多年來，USI環旭電子始終致力于創新制程技術的研發，為穿戴式電子設備中的系統級封裝（SiP）實現高集成度及高性能的解決方案。其中，電磁屏蔽性能的持續優化與提升，可謂是 SiP 技術發展的關鍵所在。

延伸前幾篇「系統級封裝」制程文章，本文中，我們將切入屏蔽技術 (Shielding) 兩大領域：共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)，并進一步探討其中制程之優劣，綜觀一覽微小化技術中的「屏蔽」制程。

「電磁屏蔽技術」之必要性

系統級封裝模組整合數百、千顆元件于一身，因此，勢必要避免模組內和外各項元件之間的相互干擾，這項屏障即為業界所稱的共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。過去在PCB組裝制程中，以金屬屏蔽柵欄作為隔間屏蔽已超過 20 年；在微小化模組產品中，雷射溝槽加導電膠填充技術則已使用超過 10 年。

基于屏蔽效能與微小化的目的，金屬屏蔽柵欄已逐漸被淘汰。近年來，USI研發團隊成功開發出應用于間隔屏蔽的金屬屏蔽技術，節省大量成本的同時，也解決了長期以來存在的中頻與高頻問題，為SiP屏蔽技術提供新的解決方案。業界普遍常見的金屬屏蔽罩，每一段均需要保留約1mm寬度的焊盤與排除區域 (Keep-Out Zone)，環旭電子的共形及分段型屏蔽僅需10%的寬度。以一個多頻4G模組為例，可為其他元件騰出超過17%的空間，并可屏蔽40-50 dB的電磁干擾。

共形屏蔽：滿足多樣化產品設計需求

環旭電子在共型屏蔽技術（Conformal Shielding）上持續創新與研發，可以實現選擇性屏蔽，雙面屏蔽等技術以滿足不同的產品設計需求，并且成功開發了噴涂（Spray Coating）制程，進一步降低了產品成本。

選擇性共型屏蔽是通過在濺射（sputtering）前用遮蔽帶（tape）覆蓋不需要屏蔽的區域，在濺射后去除遮蔽帶，實現了選擇性屏蔽，同時滿足共型屏蔽要求和實現裸露I/O焊點，還可實現雙面塑封產品I/O的要求。雙面共型屏蔽技術則通過兩次濺射實現雙面選擇性屏蔽，進一步提升了產品設計的靈活性，降低了設計難度。

噴涂則是在產品表面與側壁噴涂導電膠取代濺射，實現共型屏蔽。這一項制程的成功開發為共型屏蔽提供了更多實現方案，并顯著降低了機臺成本和產品成本。

雙面選擇性屏蔽

USI環旭電子在電磁屏蔽技術上的突破，不僅為SiP模組帶來了更高的集成度和性能，更為客戶創造了多方面的價值。 首先，透過精準的屏蔽設計，有效降低了元件間的相互干擾，提升了產品的穩定性與可靠性。其次，我們獨立開發的屏蔽技術大幅縮減了占用面積，為客戶在有限的空間內實現更多功能提供了可能。此外，選擇性屏蔽與雙面屏蔽等創新技術，滿足了客戶日益多元化的產品設計需求，更推升了我們在微小化模組中的生產競爭力。

在下一篇文章中，我們將深入探討「分段式屏蔽技術」，揭示其在SiP模組中的關鍵作用與優勢。 分段式屏蔽技術是如何實現更精細化的電磁控制？它又為SiP模組帶來了哪些新的應用場景？敬請期待！