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AI智能電動兩輪車全場景MOSFET解決方案

焦點訊 ? 來源:焦點訊 ? 作者:焦點訊 ? 2025-07-22 16:53 ? 次閱讀
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隨著新能源汽車智能化成為行業(yè)標(biāo)配,兩輪電動車領(lǐng)域也正經(jīng)歷一場深刻的技術(shù)革命。語音交互、自動駕駛輔助、智能導(dǎo)航、無感解鎖等高端功能已不再是四輪專屬,正快速向“小電驢”普及。行業(yè)展會如華南國際電動車展上,搭載無人智駕技術(shù)、能自主應(yīng)對復(fù)雜路況的車型已嶄露頭角,而量產(chǎn)車型中的藍(lán)牙解鎖、語音控制、導(dǎo)航投屏、輔助駕駛等功能更是日益普及。這些智能化功能的實現(xiàn),高度依賴于高效、穩(wěn)定、可靠的電子電力核心——功率MOSFET器件。

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為精準(zhǔn)匹配兩輪電動車智能化升級對功率器件的嚴(yán)苛需求,國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商微碧半導(dǎo)體(VBsemi)憑借深厚的技術(shù)積累,推出了一系列高性能、高可靠性、低功耗的MOSFET產(chǎn)品,覆蓋從核心動力系統(tǒng)到智能感知交互的全鏈條應(yīng)用場景,為兩輪電動車的智能化升級提供堅實的硬件基石。

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兩輪電動車智能化核心模塊對MOSFET的升級需求

智能化功能的爆發(fā)式增長,對以下關(guān)鍵模塊的功率器件提出了更高要求:

1.高效電機驅(qū)動與動力控制:要求MOSFET具備極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))以降低損耗,高開關(guān)速度以實現(xiàn)精準(zhǔn)的PWM控制(如自動調(diào)速、坡道輔助、能量回收),以及優(yōu)異的散熱能力應(yīng)對持續(xù)大電流工作。

2.精密電池管理系統(tǒng) (BMS):需要MOSFET在充電通路、放電通路、電池均衡等環(huán)節(jié)提供低損耗開關(guān)、精準(zhǔn)電流控制和高可靠性,確保電池安全(過充、過放、短路、過溫保護)并最大化續(xù)航里程。

3.智能交互與車機系統(tǒng):為顯示屏、語音模塊、藍(lán)牙/WiFi模塊、各類傳感器(雷達(dá)、攝像頭)等供電的DC-DC轉(zhuǎn)換器,需要高效率、低噪聲、小封裝的MOSFET,尤其注重低靜態(tài)電流以延長待機時間。

4.自動駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS):雷達(dá)、超聲波傳感器、控制單元的供電與信號處理電路,需要高開關(guān)頻率、低Qg (柵極電荷)、優(yōu)異EMI性能的MOSFET,確保傳感器快速響應(yīng)和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

5.車身控制與舒適性系統(tǒng):燈光控制(如自動大燈)、防盜鎖、坐墊感應(yīng)、無鑰匙啟動等,需要高性價比、高可靠性、易于驅(qū)動的MOSFET。

微碧半導(dǎo)體(VBsemi) 全場景MOSFET解決方案推薦

針對上述智能化模塊的痛點,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)提供以下經(jīng)過市場驗證的高性能MOSFET產(chǎn)品組合:

1. 電機驅(qū)動與動力控制模塊 - 澎湃動力的高效基石

應(yīng)用場景:無刷直流電機(BLDC)控制器、電機相線開關(guān)、預(yù)驅(qū)/后級驅(qū)動、能量回收電路。

核心需求:超低 RDS(on), 高電流能力, 高開關(guān)速度, 優(yōu)異熱性能。

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VBsemi推薦產(chǎn)品:

VBGQT1101 (100V, 350A, RDS(on)典型值 1mΩ):極低導(dǎo)通損耗,顯著提升效率,降低溫升,是主驅(qū)開關(guān)的理想選擇。

VBGQA1803 (80V, 140A, 優(yōu)化開關(guān)特性):平衡導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗,提供更快的響應(yīng)速度和更高的系統(tǒng)效率,適用于高性能電機驅(qū)動。

VBGQT11505 (150V, 170A, RDS(on)典型值 5mΩ):更高耐壓等級,為使用更高電池電壓(如72V)或需要更高安全裕量的系統(tǒng)提供可靠保障。

VBGQA1602 (60V, 180A, RDS(on)典型值 1.7mΩ, 低Qg):針對高頻PWM優(yōu)化的型號,開關(guān)損耗更低,適合對動態(tài)響應(yīng)要求極高的應(yīng)用。

2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) - 安全與續(xù)航的守護者

應(yīng)用場景:充放電控制MOSFET (主開關(guān))、電池單體/組均衡開關(guān)、預(yù)充電路、負(fù)載開關(guān)

核心需求:低導(dǎo)通損耗 (減少壓降),高可靠性 (防止失效導(dǎo)致危險),精準(zhǔn)控制能力 (均衡),低柵極電荷 (Qg, 易于驅(qū)動)。

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VBsemi推薦產(chǎn)品:

VBE2625 (60V, 50A, 低RDS(on)):適用于中小電流充放電通路開關(guān)和均衡開關(guān),效率高,溫升小。

VBE1410 (40V, 55A, 超低Qg):極低的柵極電荷,驅(qū)動簡單,開關(guān)速度快,特別適合高頻工作的均衡電路和預(yù)充電路。

VBM1303 (30V, 120A, RDS(on)典型值 3mΩ):超低導(dǎo)通電阻,適用于大電流放電主通路開關(guān),最大限度降低通路損耗,提升放電效率與續(xù)航。

VBE1104N (100V, 40A):更高耐壓版本,適用于多串鋰電池組的主開關(guān)保護,提供更強的安全隔離能力。

3. 智能交互、車機與ADAS系統(tǒng) - 智慧體驗的能量核心

應(yīng)用場景:車載信息娛樂系統(tǒng)供電(DC-DC Buck/Boost)、儀表盤/中控屏背光、語音模塊/藍(lán)牙/WiFi模塊供電、雷達(dá)/超聲波傳感器供電、攝像頭模組供電、控制單元(ECU)電源

核心需求:高效率 (延長小電池待機),低靜態(tài)電流 (休眠功耗),小尺寸封裝 (節(jié)省空間),低噪聲 (避免干擾敏感信號),高開關(guān)頻率 (減小外圍元件)。

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VBsemi推薦產(chǎn)品:

VB1330 (30V, 5A, RDS(on)典型值 30mΩ, 超低靜態(tài)電流):專為低功耗待機和常電應(yīng)用設(shè)計,休眠功耗極低,是傳感器、小功率模塊的理想負(fù)載開關(guān)或同步整流下管。

VBE1206 (20V, 100A, RDS(on)典型值 4.5mΩ, 高頻特性優(yōu)異):優(yōu)秀的開關(guān)性能,適用于12V系統(tǒng)內(nèi)的DC-DC同步整流或功率開關(guān),效率高,發(fā)熱小。

VBE1638 (60V, 45A, RDS(on)典型值 25mΩ):適用于48V轉(zhuǎn)12V/5V等非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器(Buck)的同步整流或主開關(guān),高效率供電的核心器件。

VBQF1206 (20V, 58A, DFN3x3 超小封裝):空間受限應(yīng)用的絕佳選擇,如緊湊型雷達(dá)模塊、攝像頭模組內(nèi)部的電源轉(zhuǎn)換,提供高效、小巧的解決方案。

4. 車身控制與舒適性模塊 - 便捷可靠的執(zhí)行單元

應(yīng)用場景:LED大燈/尾燈/氛圍燈驅(qū)動、防盜鎖電機/電磁閥驅(qū)動、坐墊感應(yīng)開關(guān)、無鑰匙進(jìn)入系統(tǒng)(RFID)供電、喇叭驅(qū)動。

核心需求:高可靠性,高性價比,足夠的電流驅(qū)動能力,易于集成。

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VBsemi推薦產(chǎn)品:

VB1330 (30V, 6.5A, SOT-23 封裝):通用型小功率開關(guān)MOSFET,成本效益高,廣泛用于燈光控制、小電機驅(qū)動、信號開關(guān)等。

VB2290 (20V, 4A, SOT-23 封裝):適用于更小電流負(fù)載,如信號切換、低功率LED驅(qū)動

VBA1311 (20V, 13A, SOP-8 封裝):驅(qū)動能力更強,適用于大功率LED燈組或小型直流電機(如防盜鎖)。

微碧半導(dǎo)體(VBsemi) MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢

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先進(jìn)溝槽工藝:實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的低RDS(on),顯著降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率和續(xù)航里程。

優(yōu)化開關(guān)特性:精心設(shè)計的低Qg (柵極電荷)和低Qrr (反向恢復(fù)電荷),提升開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗,優(yōu)化EMI性能,尤其適合高頻PWM控制的電機驅(qū)動和DC-DC轉(zhuǎn)換。

卓越的熱管理:芯片設(shè)計與封裝技術(shù)(如TOLL, TO-252, DFN, SOP-8等)結(jié)合,提供優(yōu)異的散熱性能,確保器件在高溫、高負(fù)載下穩(wěn)定工作,延長使用壽命。

超低功耗設(shè)計:針對待機和常電應(yīng)用,提供極低靜態(tài)電流 (uA級)的系列產(chǎn)品,有效降低整車暗電流,延長電池待機時間。

可靠性與一致性:產(chǎn)品設(shè)計、制造和測試過程遵循嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn),確保在電動車復(fù)雜的振動、溫度、濕度環(huán)境下保持高可靠性和批次間一致性。

賦能智能出行未來

兩輪電動車的智能化浪潮勢不可擋,其核心在于電子電力系統(tǒng)的全面升級。微碧半導(dǎo)體(VBsemi)深刻理解行業(yè)需求,憑借覆蓋動力、電源、控制、感知全鏈條的高性能MOSFET解決方案,為兩輪電動車制造商提供高效、可靠、節(jié)能的核心器件支持。

從提升動力響應(yīng)與續(xù)航的電機驅(qū)動,到保障電池安全與壽命的BMS,再到實現(xiàn)智能交互與自動駕駛的各類電子系統(tǒng),VBsemi MOSFET都是智能化功能穩(wěn)定運行的堅實后盾。選擇微碧半導(dǎo)體(VBsemi),即是選擇為您的智能電動車注入一顆強勁而可靠的“芯”。

隨著L2級輔助駕駛、V2X車聯(lián)網(wǎng)等更高級別智能功能在兩輪車上的探索與應(yīng)用,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)將持續(xù)投入研發(fā),不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能,與行業(yè)伙伴攜手,共同推動兩輪電動車向更智能、更安全、更高效的方向加速邁進(jìn)。

關(guān)于微碧半導(dǎo)體(VBsemi):
微碧半導(dǎo)體(VBsemi)是中國領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體設(shè)計公司,專注于功率器件(MOSFET, IGBT, SiC/GaN器件及模塊)的研發(fā)、設(shè)計和銷售。公司產(chǎn)品以高性能、高可靠性、高性價比著稱,廣泛應(yīng)用于新能源汽車(含兩輪/三輪)、充電樁、光伏儲能、工業(yè)控制消費電子等領(lǐng)域。微碧半導(dǎo)體(VBsemi)堅持以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展,致力于為全球客戶提供卓越的功率解決方案,賦能綠色能源與智慧出行。

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審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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