概述
DS4510是CPU監(jiān)控電路,具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口,使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps)進(jìn)行通信。I/O引腳可以用作通用I2C至并行I/O擴展器,具有無限制讀寫的能力。EEPROM寄存器允許調(diào)節(jié)I/O引腳的上電值,由此在上電過程跟蹤系統(tǒng)的狀態(tài)。該CPU監(jiān)控器的定時器可以在125ms至1000ms之間調(diào)整以滿足大多數(shù)應(yīng)用的需要。
數(shù)據(jù)表:*附件:DS4510 CPU監(jiān)控電路,具有非易失存儲器和可編程輸入 輸出技術(shù)手冊.pdf
應(yīng)用
特性
- 5V電源精確的5%、10%或15%門限值監(jiān)視
- 在V
CC返回容限范圍后,可編程的復(fù)位定時器將維持復(fù)位狀態(tài) - 具有可選擇內(nèi)部上拉電阻的四個可編程、NV、數(shù)字I/O引腳
- 64字節(jié)的用戶EEPROM
- 減少了對分立元件的需求
- I2C兼容的串行接口
- 10引腳μSOP封裝
引腳配置描述
操作電路
交流電氣特性
典型操作特性
詳細(xì)說明
DS4510 包含一個 CPU 監(jiān)控器、四個可編程 I/O 引腳以及一個 64 字節(jié)的 EEPROM 存儲器。所有功能均可通過業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 I2C 兼容總線進(jìn)行配置和控制。DS4510 的非易失性寄存器采用 SRAM 映射的 EEPROM(即影子 EEPROM)實現(xiàn)。該存儲器可配置為作為易失性 SRAM 或非易失性 EEPROM 運行,通過調(diào)整配置寄存器(SEEPROM)中的 SEE 位來實現(xiàn)。將這些寄存器配置為 SRAM 可消除 EEPROM 寫入時間,并允許對這些寄存器進(jìn)行無限次循環(huán)寫入。將寄存器配置為 EEPROM 可讓應(yīng)用程序更改上電時調(diào)用的電源電平值。
可編程 CPU 監(jiān)控器
通過向復(fù)位延遲寄存器(EEPROM)寫入來調(diào)整超時周期。AC 電氣特性中給出了每個設(shè)置的延遲時間。如果設(shè)置了 SEE 位,更改將寫入 SRAM。在上電時,最后一個值也會寫入 EEPROM 中。I2C 總線用于通過設(shè)置配置寄存器中的 SWRT 位來激活 RST 引腳。超時周期結(jié)束后,該位會自動復(fù)位為零。配置寄存器還包含就緒位、閾值點和復(fù)位狀態(tài)位。就緒位用于判斷 DS4510 的上電復(fù)位電平是否被 VCC 超過。閾值點用于判斷 VCC 是否高于 VCTP。如果 RST 處于有效狀態(tài),則設(shè)置復(fù)位狀態(tài)位。
注意:RST 引腳為集電極開路輸出,因此需要一個外部上拉電阻,以實現(xiàn)高邏輯電平。
可編程非易失性數(shù)字 I/O 引腳
每個可編程 I/O 引腳都包含一個輸入、一個集電極開路輸出以及一個可選擇的內(nèi)部上拉電阻。DS4510 將 I/O 引腳的更改存儲在 EEPROM 存儲器中。將 SEEPROM 用作 SRAM 對應(yīng)用程序有益,因為 I/O 擴展通常需要快速訪問時間和對 I/O 引腳進(jìn)行頻繁修改。配置 SEE 位以在 EEPROM 模式下運行,可允許更改 I/O 引腳的上電狀態(tài)。上電時,I/O 引腳為高阻抗?fàn)顟B(tài),直到 VCC 超過 2.0V(典型值),此時從 EEPROM 中調(diào)用最后一個值。掉電時,I/O 狀態(tài)由 VCC 降至 1.9V(典型值)來維持。
I/O 引腳的內(nèi)部上拉電阻由上拉使能寄存器(F0h)控制。同樣,各個 I/O 控制寄存器(F4h 至 F7h)用于調(diào)整下拉電阻。
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