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TPS50601A-SP 抗輻射 QMLV、3V 至 7V 輸入、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-06-23 10:27 ? 次閱讀

TPS50601A-SP 是一款抗輻射 7V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,通過高效率并集成高側(cè)和低側(cè) MOSFET 來針對小型設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化。通過電流模式控制進(jìn)一步節(jié)省空間,從而減少元件數(shù)量,并實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率,從而減少電感器的占用空間。這些器件采用超小型、熱增強(qiáng)型 20 引腳陶瓷扁平封裝。

輸出電壓啟動斜坡由 SS/TR 引腳控制,允許作為獨(dú)立電源或在跟蹤情況下運(yùn)行。通過正確配置 enable 和 open drain power good 引腳,也可以進(jìn)行電源排序。此外,TPS50601A-SP 可配置為主從模式,以提供高達(dá) 12A 的輸出電流。
*附件:tps50601a-sp.pdf

高側(cè) FET 上的逐周期電流限制可在過載情況下保護(hù)器件,并通過低側(cè)拉電流限制來防止電流失控。還有一個低側(cè)灌電流限制,可關(guān)閉低側(cè) MOSFET,以防止反向電流過大。當(dāng)芯片溫度超過熱關(guān)斷溫度時,熱關(guān)斷功能將禁用該器件。

特性

  • 5962-10221:
    • 抗輻射強(qiáng)度高達(dá) TID 100 krad(Si)
    • 無 ELDRS 100 克拉德 (Si) – 10 毫拉德 (Si)/秒
    • 單 lhup (SEL) 對LET = 75 MeV-cm 的免疫力 ^2^ /毫克
    • SEB 和 SEGR 對 75 MeV-cm 的免疫力 ^2^ /mg,可用的 SOA 曲線
    • 提供 SET/SEFI 橫截面圖
  • 峰值效率:96.6% (V O = 3.3 V)
  • 集成 58mΩ/50mΩ MOSFET
  • 電源軌:VIN 上 3 至 7 V
  • 6A 最大輸出電流
  • 靈活的開關(guān)頻率選項(xiàng):
    • 100kHz 至 1MHz 可調(diào)內(nèi)部振蕩器
    • 外部同步能力:100 kHz 至 1 MHz
    • 同步引腳可配置為 500kHz 輸出,用于主/從應(yīng)用
  • 0.804V ±1.5% 基準(zhǔn)電壓源過熱、輻射以及線路和負(fù)載調(diào)節(jié)
  • 單調(diào)啟動至預(yù)偏置輸出
  • 通過外部電容器實(shí)現(xiàn)可調(diào)節(jié)軟啟動
  • 用于電源排序的輸入使能和電源就緒輸出
  • 用于欠壓和過壓的電源良好輸出監(jiān)視器
  • 可調(diào)輸入欠壓鎖定 (UVLO)
  • 20 引腳超小型、熱增強(qiáng)型陶瓷扁平封裝 (HKH),適用于太空應(yīng)用

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

  • ?制造商?:Texas Instruments
  • ?型號?:TPS50601A-SP
  • ?類型?:7V, 6A同步降壓(Buck)轉(zhuǎn)換器

2. 主要特性

  • ?輸入電壓范圍?:3V至7V
  • ?輸出電壓?:可調(diào)
  • ?最大輸出電流?:6A
  • ?開關(guān)頻率?:100kHz至1MHz,可調(diào)
  • ?集成MOSFET?:PMOS高側(cè),NMOS低側(cè)
  • ?保護(hù)功能?:過壓保護(hù)(OVP)、過流保護(hù)、熱關(guān)斷
  • ?啟動特性?:安全單調(diào)啟動,內(nèi)部上拉電流源
  • ?軟啟動/跟蹤?:SS/TR引腳支持慢啟動和電源排序
  • ?電源良好指示?:PWRGD引腳,帶滯回

3. 功能描述

  • ?控制模式?:固定頻率,峰值電流模式控制
  • ?電壓參考?:內(nèi)部精密電壓參考
  • ?輸出調(diào)整?:通過VSENSE引腳和電阻分壓器設(shè)置輸出電壓
  • ?安全啟動?:防止低側(cè)MOSFET對預(yù)偏置輸出放電
  • ?誤差放大器?:跨導(dǎo)誤差放大器,頻率補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)
  • ?斜坡補(bǔ)償?:防止次諧波振蕩
  • ?使能/UVLO?:EN引腳控制,可調(diào)UVLO閾值
  • ?同步/外部時鐘?:SYNC引腳支持外部時鐘同步

4. 應(yīng)用場景

  • ?需要高效電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用?
  • ?空間受限的應(yīng)用?
  • ?需要高電流輸出的應(yīng)用?

5. 典型應(yīng)用電路

  • ?降壓轉(zhuǎn)換器?:提供詳細(xì)的電路原理圖、設(shè)計(jì)步驟和元件選擇指南
  • ?并聯(lián)操作?:支持主從模式并聯(lián),提供12A輸出電流

6. 性能曲線

  • ?效率曲線?:展示不同輸入電壓和負(fù)載電流下的效率
  • ?電壓參考溫度特性?:展示電壓參考隨溫度的變化
  • ?振蕩器頻率溫度特性?:展示內(nèi)部振蕩器頻率隨溫度的變化

7. 設(shè)計(jì)指南

  • ?元件選擇?:提供電感、電容、電阻等元件的選擇指南
  • ?PCB布局?:給出PCB布局建議,以最小化噪聲和干擾
  • ?補(bǔ)償設(shè)計(jì)?:提供頻率補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)和計(jì)算步驟

8. 封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:CFP(HKH)-20引腳
  • ?訂購選項(xiàng)?:提供多種封裝和溫度等級選項(xiàng)

9. 支持文檔與工具

  • ?技術(shù)文檔?:包括數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用指南和參考設(shè)計(jì)
  • ?設(shè)計(jì)工具?:推薦使用TI的WEBENCH? Power Designer進(jìn)行設(shè)計(jì)仿真
  • ?社區(qū)資源?:TI E2E?在線社區(qū)提供技術(shù)支持和問題解答

10. 注意事項(xiàng)

  • ?元件選擇?:確保所選元件符合規(guī)格要求,以保證系統(tǒng)性能
  • ?PCB布局?:遵循布局指南,以減少噪聲和干擾
  • ?熱管理?:確保足夠的散熱措施,避免設(shè)備過熱
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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