UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。

UCC21550 可配置為 2 個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、2 個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。輸入側(cè)通過(guò) 5kVRMS 隔離柵與兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器隔離，具有最小 125V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI）。
*附件：ucc21550.pdf

保護(hù)功能包括：電阻器可編程死區(qū)時(shí)間、同時(shí)關(guān)閉兩個(gè)輸出的禁用功能，以及拒絕短于 5ns 的輸入瞬變的集成去毛刺濾波器。所有電源均具有 UVLO 保護(hù)。

憑借所有這些高級(jí)功能，UCC21550 器件可在各種電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度和穩(wěn)健性。

特性

• 通用：雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動(dòng)器
• 結(jié)溫范圍 –40 至 +150°C
• 高達(dá) 4A 的峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
• 共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI） 大于 125V/ns
• 高達(dá) 25V VDD 輸出的驅(qū)動(dòng)電源
  • 5V、8V、12V VDD UVLO 選項(xiàng)
• 切換參數(shù)：
  • 33ns 典型傳播延遲
  • 5ns 最大脈寬失真
  • 10μs 最大 VDD 上電延遲
• 所有電源的 UVLO 保護(hù)
• 快速禁用電源排序

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

?UCC? 是一款隔離型雙通道門極驅(qū)動(dòng)器，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管，支持雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋配置。該驅(qū)動(dòng)器具有kV RMS隔離屏障，最小共模瞬態(tài)免疫（CMTI）為5V/ns。

2. 主要特性

• ?通用性?：可作為雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋驅(qū)動(dòng)器。
• ?工作溫度范圍?：-°C至+0°C。
• ?輸出能力?：高達(dá)A的峰值源電流和6A的峰值沉電流。
• ?CMTI?：大于V/ns。
• ?電源電壓?：最高V VDD輸出驅(qū)動(dòng)電源，支持-5V、V、V VDD欠壓鎖定（UVLO）選項(xiàng)。
• ?開(kāi)關(guān)參數(shù)?：ns典型傳播延遲，ns最大脈沖寬度失真，μs最大VDD上電延遲。
• ?保護(hù)特性?：包括電阻可編程死區(qū)時(shí)間、禁用功能和集成去抖動(dòng)濾波器。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 車載電池充電器
• 高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 汽車HVAC和車身電子

4. 封裝與電源選項(xiàng)

• 提供多種封裝選項(xiàng)，包括SOIC（DW）引腳和SOIC（DWK）引腳封裝。
• 支持不同的電源電壓選項(xiàng)，如UCCA（5V UVLO）、UCCB（8V UVLO）和UCC0C（2V UVLO）。

5. 功能描述

5.1 VDD、VCCI和欠壓鎖定（UVLO）

• ?VDD UVLO?：當(dāng)VDD偏置電壓低于UVLO閾值時(shí)，受影響的輸出將被拉低。
• ?VCCI UVLO?：當(dāng)VCCI電壓低于UVLO閾值時(shí)，設(shè)備將不激活。

5.2 輸入和輸出邏輯

• 輸入引腳（INA、INB、DIS）基于TTL和CMOS兼容輸入閾值邏輯。
• 輸出階段具有拉上和拉下結(jié)構(gòu)，提供A峰值源電流和A峰值沉電流。

5.3 可編程死區(qū)時(shí)間（DT）

• 通過(guò)在DT引腳和GND之間連接適當(dāng)?shù)碾娮鑱?lái)設(shè)置死區(qū)時(shí)間。
• 死區(qū)時(shí)間控制有助于防止射擊貫通（shoot-through）。

5.4 禁用引腳（DIS）

• 將DIS引腳置高（或懸空）將同時(shí)關(guān)閉兩個(gè)輸出。
• 接地DIS引腳允許UCC0正常工作。

6. 典型應(yīng)用

• 文檔中提供了一個(gè)參考設(shè)計(jì)，展示了UCC0在半橋配置中驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET的應(yīng)用。
• 詳細(xì)介紹了設(shè)計(jì)要求、輸入濾波器設(shè)計(jì)、外部自舉二極管及其串聯(lián)電阻的選擇、門極驅(qū)動(dòng)器輸出電阻的選擇等。

7. 布局指南

• 強(qiáng)調(diào)了PCB布局中的關(guān)鍵點(diǎn)，包括組件放置、接地考慮、高壓考慮和熱考慮。
• 提供了布局示例，展示了如何在2層和3層PCB上實(shí)現(xiàn)UCC的布局。