全新64層第二代3D NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(chǔ)(UFS) 2.1標(biāo)準(zhǔn)。全新美光移動(dòng)3D NAND產(chǎn)品提供256GB、128GB和64GB三種容量選擇。

該全新移動(dòng)解決方案基于美光業(yè)界領(lǐng)先的三級(jí)單元(TLC) 3D NAND技術(shù)，可幫助智能手機(jī)制造商通過(guò)人工智能(AI)、虛擬現(xiàn)實(shí)和面部識(shí)別等新一代移動(dòng)功能來(lái)增強(qiáng)用戶體驗(yàn)。AI在旗艦級(jí)手機(jī)中的出現(xiàn)推動(dòng)了對(duì)能更快速高效地訪問(wèn)數(shù)據(jù)的更先進(jìn)的存儲(chǔ)解決方案的需求。分析機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測(cè)，到2022年，80%的智能手機(jī)將具有AI功能，這會(huì)增加在本地處理和存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)的需求。1

此外，由于智能手機(jī)已然成為攝影和多媒體共享的首選設(shè)備，存儲(chǔ)容量需求將繼續(xù)顯著增加，目前旗艦級(jí)手機(jī)的容量最高為256GB，預(yù)計(jì)到2021年容量將增長(zhǎng)到1TB。全新美光64層TLC 3D NAND存儲(chǔ)解決方案利用針對(duì)移動(dòng)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化的架構(gòu)滿足了這些需求，在更小的空間內(nèi)提供更多容量的同時(shí)，提供一致的高性能和低延遲。

“我們都希望智能手機(jī)提供大膽的新功能，而存儲(chǔ)對(duì)此起到了日益關(guān)鍵的作用?！泵拦饪萍家苿?dòng)產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)副總裁Gino Skulick表示，“美光科技獨(dú)家提供移動(dòng)DRAM和3D NAND，并且我們的尖端設(shè)計(jì)將繼續(xù)實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的智能手機(jī)所需要的性能?！?/span>

64層TLC 3D NAND：助力移動(dòng)領(lǐng)域的未來(lái)發(fā)展

該移動(dòng)3D NAND產(chǎn)品將更多的存儲(chǔ)單元集中到更小的芯片區(qū)域內(nèi)，并利用美光陣列下的CMOS (CuA)設(shè)計(jì)，提供一流的芯片區(qū)域。美光獨(dú)有的方法將所有閃存層置于邏輯陣列之上，最大限度地利用智能手機(jī)設(shè)計(jì)中的空間。

美光第二代TLC3D NAND移動(dòng)技術(shù)具有多項(xiàng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，包括以下新功能：

• 美光針對(duì)移動(dòng)設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化的架構(gòu)提供一致的高性能和低延遲，能夠增強(qiáng)用戶體驗(yàn)，同時(shí)通過(guò)使用高效的峰值功率管理系統(tǒng)將功耗降至最低。

• 全新美光64層TLC 3D NAND產(chǎn)品比上一代TLC 3D NAND快50%。

• 美光64層3D NAND技術(shù)比上一代TLC 3D NAND的存儲(chǔ)密度高一倍，封裝尺卻未變。

• UFS 2.1 G3-2L接口規(guī)范為移動(dòng)應(yīng)用提供極具吸引力的性能，并且?guī)挶萫.MMC 5.1高出多達(dá)200%，同時(shí)還提供同步讀寫功能。這為提供在捕獲高分辨率照片的突發(fā)數(shù)據(jù)或?qū)?K視頻記錄到存儲(chǔ)時(shí)所需的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度奠定了基礎(chǔ)。

• 該新產(chǎn)品基于32GB芯片，尺寸為59.341mm2——是業(yè)界市場(chǎng)上最小的32GB TLC 3D NAND芯片。2

1Gartner市場(chǎng)見(jiàn)解：支持AI的智能手機(jī)產(chǎn)生新商機(jī)的10個(gè)使用案例。（gartner.com/newsroom/id/3842564）

2資料來(lái)源：美光科技。基于美光B16A 32GB TLC 3D NAND芯片的內(nèi)部測(cè)量結(jié)果與具有競(jìng)爭(zhēng)力的32GB TLC 3D NAND芯片的對(duì)比。