在第三代半導體加速滲透的浪潮中，聞泰科技半導體業務堅持研發創新，推出行業領先的SiC Trench MOS，不僅彰顯了技術突破的實力，更成為企業價值增長、推動產業升級的關鍵錨點。

定義業界標桿

公司SiC Trench MOS行業領先

碳化硅（SiC）作為第三代半導體核心材料，在電力電子器件領域的價值日益凸顯。其中，SiC Trench MOS因多重優勢，被視為下一代功率器件的重要方向，但受限于制造工藝，長期以來產業化進程緩慢。

聞泰科技半導體業務以創新為驅動，推出SiC溝槽結構MOSFET（Trench MOS），其工藝在成本和性能上已處于行業領先水平。

什么是溝槽結構MOSFET？相較于傳統平面結構，溝槽結構通過將柵極埋入基體形成垂直溝道，寄生電容更小，開關速度更快，開關損耗顯著降低；同時，通過優化溝道設計，可實現更高溝道遷移率，進一步降低導通電阻，在充電樁、光伏逆變器、電動汽車等場景中，展現出突出的應用價值。

產能前瞻布局

筑牢技術落地的根基

技術突破的同時，公司在產能端開展前瞻布局。公司半導體業務位于德國漢堡晶圓廠的第三代半導體產線將在第四季度完成SiC和GaN中試產線建設；同時，控股股東先行代建的臨港晶圓廠正導入新一代IGBT及BCD工藝。這些產線的落地，將為公司新產品的工藝與成本改善提供支撐，同時助力公司在GaN、SiC、IGBT等領域形成技術與產能的聯動優勢，推動“技術創新—規模效應”的良性循環。盡管新產品在公司業務中占比尚小，但隨著研發的有序推進，有望為未來發展注入新動力。

目前，公司半導體業務自有工廠滿產運行，臨港晶圓廠等第三方代工廠訂單充足，三季度訂單持續向好，為全年增長打下了堅實基礎。

業績穩健增長

彰顯市場高度認可

研發與產能上的持續深耕，正在轉化為實實在在的業績增長。

2025年以來，聞泰半導體業務景氣度持續回升：一季度收入同比增長超8%，經營性凈利潤同比增長超65%；二季度延續增長態勢，收入、凈利潤同比及環比均實現兩位數增長，且凈利潤增速高于收入增速，反映出公司在出貨量提升與成本管控上的雙重成效。

伴隨全球對高效率半導體器件的需求增長，功率半導體有望在新能源汽車、AI數據中心、機器人等領域拓展更大空間。隨著市場趨勢對半導體的依賴性增強，預計半導體業務未來幾年的增長趨勢是積極的。

SiC Trench MOS的推出，是聞泰科技在第三代半導體領域的重要突破。聞泰科技正以其為支點，持續深耕SiC、GaN、IGBT等前沿領域，通過構建領先的制造能力，在技術創新與產業落地中不斷創造價值，為半導體行業的發展注入持續動力。