(dòng)。毛利率方面，公司在智能卡IC方面毛利率最高，超過(guò)40%，MCU、射頻及邏輯、電源管理方面也超30%，而分立器件毛利率較低，為25—30%，但營(yíng)收增長(zhǎng)較為快速。

我們分產(chǎn)品來(lái)詳細(xì)闡述華虹特殊工藝的積累和在一些方面的領(lǐng)先地位。

在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器方面，主要有智能卡IC和MCU兩塊收入。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，其嵌入式非易失性存儲(chǔ)器解決方案能夠在相對(duì)更小裸晶尺寸上發(fā)揮卓越性能。非易失存儲(chǔ)器，即NVM，具有非易失、按字節(jié)存取、存儲(chǔ)密度高、低能耗、讀寫(xiě)性能接近DRAM，但讀寫(xiě)速度不對(duì)稱，壽命有限。

智能卡方面，華虹有著非常深厚、先進(jìn)、專業(yè)性的積累，是全球領(lǐng)先的智能卡IC代工廠。目前在智能卡上采用的的類型包括：Flash 和EEPROM。2001年，開(kāi)始采用0.35微米EEPROM技術(shù)生產(chǎn)二代身份證芯片。10年，華虹采用0.13微米eFlash工藝，可制造0.13微米制程下最小的閃存元胞尺寸。公司已經(jīng)掌握90nm低功耗嵌入式閃存工藝平臺(tái)，該工藝具有高性能（高速、低功耗等）、高存儲(chǔ)密度、高集成度的特點(diǎn)，并在17年10月份實(shí)現(xiàn)第二代90nm嵌入式閃存工藝平臺(tái)的高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，較第一代相比，F(xiàn)lash元胞尺寸縮小約25%（為目前全球90nm工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸），保證高可靠性的同時(shí)提供極小面積的低功耗，同時(shí)制造成本更低（縮減了一層光罩），可在SIM卡和金融IC卡等高端智能卡芯片和MCU上加速贏得更多的市場(chǎng)份額。客戶方面，10年開(kāi)始，同方微、華大電子成為其客戶，并逐漸開(kāi)始和上海華虹、大唐電信、上海復(fù)旦、國(guó)民技術(shù)等保持良好的客戶關(guān)系。16年，公司智能芯片出貨量達(dá)22億顆，約占全球23%市場(chǎng)份額，其中SIM卡出貨18億顆，約占全球33%市場(chǎng)份額，2億顆金融IC卡芯片，市場(chǎng)份額占比為10%。而17年其銀行卡市場(chǎng)份額約30%，今年預(yù)計(jì)可達(dá)到60%，增長(zhǎng)迅猛。

現(xiàn)在的SIM卡趨勢(shì)，eSE(嵌入式安全芯片),是一種防篡改的芯片，基于硬件芯片的模塊，安全級(jí)別可以做到最高。其大小不一，設(shè)計(jì)也可不同，并可嵌入在任意一種移動(dòng)設(shè)備中。基于硬件芯片的模塊，安全級(jí)別可以做到最高，如果是在eSE里實(shí)現(xiàn)的eSIM功能，其功能不僅僅是目前運(yùn)營(yíng)商業(yè)務(wù)，意味著eSE的適用范圍較廣，可保證任意一種設(shè)備以及各種用例(例如支付、票券兌換、交通、訪問(wèn)控制、票務(wù)、公司、云計(jì)算、電子政務(wù)等)中應(yīng)用程序的安全。

MCU方面，MCU，即微控制單元(Microcontroller Unit)，是把中央處理器的頻率與規(guī)格做適當(dāng)縮減，并將內(nèi)存、計(jì)數(shù)器、U、A/D轉(zhuǎn)換、UART、PLC、DMA等周邊接口，甚至LCD驅(qū)動(dòng)電路都整合在單一芯片上，形成芯片級(jí)的計(jì)算機(jī)，為不同的應(yīng)用場(chǎng)合做不同組合控制。作為成千上萬(wàn)的智能物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的核心，MCU的優(yōu)勢(shì)在于可以對(duì)功能和性能精確定制。MCU市場(chǎng)仍處于成長(zhǎng)階段，各級(jí)別的MCU的需求量持續(xù)攀升，應(yīng)用范圍持續(xù)擴(kuò)大。

MCU 根據(jù)位元不同分為4位MCU、8位MCU、16位MCU、32位MCU和64位MCU。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，2014年8位MCU和32位MCU的市場(chǎng)市場(chǎng)份額分別為 39.7%、38.5%。17年時(shí)分別為33%、38%。到了2018年，根據(jù)IHS的預(yù)測(cè)，8位MCU的市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)到78億美元，市場(chǎng)份額仍繼續(xù)超過(guò)每年MCU市場(chǎng)營(yíng)收的三分之一以上。8位MCU創(chuàng)新空間巨大，應(yīng)用無(wú)處不在（在新型消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)控制、智能傳感器和電信及數(shù)據(jù)通信設(shè)備中都有應(yīng)用），一般而言，在大量數(shù)據(jù)運(yùn)算與圖像影音處理等方面，以32位MCU為主；在控制類應(yīng)用方面，進(jìn)入市場(chǎng)較早的8位MCU產(chǎn)品則具備諸多競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，例如8位MCU產(chǎn)品很早進(jìn)入消費(fèi)類、醫(yī)療用品、工業(yè)控制、汽車電子等市場(chǎng)應(yīng)用，產(chǎn)品穩(wěn)定，性價(jià)比滿足需求，至今仍占主導(dǎo)地位。這些已穩(wěn)定量產(chǎn)的產(chǎn)品，由于安全可靠與成本優(yōu)勢(shì)，也成為8位MCU之市場(chǎng)的發(fā)展基石。

針對(duì)8位MCU，華虹擁有5V和3.3V單電壓工藝平臺(tái)，提供最完整和最高性價(jià)比的8位MCU的代工方案。在17年8月，公司針對(duì)8位MCU市場(chǎng)，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲(chǔ)器（95納米5VSGeNVM）工藝平臺(tái)并已量產(chǎn)。其產(chǎn)品具有較小的面積和較低的讀取功耗（50μA/MHz），器件靜態(tài)功耗Ioff也只有0.5pA。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時(shí)，95納米5VSGeNVM工藝平臺(tái)以其低功耗、低成本的優(yōu)勢(shì)，使其成為制勝8位MCU的首選工藝。此外，重要的是，華虹同時(shí)擁有多種MCU所需要的細(xì)分化eFlash/eEEPROM工藝平臺(tái)，可將我們領(lǐng)先的嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)與CMOS射頻集成及/或高壓LDMOS技術(shù)結(jié)合，大大增加可用MCU解決方案的數(shù)量。

展望華虹的MCU業(yè)務(wù)在今年能保持高增長(zhǎng)，主要原因是：（1）ST、TI、瑞薩等IDM廠產(chǎn)能不足，導(dǎo)致交貨期延長(zhǎng)，不少M(fèi)CU廠商產(chǎn)品交期都從4個(gè)月延長(zhǎng)至6個(gè)月，日本MCU廠商更是拉長(zhǎng)至9個(gè)月;（2）汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)大量導(dǎo)入MCU架構(gòu)和新增無(wú)線充電等需求增長(zhǎng)；（3）國(guó)際MCU大廠轉(zhuǎn)往車用、工控等高端應(yīng)用市場(chǎng)，逐漸淡出8位MCU市場(chǎng)。

華虹在15年6月推出0.11微米超低漏電嵌入式閃存技術(shù)平臺(tái)（0.11 μm Ultra Low Leakage eNVM Platform），支持低至于1.08伏的操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。該平臺(tái)的存儲(chǔ)器IP具有10萬(wàn)至50萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)、讀取速度達(dá)20ns等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，尤其是，該技術(shù)的動(dòng)態(tài)功耗達(dá)25uA/MHz，靜態(tài)功耗達(dá)50nA，可大幅提升電池壽命，延長(zhǎng)時(shí)下最熱門(mén)的物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴式設(shè)備的待機(jī)時(shí)間。在18年6月，華虹在其基礎(chǔ)上自主研發(fā)了超低功耗模擬IP，包括時(shí)鐘管理、電源管理、模數(shù)轉(zhuǎn)換(Analog Digital Converter)等，這些IP通過(guò)了矽驗(yàn)證并已經(jīng)量產(chǎn)，可幫助客戶設(shè)計(jì)定制低功耗、高性價(jià)比、高精度等各類MCU，具有很強(qiáng)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

在功率器件技術(shù)方面，華虹宏力是領(lǐng)導(dǎo)者，擁有一個(gè)專門(mén)制造功率器件產(chǎn)品的晶圓廠，制程大于0.25μm。通過(guò)靈活而可定制的制造平臺(tái)，可以滿足各種客戶的特定需求。在02年，開(kāi)始提供200mm溝槽式MOSFET技術(shù)。在2011年，有了600V SJNFET產(chǎn)品和1200V NPT IGBT產(chǎn)品。在此方面有10年以上的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，積累和先進(jìn)的工藝和技術(shù)以及開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，一直在致力于開(kāi)發(fā)高壓和低開(kāi)啟電阻的MOSFET工藝平臺(tái)和IGBT技術(shù)工藝。其產(chǎn)品主要分為三類：

(1)溝槽式MOSFET，是在基于過(guò)去積累的LV MOSFET經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的，其創(chuàng)造性的將溝槽應(yīng)用到600V的MOSFET上，與國(guó)內(nèi)大多數(shù)廠商的常規(guī)的平面型 MOSFET相比，可以有效的降低開(kāi)啟電阻10%以上，同時(shí)能根據(jù)產(chǎn)品特性需求，提供客戶定制化服務(wù)。

(2)超級(jí)結(jié)MOSFET,電壓覆蓋400-900V。其最新研發(fā)的第三代深溝槽超級(jí)結(jié)技術(shù)，采用獨(dú)特的工藝技術(shù)，可以達(dá)到由于業(yè)界水平的性能和指標(biāo)，在提升單位面積的導(dǎo)通電阻方面有著明顯優(yōu)勢(shì)，達(dá)到英飛凌最新一代產(chǎn)品指標(biāo)水平。該技術(shù)的產(chǎn)品非常適合用于市電范圍的開(kāi)關(guān)電源、AC/DC、適配器、充電器和LED照明等應(yīng)用，是可提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的綠色芯制造平臺(tái)。

(3)IGBT，華虹在基于在MOSFET和超級(jí)結(jié)方面積累的經(jīng)驗(yàn)上，開(kāi)發(fā)出了基于溝槽結(jié)構(gòu)的600—1200V非穿通型和場(chǎng)截止型IGBT。IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。下圖的簡(jiǎn)化等效電路表明，IGBT是由GTR與MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中的部分是MOSFET驅(qū)動(dòng)，另一部分是厚基區(qū)PNP型晶體管。該技術(shù)的產(chǎn)品非常適合用于新能源汽車、白色家電、電磁爐、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、UPS、焊機(jī)、機(jī)車拖動(dòng)、智能電網(wǎng)以級(jí)包括風(fēng)電和太陽(yáng)能等新能源應(yīng)用。

在模擬器件與電源管理方面，擁有其成熟CMOS平臺(tái)的BCD/CMOS工藝，制程覆蓋從大于0.25微米到0.13微米，可廣泛應(yīng)用于音頻功放、室內(nèi)外照明、電源管理、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域，特別是DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器、LED照明和電池管理等產(chǎn)品的最佳工藝選擇。

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝在同一芯片上集成了具有精確模擬功能的雙極型器件（Bipolar）作為外部系統(tǒng)與數(shù)字系統(tǒng)之間的接口、數(shù)字設(shè)計(jì)的CMOS器件作為邏輯電路和信號(hào)處理的核心，以及高壓放大功率結(jié)構(gòu)的DMOS器件用于驅(qū)動(dòng)外部負(fù)載，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)硬件連接、運(yùn)算以及驅(qū)動(dòng)負(fù)載，非常適用于具有一定負(fù)載的功率調(diào)節(jié)任務(wù)，比如驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片等等。

總的來(lái)說(shuō)，特殊工藝技術(shù)能夠令尺寸較小的晶粒包含較多的模擬內(nèi)容或支持汽車及其他市場(chǎng)分部所需的較高電壓。這些特殊工藝技術(shù)包括精度模擬CMOS、射頻CMOS、嵌入式存儲(chǔ)器CMOS、CIS、高壓CMOS、BiCMOS及BCDMOS。基于有需要對(duì)工藝參數(shù)采取非常嚴(yán)格的容差限度，代工廠商需要投入時(shí)間、資本及研發(fā)資源以使用該等特種工藝技術(shù)以商業(yè)可行的成品率制造晶圓，使得能以更低功耗、更低成本、更高性價(jià)比、更高集成度、更定制化的服務(wù)來(lái)增強(qiáng)產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，打造公司的核心壁壘。

2.3.2. 12寸晶圓建廠潮下，華虹現(xiàn)階段優(yōu)勢(shì)有望持續(xù)

不可否認(rèn)的是，8寸晶圓的短缺和短期強(qiáng)勁需求使8英寸晶圓制造設(shè)備難以購(gòu)得及成本高昂，致使8英寸晶圓的生產(chǎn)成本相對(duì)更高。但對(duì)晶圓代工廠來(lái)說(shuō)，占成本比重更大的是，新建的12寸產(chǎn)線的折舊的固定資產(chǎn)更高，而8寸線的設(shè)備折舊大都完成，相關(guān)服務(wù)運(yùn)維費(fèi)用更低，達(dá)到成本效益的生產(chǎn)量要求較低，成熟制程研發(fā)投入少，有些技術(shù)優(yōu)勢(shì)（包括符合高電壓設(shè)計(jì)規(guī)定、在晶圓內(nèi)達(dá)致更統(tǒng)一的熱幅照量、生產(chǎn)較少加工分層的晶圓以削減物料成本），疊加其特殊工藝，能專注于以更低的功耗和更低的成本來(lái)改善產(chǎn)品組合，專注于特定產(chǎn)品而保持競(jìng)爭(zhēng)力，從其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)就能看出，電子消費(fèi)品和來(lái)自中小客戶的各種定制化產(chǎn)品在其的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中則占比較高，而通訊產(chǎn)品產(chǎn)品占比較少，所以專注于8寸代工的華虹半導(dǎo)體，雖然其規(guī)模比不上臺(tái)積電、三星、中芯國(guó)際，但是其毛利率是很高的，僅次于臺(tái)積電，高于中芯國(guó)際和聯(lián)電。

同時(shí)，我們應(yīng)看到摩爾定律下晶圓尺寸的變遷，從6英寸到8英寸再到12英寸。2017年是晶圓廠建設(shè)的大年，全球范圍內(nèi)共計(jì)有27座晶圓廠開(kāi)始投入建設(shè)，其中中國(guó)大陸有12座晶圓廠開(kāi)建。

華虹半導(dǎo)體也在布局12寸晶圓產(chǎn)線——華虹無(wú)錫12寸廠項(xiàng)目在建。華虹半導(dǎo)體占股51%，大基金占股29%，無(wú)錫市人民政府和國(guó)資委合計(jì)占股20%。該項(xiàng)目總投資100億美元，一期項(xiàng)目規(guī)劃投資約25億美元建設(shè)一條月產(chǎn)能約4萬(wàn)片的12英寸生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在19年底實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)在2022年實(shí)現(xiàn)盈利。

與其他在建的12寸代工廠有所不同的是，建華虹無(wú)錫項(xiàng)目，核心還是鞏固夯實(shí)公司的核心壁壘——特殊工藝，來(lái)應(yīng)對(duì)摩爾定律下的對(duì)產(chǎn)品性能提升的要求和所帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇，一方面可以擴(kuò)充公司特殊工藝技術(shù)所需的產(chǎn)能，另一方面可使其特殊工藝技術(shù)從90nm延伸至65/50nm,以覆蓋更為廣泛的產(chǎn)品應(yīng)用,即主要是用特殊工藝來(lái)做更小制程的MCU和卡類產(chǎn)品，并不包括高端IGBT等功率器件產(chǎn)品。

3. 受益于“國(guó)家戰(zhàn)略+地方平臺(tái)+企業(yè)體系”三相支撐，公司有望走出中國(guó)特色晶圓代工發(fā)展道路

3.1. 代工產(chǎn)業(yè)整體分析：代工企業(yè)的兩種普遍發(fā)展思路

晶圓代工產(chǎn)業(yè)整體展現(xiàn)出“一超多弱”的市場(chǎng)格局。臺(tái)積電以55.9%的市場(chǎng)份額高居第一，而其他廠商的市占率均未超過(guò)10%。

這種局面是由于代工巨頭在先進(jìn)制程研發(fā)水平上的巨大差距決定的。先進(jìn)制程讓領(lǐng)先廠商可以通過(guò)靈活的定價(jià)策略在成熟市場(chǎng)中保持主動(dòng)，擠壓落后廠商的市場(chǎng)和利潤(rùn)空間，從而擴(kuò)大自身的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

從制程技術(shù)方面來(lái)看，目前晶圓代工業(yè)中處于技術(shù)第一梯隊(duì)的是臺(tái)積電和三星，其10nm制程技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始投入量產(chǎn)；處于第二技術(shù)梯隊(duì)的是格羅方德和聯(lián)電，其最先進(jìn)的制程工藝為14nm；大陸晶圓代工領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)中芯國(guó)際目前最先進(jìn)的量產(chǎn)制程為28nm，其14nm制程預(yù)計(jì)于2019年投入量產(chǎn)。

臺(tái)積電是目前晶圓代工市場(chǎng)上的絕對(duì)龍頭，市占率達(dá)55.9%，毛利率超50%，率先投入10nm制程，并將于2018年進(jìn)軍7nm制程，在全方位領(lǐng)先所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。臺(tái)積電的巨頭優(yōu)勢(shì)尤其體現(xiàn)在技術(shù)研發(fā)上，其在短時(shí)間內(nèi)完成了先進(jìn)制程從研發(fā)到量產(chǎn)的過(guò)程，甩開(kāi)行業(yè)平均水平一個(gè)時(shí)代以上，巨頭優(yōu)勢(shì)越發(fā)鞏固，這也是臺(tái)積電毛利率高居50%的關(guān)鍵原因。

在這種市場(chǎng)局面下，代工廠一般有兩種發(fā)展路徑。其一：耗費(fèi)大量資金、人員投入到先進(jìn)制程的研發(fā)當(dāng)中，通過(guò)提升自身先進(jìn)制程研發(fā)水平，努力躋身晶圓代工行業(yè)第一梯隊(duì)。如大陸晶圓代工巨頭中芯國(guó)際除了加速實(shí)現(xiàn)14nm FinFET的量產(chǎn)之外，還會(huì)進(jìn)行更先進(jìn)制程研發(fā)；格羅方德14nm工藝來(lái)自于三星的合作授權(quán)，已經(jīng)通過(guò)自主研發(fā)空降至7nm，并預(yù)計(jì)將于今年上半年投入量產(chǎn)。但這種做法存在風(fēng)險(xiǎn)，由于先進(jìn)制程的開(kāi)發(fā)對(duì)研發(fā)投入要求較高，企業(yè)在短時(shí)間內(nèi)需要投入巨大的人力、財(cái)力，將可能造成企業(yè)虧損的局面。

行業(yè)巨頭臺(tái)積電占據(jù)代工市場(chǎng)過(guò)半的份額，而其余處于第二、第三梯隊(duì)的代工廠商們則要通過(guò)競(jìng)爭(zhēng)剩余的市場(chǎng)份額謀求生存和發(fā)展空間。這種情況下，第二種發(fā)展路徑是：通過(guò)代工廠自身掌握的特殊工藝，占據(jù)針對(duì)該工藝的特殊應(yīng)用，從而在第二梯隊(duì)的激烈市場(chǎng)份額競(jìng)爭(zhēng)中殺出一條血路。

由此可見(jiàn)，未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，這種市場(chǎng)情勢(shì)下，代工企業(yè)的發(fā)展通常有兩種路徑：一是在研發(fā)上進(jìn)行大量投入，在先進(jìn)制程研發(fā)水平上努力追趕行業(yè)巨頭的代工廠；一種是深耕特殊工藝晶圓制造，在“一超多弱”的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局中掌握8寸晶圓市場(chǎng)份額，從而獲得發(fā)展空間和機(jī)會(huì)的晶圓代工企業(yè)。

3.2. 華虹集團(tuán)：“國(guó)家戰(zhàn)略+地方平臺(tái)+企業(yè)體系”優(yōu)勢(shì)聯(lián)合，開(kāi)辟晶圓代工中國(guó)特色發(fā)展道路

華虹集團(tuán)作為大陸半導(dǎo)體行業(yè)重要的國(guó)有企業(yè)，開(kāi)辟出了一條具有“中國(guó)特色”的發(fā)展道路，即：既投入先進(jìn)制程工藝的開(kāi)發(fā)，同時(shí)又兼顧體系內(nèi)上市公司盈利能力。通過(guò)“企業(yè)+國(guó)家戰(zhàn)略+地方平臺(tái)”相結(jié)合，在保證公司盈利能力的同時(shí)，進(jìn)軍先進(jìn)制程。

為什么晶圓代工企業(yè)要進(jìn)軍先進(jìn)制程？ 這要從代工市場(chǎng)格局談起。晶圓代工市場(chǎng)已現(xiàn)“一超多弱”的格局，而這一格局的核心就在于先進(jìn)工藝技術(shù)水平的差距。作為行業(yè)巨頭，臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的霸主地位決定了自身對(duì)先進(jìn)制程市場(chǎng)的掌控，也帶來(lái)了極強(qiáng)的議價(jià)能力。

摩爾定律逐漸失效，市場(chǎng)普遍認(rèn)為28nm制程將作為最具性價(jià)比的制程工藝長(zhǎng)期活躍于市場(chǎng)。但是，先進(jìn)制程面向的市場(chǎng)更迭迅速，其客戶具有極高的性能敏感度、不惜花費(fèi)重金爭(zhēng)奪最先進(jìn)制程的產(chǎn)能。先進(jìn)制程的生產(chǎn)成本問(wèn)題并不影響晶圓代工廠的盈利能力，依然能帶來(lái)高營(yíng)收和高毛利率。

除了影響價(jià)格外，先進(jìn)制程讓領(lǐng)先廠商可以通過(guò)靈活的定價(jià)策略在成熟市場(chǎng)中保持主動(dòng)，擠壓落后廠商的市場(chǎng)和利潤(rùn)空間，從而擴(kuò)大自身的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。由此可見(jiàn)，放眼長(zhǎng)遠(yuǎn)，如果要真正崛起，投入先進(jìn)制程的研發(fā)，取得先進(jìn)制程技術(shù)突破，是有發(fā)展野心的晶圓代工廠不能繞過(guò)的必經(jīng)之路。

先進(jìn)制程的研發(fā)需要巨大的資金、人力投入，可能給上市公司帶來(lái)虧損風(fēng)險(xiǎn)。但是華虹集團(tuán)開(kāi)辟了晶圓代工的“中國(guó)特色”的發(fā)展路徑。華虹的發(fā)展，是基于“企業(yè)+國(guó)家戰(zhàn)略+地方平臺(tái)”的合作模式，受惠于國(guó)家集成電路發(fā)展戰(zhàn)略和地方政府合作平臺(tái)，同時(shí)其本身所具有的集團(tuán)體系，也為研發(fā)先進(jìn)制程和維持旗下上市公司盈利能力兩強(qiáng)兼顧提供了實(shí)現(xiàn)的可能。

要論證這種“中國(guó)特色”的晶圓代工發(fā)展道路，繞不開(kāi)“國(guó)家戰(zhàn)略”、“企業(yè)體系”和“地方政府合作平臺(tái)”這三點(diǎn)。

國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（下文中亦稱作“大基金”）的支持為華虹半導(dǎo)體的先進(jìn)制程研發(fā)注入了強(qiáng)大資金支持。放眼 2018 年，大基金初步注資 9.22 億美元，建設(shè)上海華虹集團(tuán)旗下的無(wú)錫 12 寸廠 (Fab 7)，預(yù)計(jì) 2019 投產(chǎn)。大基金除了出資 5.22 億美元取得華虹無(wú)錫 29% 的股權(quán)之外，也出資 4 億美元認(rèn)購(gòu)華虹半導(dǎo)體 18.94% 的持股，整體對(duì)于華虹的投資金額約 9.22 億美元。大基金的注資對(duì)象很大程度上體現(xiàn)了國(guó)家對(duì)集成電路的發(fā)展意志。

華虹集團(tuán)本身作為國(guó)企，是國(guó)家“909”工程的成果和載體。“909”工程投資總額超過(guò)了建國(guó)以來(lái)所有集成電路項(xiàng)目投資的總和、達(dá)到100億元。目前，華虹集團(tuán)正在積極推進(jìn)“909”工程升級(jí)改造，即12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目的建設(shè)。

華虹半導(dǎo)體受益于地方平臺(tái)，作為受國(guó)家集成電路發(fā)展戰(zhàn)略扶持的企業(yè)，與地方政府通力合作，達(dá)到互利雙贏的效果。2017年8月，華虹集團(tuán)與江蘇省無(wú)錫市人民政府在無(wú)錫舉行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式，總投資約100億美元的華虹集團(tuán)集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目正式落戶無(wú)錫高新區(qū)。雙方將積極推動(dòng)多層次的戰(zhàn)略合作，凸顯出地方平臺(tái)發(fā)展優(yōu)勢(shì)。華虹集團(tuán)有望通過(guò)合作帶來(lái)成熟的12寸晶圓產(chǎn)線和成熟的工藝制程、產(chǎn)品；而地方政府也將借這一機(jī)會(huì)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)基地繁榮發(fā)展，形成互利雙贏的局面。

從企業(yè)體系看，華虹集團(tuán)的體系布局為兼顧先進(jìn)制程和盈利能力提供了可能性。華虹集團(tuán)下屬成員有上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（股票代碼：1347.HK）、上海華虹計(jì)通智能系統(tǒng)股份有限公司、上海集成電路研發(fā)中心、上海華力微電子有限公司等子公司；其中，華虹宏力為華虹集團(tuán)旗下上市公司，主要專著研發(fā)及制造專業(yè)應(yīng)用8寸晶圓，尤其是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器及功率器件；而上海華力微電子有限公司為上市公司體外、華虹集團(tuán)體系內(nèi)國(guó)有控股公司，成立于2010年1月，總投資規(guī)模219億。

先進(jìn)制程方面，下屬的華力微電子積極投入，著眼先進(jìn)制程工藝研發(fā)；而華虹宏力作為港股上市公司，也是全球最大的8寸晶圓代工廠，擁有盈利能力的有力保證。華虹集團(tuán)本身的國(guó)企體系，即體現(xiàn)出先進(jìn)制程研發(fā)的意志與決心（華力微電子），又兼顧旗下上市公司盈利能力（華虹宏力）；華力微電子和華虹宏力同為華虹體系下子公司，具有潛在的合作優(yōu)勢(shì)，我們認(rèn)為這種體系將有利于華虹宏力技術(shù)能力的進(jìn)步和業(yè)績(jī)規(guī)模的提升。

華虹集團(tuán)下設(shè)四座制造基地，即金橋基地、張江基地、康橋基地和無(wú)錫基地。目前Fab1、2、3每月可提供166千片8寸晶圓產(chǎn)能；12寸晶圓布局方面，位于張江基地的12英寸工藝工藝引導(dǎo)線和研發(fā)平臺(tái)目前已進(jìn)入16-14nm研發(fā)，目前張江基地Fab5可提供35千片/月的12寸晶圓產(chǎn)能，F(xiàn)ab6、Fab7規(guī)劃在建，有望提80千片/月的新增產(chǎn)能。

華力微電子工藝技術(shù)水平以55nm為起點(diǎn)，并向下延伸至28nm，20nm/16nm等先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，可廣泛用于智能設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)品。公司擁有中國(guó)大陸第一條全自動(dòng)12寸集成電路芯片制造生產(chǎn)線（Fab 5），工藝技術(shù)覆蓋50-44-28各個(gè)節(jié)點(diǎn)，目前在浦東康橋建設(shè)的第二條12英寸生產(chǎn)線（Fab 6）工藝技術(shù)從28nm起步，最終將具備14nm三維工藝的高性能芯片生產(chǎn)能力。目前華力微電子55/40nm產(chǎn)線接近盈利，28/14nm新產(chǎn)線研發(fā)順利進(jìn)行。華力微電子在先進(jìn)制程工藝研發(fā)道路上屢有斬獲，我們認(rèn)為，這正是華虹體系優(yōu)勢(shì)所在。上市公司體外的華力微電子專注先進(jìn)制程研發(fā)，不僅避免了華虹宏力投入大量資金進(jìn)行先進(jìn)制程研發(fā)可能帶來(lái)的虧損風(fēng)險(xiǎn)，也體現(xiàn)了華虹集團(tuán)發(fā)展先進(jìn)制程的意志與光明的發(fā)展前景