概述

HMC8205BF10是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在瞬時(shí)帶寬范圍為0.3 GHz至6 GHz時(shí)提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE)。無(wú)需外部匹配便可實(shí)現(xiàn)全頻段工作。此外，無(wú)需外部電感便可實(shí)現(xiàn)放大器偏置。同時(shí)，RFIN和RFOUT引腳的隔直電容集成到HMC8205BF10中。

HMC8205BF10非常適合脈沖或連續(xù)波(CW)應(yīng)用，如軍用干擾發(fā)射器、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)和通用放大。

HMC8205BF10放大器采用10引腳陶瓷芯片載體(LDCC)封裝。

HMC8205BCHIPS是一款氮化鎵(GaN)、寬帶功率放大器，在瞬時(shí)帶寬范圍為0.4 GHz至6 GHz時(shí)提供45.5 dBm (35 W)功率和40%功率附加效率(PAE)。無(wú)需外部匹配便可實(shí)現(xiàn)全頻段工作。無(wú)需外部電感便可實(shí)現(xiàn)放大器偏置。此外，RFIN和RFOUT引腳的隔直電容集成到HMC8205BCHIPS中。

HMC8205BCHIPS非常適合脈沖或連續(xù)波(CW)應(yīng)用，如軍用干擾發(fā)射器、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)和通用放大。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC8205BF10 0.3或0.4 GHz至6 GHz、35W、GaN功率放大器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 軍用干擾發(fā)射器
• 商用和軍事雷達(dá)
• 針對(duì)無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的功率放大器級(jí)
• 測(cè)試與測(cè)量設(shè)備

特性

• 高 P SAT ：46 dBm
• 高功率增益：20 dB
• 高 PAE：38%
• 瞬時(shí)帶寬：0.3 GHz 到 6 GHz
• 電源電壓：VDD = 50 V，1300 mA
• 10 引腳 LDCC 封裝

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型性能特征

應(yīng)用電路

將RF電路設(shè)計(jì)技術(shù)用于PCB。為信號(hào)線提供50歐姆阻抗，并將封裝接地引腳和裸露焊盤(pán)直接連接到接地層(參見(jiàn)圖40)。使用足夠數(shù)量的過(guò)孔連接頂部和底部接地層。圖40所示的評(píng)估PCB可向ADI公司索取。EV1HMC8205BF10的物料清單見(jiàn)表7。

輪廓尺寸