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陶瓷基板:突破大功率LED散熱瓶頸的關鍵材料

efans_64070792 ? 來源:efans_64070792 ? 作者:efans_64070792 ? 2025-07-24 18:16 ? 次閱讀
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隨著LED技術向大功率、高密度、小型化方向快速發展,散熱問題已成為制約行業進步的主要瓶頸。研究表明,LED結溫每升高10℃,其使用壽命將縮短50%以上。在這一背景下,兼具優異導熱性能和可靠機械特性的陶瓷基板,正成為解決這一技術難題的關鍵材料,下面深圳金瑞欣小編來跟大家講解一下:

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一、為什么偏偏是陶瓷?

熱量離開 LED 芯片的路徑就像高速公路:PN 結→外延層→封裝基板→外殼→空氣?;暹@一段如果“堵車”,前面再寬闊的道路也毫無意義。陶瓷之所以被選中,在于它把“導熱快、絕緣好、熱脹匹配”三種看似矛盾的特性捏合到了一起:

熱導率最高可比傳統樹脂基板高兩個數量級;

介電強度≥15 kV/mm,省去額外絕緣層,讓線路更簡潔;

熱膨脹系數與 GaN、藍寶石等芯片材料“步調一致”,冷熱循環不“撕扯”焊點。

一句話:陶瓷基板把“散熱”和“可靠”寫進了同一份基因。

二、材料江湖的“五虎上將”

如果把陶瓷基板比作一支散熱軍團,那么以下五位“將領”各有絕學,也各有軟肋。

氧化鋁(Al2O3)——“性價比之王”

成熟工藝把 96% 甚至 99% 純度的氧化鋁做成了“白菜價”,30 W/(m·K) 的熱導率雖不算驚艷,但足以讓中功率 LED 穩穩跑在“安全溫度區”。在汽車尾燈、家用射燈這類對成本極度敏感的場景里,氧化鋁仍是“最穩妥的答案”。

氮化鋁(AlN)——“高富帥”

200 W/(m·K) 的導熱能力,幾乎是氧化鋁的 7 倍;電阻率 101? Ω·cm,天生自帶絕緣光環。高亮度車燈、激光投影、5G 基站的大功率白光模組,都在等它把價格“打下來”。一旦國產高純粉體和低溫燒結工藝突破,AlN 的大規模普及將水到渠成。

氧化鈹(BeO)——“隱退的劍客”

250 W/(m·K) 的賬面數據讓 BeO 曾經獨步江湖,但“劇毒”標簽使其在環保法規面前節節敗退。如今,它只出現在衛星通訊、相控陣雷達這類不計成本的“高精尖”領域,民用 LED 已難覓其蹤。

碳化硅(SiC)——“偏科生”

室溫下 270 W/(m·K) 的導熱系數令人垂涎,但 42 的介電常數讓高速信號“步履蹣跚”;再加上高溫絕緣性能滑坡,SiC 更像一位“特長生”——在射頻器件或激光二極管底座上才能發揮全部潛能。

氮化硅(Si3N4)——“全能新秀”

強度是氧化鋁的 2 倍,熱導率實測 80–90 W/(m·K) 且仍在攀升,熱膨脹系數僅 3 ppm/K,與第三代半導體 GaN “天生一對”。AMB(活性金屬釬焊)工藝讓 Si?N? 與銅箔“無縫焊接”,熱循環 5000 次不“掉鏈子”。唯一阻礙它的,是那條 12–15 倍于氧化鋁的價格曲線。

三、下一代戰場:復合基板與三維封裝

當單一材料逼近物理極限,“混搭”就成了新的解題思路。

DBC/AMB 三明治:AlN 或 Si3N4 作“骨架”,上下覆銅作“血管”,熱阻再降 30–40%。

嵌入式熱管:在陶瓷內部激光雕刻微通道,注入相變工質,把“二維散熱”升級為“三維均溫”。

3D 陶瓷封裝:把驅動 IC、傳感器、LED 芯片一次性燒結進同一塊陶瓷立體結構,信號路徑縮短 50%,寄生電感降低一個量級。

陶瓷基板作為大功率LED的核心散熱材料,其技術創新直接關系到半導體照明產業的發展水平。通過多學科交叉創新,持續提升性能、降低成本,陶瓷基板必將為LED技術的突破性發展提供堅實支撐。在這一過程中,產學研各界的協同創新將發揮關鍵作用,更多陶瓷基板相關資訊可以搜索“金瑞欣”進行查看,我們會定期更新資訊,若您有相關需求,歡迎與我們聯系,我們將竭誠為您服務。

審核編輯 黃宇

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