最近幾年國內(nèi)LED燈市場發(fā)展迅速，對于消費者多樣化需求LED燈市場競爭十分激烈，那么LED芯片行業(yè)發(fā)展前景會是怎么樣的呢？

我國LED產(chǎn)業(yè)由封裝起步發(fā)展，初期芯片主要依賴進口。近年來，在下游旺盛需求的拉動及各地政策的支持下，國內(nèi)主要LED芯片企業(yè)加大研發(fā)投入，積極制定擴產(chǎn)計劃，芯片環(huán)節(jié)的投資力度不斷提升，使得國內(nèi)LED芯片行業(yè)加速發(fā)展。2014年我國芯片國產(chǎn)化率即已達到80％，隨著國內(nèi)芯片企業(yè)技術(shù)的快速進步，目前芯片已基本實現(xiàn)全部國產(chǎn)化，并已有部分行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)開始向國際市場出口LED片或芯片產(chǎn)品。

發(fā)展前景

近年來，LED 產(chǎn)業(yè)鏈中各環(huán)節(jié)的技術(shù)發(fā)展和工藝改進，推動了 LED 成本大幅下降，促進了 LED 應(yīng)用全面發(fā)展。LED 外延生長和芯片制造是 LED 生產(chǎn)過程中最為核心的環(huán)節(jié)，其技術(shù)發(fā)展水平?jīng)Q定了 LED 應(yīng)用的滲透范圍。提高發(fā)光效率（lm／W）和降低單位成本（元／lm）是 LED 外延芯片行業(yè)技術(shù)發(fā)展的主要目標。

發(fā)光效率是 LED 產(chǎn)品的標志性技術(shù)指標，發(fā)光效率除了影響 LED 芯片的亮度及能耗外，也影響著 LED 芯片的成本及可靠性。近年來，為了提高發(fā)光效率，研究人員在提升 LED 內(nèi)量子效率及光提取效率方面做了大量的研發(fā)工作，提出了 PSS 襯底外延片、粗化外延表面、金屬鍵合剝離、倒裝芯片結(jié)構(gòu)、垂直芯片結(jié)構(gòu)等技術(shù)，使得 LED 發(fā)光效率得到了大幅提升。LED 光源器件的封裝暖白發(fā)光效率已達到 140lm／W 左右、封裝冷白發(fā)光效率已達到 170lm／W 左右，國際主流實驗室水平已達到 230lm／W。2014 年 3月發(fā)布了發(fā)光效率為 303lm／W 的 LED，實現(xiàn) LED 技術(shù)發(fā)光效率進一步提升。

近幾年，由于我國政府政策支持及企業(yè)研發(fā)資金密集投入，并伴隨大量我國***地區(qū)和韓國 LED 產(chǎn)業(yè)技術(shù)專家和團隊加入本土企業(yè)，國內(nèi) LED 外延芯片企業(yè)的平均技術(shù)水平有了長足發(fā)展，已經(jīng)達到國際先進水平。

降低外延、芯片成本對推廣 LED 應(yīng)用至關(guān)重要。近年來，研究人員從新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新工藝著手，通過技術(shù)創(chuàng)新，不斷降低外延、芯片生產(chǎn)成本。白光 LED 封裝的成本將從 2009 年的 25 美元／klm 降至 2020年的 0．7 美元／klm，LED 成本的終極目標為 0．5 美元／klm，平均每年的成本下降在 30％以上。

除發(fā)光效率及單位成本外，在 LED 顯示屏、背光源等應(yīng)用領(lǐng)域，LED 芯片的光衰、亮度、色度一致性以及抗靜電能力也是關(guān)系 LED 應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)指標。

LED芯片領(lǐng)域技術(shù)門檻較高，LED封裝領(lǐng)域競爭較為激烈，行業(yè)集中度不斷提升；LED應(yīng)用領(lǐng)域行業(yè)滲透率不斷提升，傳統(tǒng)應(yīng)用增速放緩，新興應(yīng)用增速超過傳統(tǒng)應(yīng)用。