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CSD88584Q5DC 40V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

科技綠洲 ? 2025-04-16 09:49 ? 次閱讀

CSD88584Q5DC 40V 電源塊是針對大電流電機控制應用(如手持式、無繩花園和電動工具)的優化設計。該器件采用 TI 的專利堆疊芯片技術,以最大限度地減少寄生電感,同時在節省空間的熱增強型 DualCool 5mm? × 6mm 封裝中提供完整的半橋。該電源塊器件具有裸露的金屬頂部,允許簡單的散熱器應用通過封裝頂部將熱量從封裝頂部吸出并遠離 PCB,從而在許多電機控制應用所需的較高電流下實現卓越的熱性能。
*附件:csd88584q5dc.pdf

特性

  • 半橋電源塊
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 基底面
  • 低 RDS(ON) 可實現最小的導通損耗
    • 35A 時為 2.4W PLoss
  • DualCool? 散熱增強套件
  • 超低電感封裝
  • 符合 RoHS 規范
  • 無鹵素
  • 無鉛端子電鍍

參數
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方框圖
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1. 產品特性

  • ?半橋功率模塊?:集成了高、低側MOSFET,形成完整的半橋電路。
  • ?高密度封裝?:采用5mm × 6mm的SON封裝,節省空間。
  • ?低導通電阻?:最小化傳導損失,在V_GS = 10V、I_D = 30A時,R_DS(on)低至0.68 mΩ。
  • ?熱性能增強?:DualCool?封裝技術,頂部暴露金屬,便于散熱。
  • ?環保合規?:符合RoHS標準,無鹵素,無鉛端子鍍層。

2. 應用領域

  • ?三相無刷直流電機控制?:適用于手持式、無線園藝工具和電動工具等高電流電機控制應用。
  • ?電池供電工?:支持高達8串鋰電池的應用。
  • ?其他半橋和全橋拓撲?:可用于各種需要半橋或全橋電路的場合。

3. 產品描述

CSD88584Q5DC是一款40V半橋功率模塊,專為高電流電機控制應用設計。它采用了TI的堆疊芯片技術,以最小化寄生電感,并提供完整的半橋集成在一個5mm × 6mm的熱增強DualCool?封裝中。該封裝具有暴露的金屬頂部,便于安裝散熱片,從而在高電流需求下實現優異的熱性能。

4. 規格參數

  • ?絕對最大額定值?:包括輸入電壓、開關電壓、柵極驅動電壓、脈沖電流、功率耗散等。
  • ?推薦工作條件?:包括柵極驅動電壓、輸入電源電壓、開關頻率、輸出RMS電機繞組電流等。
  • ?功率塊性能?:提供了在不同條件下的功率損失數據。
  • ?熱信息?:包括結到環境的熱阻(R_θJA)和結到外殼的熱阻(R_θJC)。
  • ?電氣特性?:涵蓋了靜態特性(如漏源電壓、閾值電壓)、動態特性(如輸入電容、柵極電荷)和二極管特性(如二極管正向電壓)。

5. 應用與實現

  • ?無刷直流電機梯形控制?:提供了無刷直流電機梯形控制的功能框圖和繞組電流波形圖。
  • ?功率損失曲線?:給出了在不同條件下的功率損失曲線,幫助設計者在選擇和應用時做出決策。
  • ?安全操作區(SOA)曲線?:提供了關于板溫和結溫的安全操作邊界。
  • ?設計示例?:包括如何根據SOA調節電流和溫度以保持安全操作的設計示例。

6. 布局指南

  • ?電氣性能優化?:提供了關于如何減少電壓振鈴、優化電流監測的布局建議。
  • ?熱性能優化?:討論了如何通過熱通孔和外部散熱片來增強熱性能。
  • ?布局示例?:給出了頂層和底層布局示例,以及推薦的元件放置和連接方式。

7. 文檔和支持

  • ?文檔更新通知?:用戶可以通過TI官網注冊接收文檔更新通知。
  • ?支持資源?:提供了TI E2E?支持論壇的鏈接,供工程師獲取快速的設計幫助和驗證答案。
  • ?商標信息?:NexFET?和DualCool?是TI的商標。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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