UCC20225-Q1 系列是單輸入、雙輸出隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流，采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率晶體管，具有一流的傳播延遲和脈寬失真。

輸入側(cè)通過 2.5kV 與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔離RMS隔離柵，具有最小 100V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI）。兩個(gè)輸出側(cè)驅(qū)動(dòng)器之間的內(nèi)部功能隔離允許高達(dá) 700V 的工作電壓 直流 .
*附件：ucc20225a-q1.pdf

UCC20225-Q1 系列允許通過 DT 引腳上的電阻器實(shí)現(xiàn)可編程死區(qū)時(shí)間。DIS 引腳在設(shè)置為高電平時(shí)同時(shí)關(guān)閉兩個(gè)輸出，并在保持接地時(shí)允許正常作。

該器件接受高達(dá) 25V 的 VDD 電源電壓。從 3V 到 18V 的寬 VCCI 范圍使該驅(qū)動(dòng)器適合與模擬和數(shù)字控制器連接。所有電源電壓引腳均具有欠壓鎖定 （UVLO） 保護(hù)。

憑借所有這些高級(jí)功能，UCC20225-Q1 系列可在各種汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率和穩(wěn)健性。

特性

• 符合 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
  • 設(shè)備溫度等級(jí) 1
  • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) H2
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C6
• 單 PWM 輸入，雙輸出
• 電阻器可編程死區(qū)時(shí)間
• 4A 峰值拉電流、6A 峰值灌電流輸出
• CMTI 大于 100V/ns
• 切換參數(shù)：
  • 19ns 典型傳播延遲
  • 5ns 最大延遲匹配
  • 最大脈寬失真 6ns
• 3V 至 18V 輸入 VCCI 范圍
• VDD 高達(dá) 25V，具有 5V 和 8V UVLO 選項(xiàng)
• 抑制短于 5ns 的輸入瞬變
• TTL 和 CMOS 兼容輸入
• 節(jié)省空間的 5mm x 5mm LGA-13 封裝
• 安全相關(guān)認(rèn)證：
  • 3535-VPK符合 VDE V 0884-11：2017 的隔離
  • 2500 伏RMS隔離 1 分鐘，符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 認(rèn)證

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC5A-Q1是一款A(yù)EC Q0認(rèn)證的隔離雙通道門驅(qū)動(dòng)器，專為汽車8V系統(tǒng)設(shè)計(jì)。它支持單PWM輸入和雙輸出，適用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管，如IGBT和MOSFET，工作頻率高達(dá)MHz。

二、主要特性

• ?AEC Q0認(rèn)證?：滿足汽車電子應(yīng)用的高標(biāo)準(zhǔn)。
• ?單PWM輸入，雙輸出?：簡(jiǎn)化了控制邏輯，降低了系統(tǒng)復(fù)雜性。
• ?高峰值電流?：A源電流，6A漏電流，滿足大功率應(yīng)用需求。
• ?高CMTI?：大于0V/ns，增強(qiáng)了抗干擾能力。
• ?低延遲?：ns典型傳播延遲，ns最大延遲匹配，適用于高速開關(guān)應(yīng)用。
• ?寬輸入電壓范圍?：3V至8V的VCCI輸入電壓范圍，兼容TTL和CMOS輸入。
• ?高隔離電壓?：.kV RMS隔離屏障，確保功能隔離和電氣安全。
• ?可編程死區(qū)時(shí)間?：通過外部電阻調(diào)整死區(qū)時(shí)間，防止功率器件直通。
• ?多種保護(hù)功能?：包括UVLO（欠壓鎖定）、DIS（禁用）引腳等，提高系統(tǒng)可靠性。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 汽車外部音頻放大器
• 汽車V系統(tǒng)
• 其他需要高隔離、高速開關(guān)和大功率驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用

四、功能描述

• ?VDD、VCCI和UVLO保護(hù)?：具有內(nèi)部UVLO保護(hù)功能，確保在供電電壓異常時(shí)驅(qū)動(dòng)器不會(huì)誤動(dòng)作。
• ?輸入和輸出邏輯?：支持TTL和CMOS兼容的輸入邏輯，輸出與PWM輸入同步，且B通道輸出與A通道互補(bǔ)。
• ?輸出級(jí)?：采用P-channel和N-channel MOSFET并聯(lián)的拉高結(jié)構(gòu)，以及N-channel MOSFET的拉低結(jié)構(gòu)，提供強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力。
• ?可編程死區(qū)時(shí)間?：通過DT引腳外接電阻實(shí)現(xiàn)死區(qū)時(shí)間的可編程，防止功率器件在開關(guān)過程中直通。
• ?禁用功能?：DIS引腳高電平有效，可同時(shí)禁用兩個(gè)輸出，提高系統(tǒng)安全性。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC5A-Q1在驅(qū)動(dòng)半橋MOSFET的典型應(yīng)用電路，包括設(shè)計(jì)要求、詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟、功率損耗計(jì)算和布局指南。

六、電源推薦

• ?VCCI供電電壓?：推薦范圍為3V至8V，需使用低ESR/ESL的旁路電容。
• ?VDDA/VDDB供電電壓?：對(duì)于UCC5A-Q1，推薦范圍為6.5V至5V，同樣需使用低ESR/ESL的旁路電容。

七、布局指南

• ?組件放置?：旁路電容應(yīng)盡可能靠近供電引腳放置，以減小電源噪聲。
• ?接地考慮?：將高峰值電流充電和放電的晶體管柵極限制在最小物理區(qū)域內(nèi)，減小環(huán)路電感。
• ?高壓考慮?：確保隔離性能，避免在驅(qū)動(dòng)器下方放置任何PCB走線或銅層。
• ?熱考慮?：優(yōu)化PCB布局以消散熱量，降低結(jié)到板的熱阻抗。