電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測(cè)試，正就量產(chǎn)供應(yīng)展開(kāi)磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計(jì)算約為10億Gb級(jí)別左右，量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)最早從今年下半年延續(xù)至明年。目前博通憑借自有半導(dǎo)體設(shè)計(jì)能力，正為谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。

此外，三星電子也積極推進(jìn)向亞馬遜云服務(wù)（AWS）供應(yīng)HBM3E 12層產(chǎn)品，近期已在平澤園區(qū)啟動(dòng)實(shí)地審核。AWS計(jì)劃明年量產(chǎn)搭載該存儲(chǔ)器的下一代AI芯片"Trainium 3"。

7月8日，三星電子在韓國(guó)公布2025年第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為4.60萬(wàn)億韓元，低于分析師預(yù)期的6.18萬(wàn)億韓元；銷(xiāo)售額為74.00萬(wàn)億韓元，也低于預(yù)期的75.77萬(wàn)億韓元，主要因美國(guó)制度和庫(kù)存問(wèn)題導(dǎo)致非記憶芯片業(yè)績(jī)下滑。

三星電子已在位于平澤的P1和P3生產(chǎn)線上量產(chǎn)HBM3E 12層。三星此前設(shè)定目標(biāo)，計(jì)劃將今年HBM總供應(yīng)量擴(kuò)大至上年兩倍的80-90億Gb水平。

但韓媒報(bào)道，三星電子已于第二季度末減少了12層HBM3E的產(chǎn)量。三星電子今年第二季度HBM3E 12層硅片的產(chǎn)量預(yù)計(jì)平均每月7萬(wàn)至8萬(wàn)片。 然而，三星電子在第二季度末大幅減少了晶圓投入，目前的產(chǎn)量為每月3萬(wàn)至4萬(wàn)片。

原因是原本計(jì)劃在今年年中向英偉達(dá)供應(yīng)該產(chǎn)品，但隨著談判的拖延，下半年需求的不確定性加劇。三星電子最初的目標(biāo)是在6月份完成測(cè)試，但測(cè)試或?qū)⒆钸t在9月份完成。業(yè)內(nèi)人士表示，發(fā)熱問(wèn)題仍在討論中。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)伯恩斯坦分析預(yù)計(jì)，到2025年SK海力士仍將以57%的占有率保持領(lǐng)先，但三星(27%)和美光(16%)的追趕將使市場(chǎng)格局更趨均衡。

最近，三星開(kāi)始向AMD供應(yīng)其 12 層HBM3E。該公司還與多家客戶(hù)合作開(kāi)發(fā)定制的 HBM4 產(chǎn)品，預(yù)計(jì)該產(chǎn)品將從明年開(kāi)始為公司帶來(lái)收入。

其他廠商方面，SK海力士展示HBM4技術(shù)，其容量可達(dá)48GB，帶寬高達(dá)2.0TB/s，I/O速度為8.0Gbps，SK海力士表示計(jì)劃在2025年下半年進(jìn)行量產(chǎn)。SK海力士還擁有全球首例16層HBM3E技術(shù)，帶寬為1.2TB/s。另外，美光科技已將12層堆疊36GB HBM4送樣給多家主要客戶(hù)，是繼SK海力士后第二家宣布出貨HBM4的業(yè)者。美光HBM4預(yù)計(jì)將于2026年量產(chǎn)，以配合客戶(hù)下一代AI平臺(tái)的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度。

三星芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人全永鉉在3月股東大會(huì)上承認(rèn)，HBM市場(chǎng)的早期失利導(dǎo)致落后于SK海力士，并承諾在HBM4領(lǐng)域絕不再重蹈覆轍，這款下一代內(nèi)存將應(yīng)用于英偉達(dá)的Rubin GPU架構(gòu)。

現(xiàn)階段，三星一方面與英偉達(dá)就12層HBM3E的認(rèn)證還需要時(shí)間，另一方面全球科技巨頭的ASIC自研芯片為三星提供了HBM3E出貨的新途徑。