KL6N137是一款具備高共模抑制比（CMR）及高速TTL兼容特性的光耦合器，它巧妙地融合了砷化鎵發光二極管與集成高增益光電探測器。該器件設計有一個VE使能端，用以控制探測器的觸發狀態。探測器集成電路的輸出端采用開集電極（OC）肖特基箝位晶體管配置。這一創新設計不僅實現了交流與直流電路的最大化隔離，還確保了與TTL邏輯電平的完美兼容，從而保障了系統的穩定無故障運行。

高速性能典型值達10 MBd，且與LSTTL/TTL標準兼容；具備低輸入電流特性，僅為5 mA。在工業溫度范圍（-40℃至+85℃）內，可確保交流與直流性能的穩定性。提供8針DIP、DIP-M及SMD封裝形式。產品通過UL安全隔離認證，耐壓值為5000 Vrms/60s，符合UL、VDE、CQC等多項安全標準。

適用于隔離線路接收器、計算機外圍接口、微處理器系統接口、A/D與D/A轉換中的數字隔離、開關電源儀器的輸入/輸出隔離、地環路消除、脈沖變壓器替代、電機驅動中的功率晶體管隔離，以及高速邏輯系統的隔離應用。

設計注意事項：

·傳輸延遲：典型值可能為50~100 ns（需確認規格），需滿足系統時序要求。

·隔離電壓：需確認器件是否支持應用所需的工作電壓（如5 kVrms或更高）。

·使能端控制：若VE接固定電平，需注意上電順序對系統狀態的影響。

·支持10 Mbps以上數據傳輸速率（假設值，需確認規格書），適配高速數字接口。

·輸出為開集電極（OC）結構，需外接上拉電阻至TTL電平（如5V），直接與TTL/CMOS邏輯接口連接。

·開集電極（OC）和發射端的電路設置，是影響傳輸速率的關鍵參數。