TPS2475x 為 2.5 V 至 18 V 應用提供高度集成的負載保護。這些器件在單個封裝中集成了熱插拔控制器和功率 MOSFET，適用于小尺寸應用。這些器件可保護源極、負載和內部 MOSFET 免受潛在的破壞性事件的影響。在啟動期間，負載電流和 MOSFET 功率耗散被限制在用戶選擇的值。啟動后，將允許高于用戶選擇限值的電流流動，直到編程超時 - 除非在極端過載事件中負載立即與電源斷開。
*附件：tps24750.pdf

可編程 FET SOA 保護確保內部 MOSFET 始終在其安全工作區(qū) （SOA） 內運行，并且負載以定義的斜坡速率啟動。這增強了內部 MOSFET 性能，同時提高了系統(tǒng)可靠性。提供電源正常、故障和電流監(jiān)控輸出，用于系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)控和下游負載控制。

這些器件采用 36 引腳、7mm × 3.5mm QFN （RUV） 封裝，額定工作結溫范圍為 –40°C 至 +125°C。

特性

• 2.5 V 至 18 V 總線作
• 連續(xù)電流高達 12 A
• 帶 R 的集成 MOSFET DS（開） 3 mΩ（典型值）
• 可編程電流限制
• 可編程 FET SOA 保護
• 高 I限制精度從 10 mA 到 12 A
• 可編程故障定時器
• 用于短路保護的快速斷路器
• 可編程 VOUT 轉換速率、UV 和 OV
• 電源正常和故障輸出
• 模擬負載電流監(jiān)視器
• 熱關斷

參數(shù)

方框圖

1. 產品概述

TPS24750是一款12A eFuse電路保護器，集成了熱插拔控制器和功率MOSFET，適用于2.5V至18V的應用。該器件提供高度集成的負載保護，防止源、負載和內部MOSFET受到潛在損壞事件的影響。

2. 主要特性

• ?高集成度?：集成了熱插拔控制器和功率MOSFET，適用于小型封裝應用。
• ?寬電壓范圍?：支持2.5V至18V的總線操作。
• ?大電流能力?：連續(xù)電流高達12A。
• ?可編程特性?：包括電流限制、FET安全工作區(qū)保護、故障定時器等。
• ?快速保護?：具有短路保護的快速斷路器功能。
• ?系統(tǒng)監(jiān)控?：提供電源良好、故障和負載電流監(jiān)控輸出。

3. 應用領域

• 服務器
• 高電流負載開關
• 通信設備
• 插件模塊
• RAID系統(tǒng)
• 基站
• 風扇控制

4. 功能描述

4.1 保護功能

• ?熱插拔保護?：在啟動期間限制負載電流和MOSFET功耗。
• ?短路保護?：檢測到短路時快速關斷MOSFET。
• ?過壓和欠壓保護?：通過可編程閾值提供過壓和欠壓保護。

4.2 監(jiān)控功能

• ?電源良好輸出?：當內部FET的漏源電壓低于150mV時，PGb引腳拉低。
• ?故障輸出?：在過載或短路故障期間，F(xiàn)LTb引腳拉低。
• ?負載電流監(jiān)控?：通過IMON引腳提供模擬負載電流監(jiān)控。

4.3 可編程特性

• ?電流限制?：通過R_SET和R_IMON電阻可編程。
• ?FET安全工作區(qū)保護?：確保內部MOSFET始終在其安全操作區(qū)域內工作。
• ?故障定時器?：通過TIMER引腳連接的電容可編程，控制過載故障的超時時間。

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：36引腳VQFN封裝（RUV）
• ?尺寸?：7.00mm x 3.50mm

6. 典型應用電路

• 提供了詳細的典型應用電路圖，包括元件選擇和設計步驟，以幫助用戶實現(xiàn)所需的功能和保護特性。

7. 設計指南

• ?元件選擇?：根據(jù)應用需求選擇合適的R_SET、R_IMON、R_PROG和C_TIMER等元件值。
• ?布局建議?：關鍵信號路徑應盡可能短，以減少寄生電感和電阻。旁路電容應盡可能靠近VCC和OUT引腳。
• ?熱設計?：確保TPS24750的結溫不超過最大允許值，通過適當?shù)纳嵩O計和布局來實現(xiàn)。

8. 文檔與支持

• 提供了相關的技術文檔、設計資源、應用筆記、社區(qū)支持和工具鏈接，以幫助用戶更好地設計和應用TPS24750。