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CSD88584Q5DC 40V 半橋 NexFET 電源塊

數據:

描述

CSD88584Q5DC 40V電源塊是用于高電流電機控制應用的優化設計,這些應用包括手持無線園藝和電動工具等。該器件利用TI獲得專利的堆疊裸片技術,以最大限度地減小寄生電感,同時在節省空間的熱增強型DualCool?5mm×6mm封裝中提供完整的半橋。利用外露的金屬頂部,該電源塊器件允許簡單散熱應用將熱量從封裝頂部吸收并將其從PCB帶走,從而在許多電機控制應用所要求的較高電流下,實現出色的熱性能。


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特性

  • 半橋電源塊
  • 高密度5mm×6mm SON封裝
  • 低R DS(ON),可實現最小的傳導損耗
    • 電流為35A時,P 損失為2.4W
  • DualCool?熱增強型封裝
  • 超低電感封裝
  • 符合RoHS標準
  • 無鹵素
  • 無鉛引腳鍍層

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?功率 MOSFET 模塊

?
VGS (V)
VDS (V)
Power Loss (W)
Ploss Current (A)
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
Configuration
Package (mm)
Operating Temperature Range (C)
Pin/Package
CSD88584Q5DC CSD88599Q5DC
20 ? ? 20 ? ?
40 ? ? 60 ? ?
2.4 ? ? 3.0 ? ?
35 ? ? 30 ? ?
50 ? ? 40 ? ?
PowerBlock ? ? PowerBlock ? ?
SON5x6 DualCool PowerBlock ? ? SON5x6 DualCool PowerBlock ? ?
-55 to 150 ? ? -55 to 150 ? ?
22VSON-CLIP ? ? 22VSON-CLIP ? ?

方框圖 (1)

技術文檔

數據手冊(1)
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