關鍵型IFF和航空電子應用的信號完整性和范圍得到大幅提升

移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.近日推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN－on－SiC）RF晶體管－－－QPD1025。QPD1025在65 V下運行1.8KW，提供出色的信號完整性和更大的范圍，這對L頻段航空電子應用來說至關重要。

Strategy Analytics公司的戰略技術實踐執行總監Asif Anwar表示，“Qorvo的QPD1025晶體管對市場來說是真正顛覆性的產品。提供與硅基LDMOS和硅雙極器件相比，它不僅具備相同的脈沖功率和占空比性能，在效率上還有了顯著提升。Qorvo推出的這款高功率和高效率解決方案，在熱管理工藝流程中無需采用金剛石等耐高溫材料，具備極高的高性價比。”

Qorvo高功率解決方案部總經理Roger Hall表示，“這款新型高功率晶體管無需結合放大器的復雜操作便可實現數千瓦的解決方案，能夠大幅節省客戶的時間和成本。與LDMOS相比，QPD1025的漏極效率有了顯著提升，效率高出近15個百分點，這對IFF和航空電子應用來說都非常重要。”

Qorvo提供業內種類最多、最具創意的GaN－on－SiC產品組合。Qorvo產品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工藝成熟的特點，早在2000年就開始批量生產。

QPD1025的工程樣品現已上市。

QPD1025 1800 W、65 V、GaN RF輸入匹配晶體管

頻率范圍：1.0至1.1 GHz

線性增益：22.5 dB（1.0 GHz負載牽引時）

PAE3dB典型值：77.2%（1.0 GHz負載牽引時）

支持CW和脈沖模式

封裝：4引腳NI－1230（無耳式）