LM9061 系列由電荷泵器件組成，可提供 柵極驅動到配置為高側驅動器或開關的任意尺寸的外部功率 MOSFET。這 包括多個并聯連接的 MOSFET，適用于極高電流應用。一個 CMOS 邏輯兼容的 ON 和 OFF 輸入控制輸出柵極驅動電壓。在 ON 狀態下， 電荷泵電壓，遠高于可用的 V抄送supply，是 直接應用于 MOSFET 的柵極。內置 15V 齊納二極管可箝位到源極的最大柵極 MOSFET 的電壓。當命令關閉時，110μA 電流吸收器將 MOSFET 具有逐漸關斷特性，以最大限度地減少感性負載的持續時間 瞬態電壓，并進一步保護功率 MOSFET。
*附件：lm9061-q1.pdf

功率 MOSFET 的無損保護是 LM9061 的一個關鍵特性。電壓降 （V DS 系列 ） 在整個功率器件中受到持續監控并與 外部可編程閾值電壓。一個小型電流感應電阻器，與 負載會導致可用能量損失，因此保護電路不需要。如果 VDS 系列電壓，由于負載電流過大，超過閾值電壓， 輸出以更漸進的方式（通過 10 μA 輸出電流吸收）鎖定 可編程延遲時間間隔。

特性

• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結果如下：
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
• 可承受 60V 電源瞬變
• 帶 V 的過壓關斷 抄送 > 30 V
• 無損過流保護閉鎖
  • 不需要電流檢測電阻器
  • 在高電流負載下將功率損耗降至最低
• 保護閉鎖的可編程延遲
• 逐漸關斷以較大限度地降低電感負載瞬態電壓
• CMOS 邏輯兼容的 ON 和 OFF 控制輸入

參數

方框圖

1. 產品概述

LM9061-Q1是一款高側保護控制器，專為汽車應用設計，并通過AEC-Q100認證。它使用內部電荷泵電路為高側MOSFET提供柵極驅動電壓，并具備過壓、過流和無損過流保護等特性。

2. 主要特性

• ?汽車應用認證?：符合AEC-Q100標準。
• ?過壓保護?：當V_CC超過30V時，自動關閉MOSFET以保護負載。
• ?無損過流保護?：通過監測MOSFET的漏源電壓（V_DS）來實現過流保護，無需串聯電阻，減少功率損耗。
• ?可編程延遲保護?：允許短暫過流而不立即關閉，適用于啟動電流較大的負載。
• ?CMOS邏輯兼容?：通過簡單的ON/OFF控制輸入來控制MOSFET的開關。
• ?逐漸關斷特性?：在關閉時，通過110μA的電流源逐漸放電MOSFET柵極電容，減少感性負載的瞬態電壓。

3. 應用領域

• ? 傳輸控制單元（TCU） ?
• ? 發動機控制單元（ECU） ?
• ?閥門、繼電器和電磁閥驅動?
• ?燈驅動?
• ?直流電機PWM驅動?
• ?邏輯控制電源分配開關?
• ?電子電路斷路器?
• ?高功率音頻揚聲器?

4. 功能描述

4.1 MOSFET柵極驅動

• 使用內部電荷泵電路，在V_CC基礎上提供更高的柵極驅動電壓。
• 最大柵源電壓被限制在15V，以保護MOSFET。

4.2 基本操作

• 當ON/OFF控制輸入為高電平時，LM9061輸出柵極驅動電壓，使MOSFET導通。
• 當ON/OFF控制輸入為低電平時，LM9061通過110μA電流源逐漸放電MOSFET柵極電容，實現逐漸關斷。

4.3 無損過流保護

• 通過監測V_DS電壓，當超過設定閾值時，經過可編程延遲后，LM9061將MOSFET關斷。
• 保護閾值通過外部電阻設置。

4.4 延遲定時器

• 允許在過流保護觸發后，有短暫的延遲時間，以適應啟動電流較大的負載。

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SOIC-8
• ?尺寸?：4.9mm × 3.91mm

6. 典型應用電路

• 提供了驅動單個MOSFET和多個并聯MOSFET的典型應用電路。
• 展示了如何通過外部電阻設置過流保護閾值。

7. 設計指南

• ?電源推薦?：V_CC應使用至少10倍于MOSFET柵極電容的旁路電容。
• ?布局建議?：關鍵元件（如旁路電容、參考電阻等）應盡可能靠近LM9061的相應引腳。

8. 設備與文檔支持

• 提供了相關的技術文檔、工具、軟件支持和社區資源鏈接。

LM9061-Q1以其高側保護、無損過流保護和逐漸關斷特性，在汽車電子和其他需要高可靠性電源管理的應用中具有廣泛的應用前景。