概述
ADuM3123是一款4.0 A隔離式單通道驅(qū)動器，采用ADI的iCoupler ^?^ 技術(shù)提供精密解決方案。 ADuM3123提供3000 V rms隔離，采用窄體8引腳SOIC封裝。 這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于脈沖變壓器和柵極驅(qū)動器組合等替代器件的出色性能特征。

ADuM3123采用3.0 V至5.5 V電源電壓工作，可與低壓系統(tǒng)兼容。 與采用高壓電平轉(zhuǎn)換方法的柵極驅(qū)動器相比，ADuM3123的輸入與輸出之間具有真電流隔離優(yōu)勢。 輸出相對輸入的連續(xù)工作電壓高達380 V rms。

因此，ADuM3123可以在很寬的正或負切換電壓范圍內(nèi)，可靠地控制IGBT/MOSFET配置的開關(guān)特性。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADUM3123隔離式精密柵極驅(qū)動器，4A輸出技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 開關(guān)電源
• 隔離式IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器
• 工業(yè)逆變器

特性

• 峰值輸出電流：4.0 A
• 隔離式工作電壓
  副邊至輸入端： 537 V
• 高工作頻率： 1 MHz（最大值）
• 3.3 V至5 V輸入邏輯
• 4.5V至18 V輸出驅(qū)動
• UVLO：2.5 V VDD1
• 精密時序特性
  隔離器和驅(qū)動器傳播延遲：64 ns（最大值）
• CMOS輸入邏輯電平
• 高共模瞬變抗擾度： >25 kV/μs
• 工作結(jié)溫高達： 125°C
• 默認低電平輸出
• 8引腳窄體SOIC封裝

框圖

引腳配置描述

典型性能特征

應(yīng)用信息

印刷電路板（PCB）布局

ADuM1323數(shù)字隔離器的邏輯接口、電源及外部接口電路無需外部功率器件。強烈建議在輸入和輸出電源引腳處進行電源去耦，以實現(xiàn)良好的高頻性能。去耦電容值推薦在0.01μF至0.1μF之間，為電源提供高電容值通路。

此外，在輸出電源引腳（VDD1和VDD2）上，建議連接一個10μF的鉭電容或陶瓷電容，以在驅(qū)動ADuM1323輸出時，為對柵極電容充電所需的瞬時電流提供電荷。當開關(guān)瞬態(tài)期間對柵極電容充電時，由于電容的使用，輸出電壓降會降低。在輸出電源引腳上使用去耦電容可減少電壓降。輸出電源引腳的去耦電容應(yīng)放置在盡可能靠近較小的20引腳封裝的輸入或輸出電源引腳處，以獲得最佳性能。

傳播延遲相關(guān)參數(shù)

傳播延遲是描述邏輯信號在ADuM1323組件中傳輸所需時間的參數(shù)。傳播延遲規(guī)格通常定義為從輸入邏輯信號的上升沿（見圖17）到輸出邏輯信號的相應(yīng)上升沿的時間，即從輸入邏輯閾值VIH的10%上升點到輸出邏輯閾值VOL的50%上升點的時間。同樣，下降傳播延遲tPHL定義為從輸入邏輯信號的下降沿（輸入邏輯閾值VIL的90%下降點）到輸出邏輯信號的下降沿（輸出邏輯閾值VOH的50%下降點）的時間。上升和下降時間與VCC電源電壓無關(guān)。傳播延遲的額定值是典型值，該行業(yè)標準適用于柵極驅(qū)動器。

傳播延遲偏差是指在相同條件下，多個ADuM1323組件之間傳播延遲的最大差異量。

#熱限制和開關(guān)負載特性

對于隔離式柵極驅(qū)動器，輸入和輸出電路之間需要電氣隔離，這使得無法使用單個熱通路器件，因此熱量主要通過封裝耗散。

有效負載電容、外部串聯(lián)電阻、開關(guān)頻率、工作電壓和占空比決定了主要的功耗。要計算每個通道內(nèi)的功耗，請使用以下公式：

其中：

• C_{EFF} 是負載的有效電容。
• V_{DD2} 是次級側(cè)電源電壓。
• f_{SW} 是開關(guān)頻率。
• R_{GATE} 是ADuM1323的開關(guān)電阻（R_{GATE}：R_{P}、R_{N}）。
• R_{DS(ON)} 是外部柵極電阻。

要找到結(jié)溫相對于環(huán)境溫度的值，需將總功耗乘以theta_{JA}（熱阻，即從結(jié)到環(huán)境的熱阻），然后加上環(huán)境溫度，即可得到內(nèi)部結(jié)溫。

每個ADuM1323隔離器輸出都有熱關(guān)斷保護功能。該功能通常在結(jié)溫達到約150°C時觸發(fā)，此時保險絲功能啟動，輸出切換到低電平。當結(jié)溫從關(guān)斷值下降約10°C時，輸出恢復(fù)。

輸出負載特性

ADuM1323輸出信號決定了輸出的特性，其輸出級本質(zhì)上是一個N溝道MOSFET。柵極驅(qū)動器負載響應(yīng)可使用典型的MOSFET模型進行建模，其中包含由于PCB走線（R_{TRACE}）、串聯(lián)柵極電阻（R_{GATE}）和柵極到源極電容（C_{GS}）導致的阻抗，如圖18所示。

R_{GATE} 是ADuM1323內(nèi)部驅(qū)動器輸出的開關(guān)電阻（典型值：上拉為0.95Ω，下拉為0.6Ω），R_{SERIES} 是MOSFET柵極資源的外部串聯(lián)電阻（典型值：N溝道MOSFET需要約2.2Ω的柵極電阻來限制柵極電流，典型值為1 A的柵極電流對應(yīng)約4 nF的柵極到源極電容 ） 。