UCC21551x 是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，用于驅動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管。

UCC21551x 可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。輸入側通過 5kVRMS 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離，具有最小 125V/ns 的共模瞬態抗擾度 （CMTI）。
*附件：ucc21551.pdf

保護功能包括：電阻器可編程死區時間、同時關閉兩個輸出的禁用功能，以及拒絕短于 5ns 的輸入瞬變的集成去毛刺濾波器。所有電源均具有 UVLO 保護。

憑借所有這些高級 特性，UCC21551x 器件可在各種電源應用中實現高效率、高功率密度和穩健性。

特性

• 通用：雙低側、雙高側或半橋驅動器
• 結溫范圍 –40 至 +150°C
• 高達 4A 的峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
• 共模瞬態抗擾度 （CMTI） 大于 125V/ns
• 高達 25V VDD 輸出的驅動電源
  • 5V、8V、12V 和 17V VDD UVLO 選項
• 切換參數：
  • 33ns 典型傳播延遲
  • 5ns 最大脈寬失真
  • 10μs 最大 VDD 上電延遲
• 所有電源的 UVLO 保護
• 快速使能，用于上電排序

參數

方框圖

1. 產品概述

UCC1x是一款增強型隔離雙通道門極驅動器，專為高功率密度和高效能的應用設計。該器件支持雙低側、雙高側或半橋配置，能夠驅動MOSFET、SiC和IGBT等功率晶體管。其主要特點包括高達4A的峰值源電流和A的峰值沉電流，以及高達V的VDD輸出驅動電壓。

2. 主要特性

• ?靈活配置?：支持雙低側、雙高側或半橋配置。
• ?高電流能力?：A峰值源電流和A峰值沉電流。
• ?寬溫度范圍?：結溫范圍-0°C至+°C。
• ? 高共模瞬態免疫（CMTI） ?：大于V/ns。
• ?多VDD選項?：支持-5V、V、V和V的VDD電壓。
• ?低傳播延遲?：典型傳播延遲為3ns。
• ?保護特性?：包括UVLO保護、可編程死區時間、禁用功能和集成去抖動濾波器。

3. 應用領域

• 車載電池充電器
• 高壓DC-DC轉換器
• 汽車HVAC和車身電子
• AC-DC和DC-DC中的隔離轉換器
• 電機驅動和逆變器
• 不間斷電源（UPS）

4. 功能描述

4.1 VDD、VCCI和欠壓鎖定（UVLO）

• UVLO功能保護電路免受低電壓影響，確保在VDD和VCCI電壓低于閾值時輸出保持低電平。

4.2 輸入和輸出邏輯

• 輸入引腳（INA、INB和EN）兼容TTL和CMOS邏輯，具有固定的閾值電壓和寬遲滯，提高噪聲免疫能力。
• 輸出級能夠提供高峰值源和沉電流，支持快速開關功率晶體管。

4.3 可編程死區時間

• 通過DT引腳和編程電阻器設置死區時間，防止半橋或H橋電路中的射通現象。

4.4 使能功能

• EN引腳允許獨立控制兩個輸出，將其拉低可禁用兩個輸出。

5. 典型應用

文檔提供了UCC1x在半橋配置中驅動SiC MOSFET的典型應用電路圖，并詳細討論了設計要求、設計步驟、應用曲線和布局指南。

6. 電源推薦

• 推薦VCCI輸入電壓范圍為.V至5.5V。
• VDDA和VDDB的推薦電壓范圍取決于具體型號，從V到V不等。
• 建議在VDD和GND引腳之間放置兩個陶瓷電容器（1μF和0nF），以支持高峰值電流和減少噪聲。

7. 布局指南

• 推薦將驅動器盡可能靠近功率晶體管，以最小化高電流跡線的長度。
• 使用低電感SMD組件，并盡可能縮短旁路電容器的跡線長度。
• 優化PCB布局以減少寄生電感和噪聲耦合，特別注意高電壓應用中的爬電距離和電氣間隙。