力旺電子宣布，其一次性可編程內存（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse已于臺積電N3P制程完成可靠度驗證。N3P制程為臺積電3奈米技術平臺中，針對功耗、效能與密度進行優化的先進制程，適用于高效能運算（HPC）、人工智能（AI）、行動裝置及數據中心等關鍵領域。NeoFuse OTP作為力旺首個在N3P制程完成驗證的OTP，再次彰顯力旺在先進制程內存解決方案的領先地位，為先進AI與HPC芯片提供安全內存支持。

本次于臺積電N3P先進制程完成可靠度驗證的NeoFuse OTP解決方案展現卓越效能，提供高達4K40的OTP密度，以及0.55V至0.96V的寬廣操作電壓范圍，這不僅支持高容量數據儲存，也提供充足空間來實現可靠性機制。這對于需要高密度SRAM的AI SoC、HPC或汽車應用至關重要，亦能靈活適應多元應用場景。

在此基礎上，力旺亦提供整合NeoPUF技術的NeoFuse OTP安全強化版本，不僅顯著提升產品的安全性與應用彈性，同時協助客戶節省開發資源、快速導入量產。此版本以一站式系統級設計為核心，具備高度整合性，可無縫對接經過設計驗證的全功能控制器，支持錯誤校正碼（ECC）與投票機制（Voting Mechanism）的雙重可靠性設計，有效增強內存系統可靠性與數據完整性。搭配通過驗證的系統級接口整合模塊（Wrapper），并結合標準APB接口與SRAM修復專用的MBIST工具接口等相關API，此版本不僅可進一步實現真隨機數產生器（TRNG）的生成，提供硬件級的安全防護，更能強化系統整合、內存自我測試與快速修復數據能力，對應安全啟動、硬件信任根、裝置認證與密鑰管理等關鍵功能，大幅提升芯片抗攻擊能力、提高良率并加速產品上市。

無論是NeoFuse OTP，或具備進階安全功能的強化版本，均符合TSMC9000的質量標準，并憑借高度整合與可擴展架構，廣泛應用于微控制器（MCU）、網絡通訊芯片、現場可編程門陣列（FPGA）、固態硬盤控制器（SSD）、AI及HPC等各類裝置，涵蓋從終端應用到高階運算平臺。目前，力旺NeoFuse OTP已獲多家客戶采用，并完成在N3P制程的設計導入，預計于近期進入芯片試產階段。

「NeoFuse OTP于臺積電N3P制程順利完成可靠度驗證，不僅展現其成熟穩定的制程兼容性，也體現力旺與臺積攜手支持共同客戶的成果，進一步反映雙方對高效能與高安全性應用市場的長期投入與承諾。」力旺電子執行副總經理暨營運長盧俊宏表示。「我們將持續深化與臺積電的合作關系，推動先進制程內存技術的持續創新。」

「面對AI與高效能運算（HPC）等市場的快速發展，我們與力旺電子等臺積電開放創新平臺（OIP）伙伴的合作，充分展現了臺積公司賦能客戶的堅定承諾。」臺積公司北美生態系暨聯盟管理處資深處長Lluis Paris表示。「透過結合我們業界領先的技術以及來自OIP伙伴經過驗證的設計解決方案，我們協助客戶克服日益復雜的設計挑戰，并共同推動這些關鍵領域的下一波創新。」