TPS51206 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數據速率 （DDR） 終端穩壓器，具有 VTTREF 緩沖基準輸出。它專為空間是關鍵考慮因素的低輸入電壓、低成本、低外部元件數系統而設計。該器件可保持快速瞬態響應，并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遠程感應功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 （DDR3L） 以及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 電流能力為 ±2A 峰值。該器件支持所有 DDR 電源狀態，在 S3 狀態下將 VTT 置于高阻態（掛起到 RAM），并在 S4 或 S5 狀態下將 VTT 和 VTTREF 放電（掛起到磁盤）。
*附件：tps51206.pdf

TPS51206 器件采用 10 引腳、2 mm × 2 mm SON （DSQ） PowerPAD? 封裝，額定溫度范圍為 –40°C 至 105°C。

特性

• 電源輸入電壓：支持 3.3V 軌和 5V 軌
• VLDOIN 輸入電壓范圍：VTT+0.4 V 至 3.5 V
• VTT 終端穩壓器
  • 輸出電壓范圍：0.5 V 至 0.9 V
  • 2A 峰值灌電流和拉電流
  • 僅需 10μF MLCC 輸出電容器
  • ±20 mV 精度
• VTTREF 緩沖參考
  • VDDQ/2 ± 1% 精度
  • 10mA 灌電流和拉電流
• 通過 S3 和 S5 輸入支持 S3 中的高阻態和 S4 和 S5 中的軟停止
• 過熱保護
• 10 引腳、2 mm × 2 mm SON （DSQ） 封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?型號?：TPS51206
• ?類型?：DDR終止調節器
• ?功能?：提供VTT和VTTREF輸出，支持DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4內存電源供應

2. 主要特性

• ?輸入電壓范圍?：支持3.3V和5V供電
• ?輸出特性?：
  • VTT輸出：0.5V至0.9V，±2A峰值源/匯電流
  • VTTREF輸出：VDDQ/2 ±1%準確度，10mA源/匯電流
• ?快速瞬態響應?：僅需10μF陶瓷輸出電容
• ?遠程感應功能?：通過VTTSNS引腳實現
• ?高阻抗狀態?：S3狀態下VTT輸出置為高阻態
• ?軟停止功能?：S4和S5狀態下放電VTT和VTTREF至GND
• ?過熱保護?：超過150°C時自動關閉

3. 應用

• ?主要應用?：
  • DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4內存電源供應
  • SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135和HSTL終止
  • 電信和數據通信、GSM基站、液晶電視、等離子電視、復印機、打印機、機頂盒

4. 功能描述

• ?VTT源/匯調節器?：集成高性能、低壓差（LDO）線性調節器，快速響應跟蹤?VDDQSNS
• ?VTTREF?：提供VDDQ/2的緩沖參考輸出，具有±1%準確度
• ?VDD欠壓鎖定保護?：當VDD電壓低于閾值時，關閉VTT和VTTREF
• ?VTT電流限制?：超過2A時限制電流，VTT電壓失調
• ?過熱保護?：內部溫度監測，超過閾值時關閉VTT和VTTREF

5. 電氣特性

• ?工作結溫范圍?：-40°C至105°C
• ?VDD供電電流?：S0狀態下典型值為170μA，S3狀態下典型值為80μA
• ?VLDOIN供電電流?：S0狀態下典型值為5μA，S3狀態下典型值為5μA
• ?VTTREF輸出電壓?：VDDQSNS/2，容差±1%
• ?VTT輸出電壓?：VDDQSNS/2，容差±20mV至±40mV（根據負載電流）

6. 封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：10引腳、2mm x 2mm SON（DSQ）PowerPAD封裝
• ?溫度范圍?：商業級（-40°C至105°C）

7. 布局與電源建議

• ?布局指南?：
  • 輸入旁路電容應盡可能靠近VDD引腳
  • VTT輸出電容應靠近VTT和PGND引腳
  • VTTSNS引腳應連接到VTT輸出電容的正極，作為獨立的高電流路徑
• ?電源建議?：推薦使用X5R或更好等級的陶瓷電容

8. 社區資源與支持

• 提供TI社區資源鏈接，包括E2E在線社區和設計支持工具

9. 注意事項

• 使用前請仔細閱讀數據手冊，確保產品符合應用需求
• 遵循推薦的布局和電源建議，以確保最佳性能
• 注意靜電放電（ESD）防護，避免損壞集成電路