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UCC27301A 120V 4A 半橋驅(qū)動器,具有 8V UVLO、使能和互鎖功能數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-15 14:51 ? 次閱讀

UCC27301A 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動半橋或同步降壓配置中的兩個(gè) N 溝道 MOSFET,絕對最大自舉電壓為 120V。其 3.7A 峰值拉電流和 4.5A 峰值灌電流能力使 UCC27301A 能夠在米勒平臺過渡期間以最小的開關(guān)損耗驅(qū)動大功率 MOSFET。開關(guān)節(jié)點(diǎn) (HS 引腳) 可以處理負(fù)瞬態(tài)電壓,從而可以保護(hù)高側(cè)通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負(fù)電壓的影響。
*附件:ucc27301a.pdf

輸入與電源電壓無關(guān),能夠承受 -10V 和 +20V 的絕對最大額定值。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器在導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 4ns,并分別通過 LI 和 HI 輸入引腳進(jìn)行控制。但是,每當(dāng) LI 和 HI 輸入同時(shí)為高電平時(shí),輸入聯(lián)鎖邏輯會將兩個(gè)驅(qū)動器輸出變?yōu)榈碗娖健F瑑?nèi) 120V 額定電壓自舉二極管,無需添加分立式自舉二極管。高壓閉鎖 (UVLO) 適用于高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器,可提供對稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為,并在驅(qū)動電壓低于指定閾值時(shí)強(qiáng)制輸出為低電平。

特性

  • 在半橋配置中驅(qū)動兩個(gè) N 溝道 MOSFET
  • –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
  • HB 引腳上的最大電壓為 120V abs
  • 3.7A 灌電流、4.5A 拉電流輸出電流
  • 8V 至 17V VDD 工作范圍 (最大 20V 絕對值),帶 UVLO
  • HS 引腳上的 –(28–VDD)V abs 最大負(fù)瞬態(tài)容差(<100ns 脈沖)
  • –10V 至 +20V 絕對最大輸入引腳容差,與電源電壓范圍無關(guān)(TTL 兼容)
  • 切換參數(shù):
    • 20ns 典型傳播延遲時(shí)間
    • 7.2ns 上升時(shí)間,5.5ns 下降時(shí)間,1000pF 負(fù)載
    • 4ns 典型延遲匹配
  • 集成自舉二極管
  • 輸入聯(lián)鎖
  • 禁用時(shí)具有低電流消耗(典型值為 3μA)的啟用/禁用功能(僅限 DRC 封裝)

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:UCCA
  • ?類型?:高壓柵極驅(qū)動器
  • ?應(yīng)用?:
    • 太陽能電源優(yōu)化器和微型逆變器
    • 電信和商用電源
    • 在線和離線不間斷電源(UPS)
    • 儲能系統(tǒng)
    • 電池測試設(shè)備

二、主要特性

  • ?驅(qū)動能力?:
    • 驅(qū)動兩個(gè)N溝道MOSFET,半橋或同步降壓配置
    • 絕對最大自舉電壓V
    • .A峰值源電流,.A峰值沉電流
  • ?輸入特性?:
    • 獨(dú)立于電源電壓的輸入,能承受-V至+V的絕對最大額定值
    • 低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器之間的開啟和關(guān)閉匹配至ns
  • ?保護(hù)功能?:
    • 集成V額定自舉二極管
    • 欠壓鎖定(UVLO)保護(hù),對稱開啟和關(guān)閉行為
    • 輸入互鎖邏輯,防止兩個(gè)輸入同時(shí)高電平導(dǎo)致輸出低電平

三、電氣特性

  • ?絕對最大額定值?:包括電源電壓、輸出電壓、結(jié)溫等。
  • ?推薦工作條件?:定義了電源電壓、HS引腳電壓等參數(shù)的正常工作范圍。
  • ?電氣參數(shù)?:
    • 輸入閾值電壓、輸入滯回電壓、使能引腳閾值電壓等。
    • 輸出高低電平電壓、峰值源/沉電流、傳播延遲、上升/下降時(shí)間等。

四、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:SOIC(引腳)和VSON(DRC,引腳)
  • ?尺寸?:具體尺寸信息在文檔中詳細(xì)列出。

五、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:半橋配置,用于驅(qū)動大功率MOSFET,減少開關(guān)損失。
  • ?設(shè)計(jì)考慮?:
    • 輸入閾值類型選擇
    • VDD偏置供電電壓設(shè)計(jì)
    • 峰值源/沉電流計(jì)算
    • 傳播延遲和功率耗散考慮

六、布局指導(dǎo)

  • ?關(guān)鍵布局原則?:
    • 將驅(qū)動器盡可能靠近MOSFET放置
    • 將VDD-VSS和VHB-VHS(自舉)電容器盡可能靠近器件放置
    • 注意GND跡線的設(shè)計(jì),使用寬跡線
    • 避免將VDD跡線靠近LO、HS和HO信號

七、熱考慮

  • 討論了驅(qū)動器的熱特性,包括熱阻、結(jié)溫等,并提供了熱設(shè)計(jì)建議。

八、文檔與支持

  • ?支持資源?:包括TI EE支持論壇、相關(guān)文檔鏈接、文檔更新通知等。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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