ADPA1116是一款0.3 GHz至6 GHz的功率放大器,飽和輸出功率(POUT)為39.5 dBm,功率附加效率(PAE)為40%,在輸入功率(PIN)為16.0 dBm時,0.5 GHz至5 GHz的典型功率增益為23.5 dB。RF輸入和RF輸出是內部匹配和AC耦合的。28V的漏極偏置電壓被施加到具有集成偏置電感器的VDD1和VDD2引腳。通過向VGG1引腳施加負電壓來設置漏極電流。
數據手冊:*附件:ADPA1116 0.3GHz至6GHz,39.5dBm,GaN功率放大器技術手冊.pdf
ADPA1116采用氮化鎵(GaN)工藝制造,封裝在32引腳引線框架芯片級封裝中,預模制腔[LFCSP_CAV],指定工作溫度為-40°C至+85°C。
特征
?內部匹配,0.3 GHz至6 GHz,39.5 dBm,GaN功率放大器
?射頻輸入和射頻輸出交流耦合
?集成漏極偏置電感器
?輸出功率:從0.5 GHz到5 GHz,典型值為39.5 dBm(PIN=16.0 dBm)
?功率增益:從0.5 GHz到5 GHz,典型值為23.5 dB(PIN=16.0 dBm)
?PAE:0.5 GHz至5 GHz的典型值為40%(PIN=16.0 dBm)
?小信號增益:從0.5 GHz到5 GHz,典型值為33.5 dB
?電源電壓:28V
?靜態電流:300mA
引腳配置和功能描述
接口示意圖
典型特性
簡易框圖
典型應用
應用
?電子戰
?通訊
?雷達
-
功率放大器
+關注
關注
102文章
3929瀏覽量
133896 -
輸出功率
+關注
關注
0文章
109瀏覽量
14794 -
GaN
+關注
關注
19文章
2177瀏覽量
76169
發布評論請先 登錄
UG-1674:評估0.9 GHz至1.6 GHz的ADPA1105 46 dBm(40 W)GaN功率放大器

UG-1685:評估ADPA7007 20 GHz至44 GHz,GaAs,pHEMT,31.5 dBm(>1 W),MMIC功率放大器

HMC8415:40 W(46 DBm),9 GHz至10.5 GHz,GaN功率放大器數據表

ADPA7006:18 GHz至44 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC功率放大器數據表

ADPA1107 45.0 dBm (35W)、4.8GHz到6.0GHz、GaN功率放大器技術手冊

ADPA1106 46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術手冊

Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器數據手冊

評論